AOS模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3401A_2C1 编号：C2835230

封装：SOP-4

品牌：AOS

5+
￥0.7474
50+
￥0.5993
150+
￥0.5253
500+
￥0.4698
3000+
￥0.4254
6000+
￥0.4032

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型号：AO4466 编号：C55651

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N沟道,30V,10A,35mΩ@4.5V

数据手册

50+
￥0.729
500+
￥0.675
1000+
￥0.648
5000+
￥0.621
10000+
￥0.594

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型号：AONR32314 编号：C3288298

封装：DFN-8(3x3)

品牌：AOS

1+
￥0.8762
10+
￥0.6966
30+
￥0.6068
100+
￥0.5395
500+
￥0.4856
1000+
￥0.4587

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型号：AOZ8300CI-05 编号：C1978392

封装：SOT-23-6

品牌：AOS

是一款瞬态电压抑制器阵列，旨在保护高速数据线免受静电放电 (ESD) 和雷击的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容转向二极管和一个 TVS。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态引导至电源线的正端或接地。可用于满足 IEC 61000-4-2 4 级的 ESD 抗扰度要求。TVS 二极管可有效抑制 ESD 电压：±15 kV（空气放电）和 ±8 kV（接触放电）。采用无卤且符合 RoHS 标准的 SOT-23 封装，额定环境温度范围为 -40°C 至 +85°C。两种封装均与无铅和 SnPb 组装技术兼容。小尺寸、低电容和高 ESD 保护特性使其非常适合保护高速视频和数据通信接口。

数据手册

1+
￥0.9957
200+
￥0.3854
500+
￥0.3718
1000+
￥0.3651

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型号：AOH3106 编号：C3280060

封装：SOT-223

品牌：AOS

AOH3106 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光等领域的升压转换器和同步整流器。

5+
￥1.7089
50+
￥1.3264
150+
￥1.1625
500+
￥0.9579
2500+
￥0.8668
5000+
￥0.8122

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型号：AO4630 编号：C2997880

封装：SOIC-8

品牌：AOS

数据手册

1+
￥1.9543
10+
￥1.5552
30+
￥1.3841
100+
￥1.1707
500+
￥1.0756
1000+
￥1.0186

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型号：AOD3N50 编号：C6465401

封装：TO-252

品牌：AOS

采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在常见的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。

50+
￥0.9153
500+
￥0.8475
1000+
￥0.8136
5000+
￥0.7797
10000+
￥0.7458

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型号：AOZ3018PI 编号：C128652

封装：SOP-8-EP

品牌：AOS

AOZ3018是一款高效率、易于使用的5A同步降压调节器,工作输入电压范围为4.5V至18V,可提供高达5A的连续输出电流,输出电压可调至0.8V。该器件采用内部高侧和低侧开关,具有高达95%的效率,外部软启动功能,周期限流,预偏置启动,短路保护和热关断功能。适用于点负载DC/DC转换器、LCD电视、机顶盒、DVD和蓝光播放器/记录器、电缆调制解调器等应用。

数据手册

1+
￥4.35
10+
￥3.68
30+
￥3.35
100+
￥3.02
500+
￥2.82
1000+
￥2.72

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型号：AOZ1235QI-01 编号：C176765

封装：SMD

品牌：AOS

1+
￥5.52
10+
￥5.39
30+
￥5.3
100+
￥5.21

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型号：AOZ5311NQI 编号：C22441857

封装：QFN-31L(5x5)

品牌：AOS

是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举开关集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。

1+
￥7.81
10+
￥7.63
30+
￥7.51
100+
￥7.39

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型号：AOZ5332QI 编号：C5943984

封装：QFN-31(5x5)

品牌：AOS

是一种高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置中的操作进行了单独优化。高端MOSFET经过优化，可实现低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻，可将传导损耗降至最低。使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。提供了许多特性，使其成为一款高度通用的电源模块。自举二极管集成在驱动器中。低端MOSFET可以驱动到二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。引脚排列也针对低寄生效应进行了优化，将其影响降至最低。