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首页 > 热门关键词 > 移位寄存器芯片
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    MC14015B 在单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。它由两个相同的独立 4 状态串行输入/并行输出寄存器组成。每个寄存器都有独立的时钟和重置输入,以及单个串行数据输入。寄存器状态为 D 型主从触发器。在正向时钟转换期间,数据从一级转移到下一级。在重置线上施加高电平时,可清除每个寄存器。这些互补 MOS 移位寄存器主要用于需要低功耗和/或抗扰度的缓冲器存储和串并转换。
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    VHC164 是一种先进的高速 CMOS 器件,采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时还能保持 CMOS 低功耗。VHC164 是一款高速 8 位串行输入并行输出移位寄存器。串行数据通过一个与时钟低电平-高电平转换同步的 2 输入 AND 门极输入。该器件具有异步主节点重置,可清除寄存器,将所有输出设置为低电平,而不依赖于时钟。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口,如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。
    数据手册
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    MC14094B 组合了 8 级移位寄存器,每级都带有一个数据锁存,每个锁存有一个三态输出。数据在正向时钟转换时进行移位,从第七级移位到两个串行输出。QS 输出数据用于高速级联系统。QS 输出数据在下一个负向时钟转换时发生移位,用于低速级联系统。来自移位寄存器每级的数据在选通输入的负向转换时进行锁存。选通处于高电平时,数据通过该锁存进行传播。八个数据锁存的输出由三态缓冲器控制,这些缓冲器由输出启用上的逻辑低电平置于高阻抗状态。
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  • CD4015B CMOS 双路 4 级静态移位寄存器
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    SN74LS166A 串行输出移位寄存器
    数据手册
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      ¥4.6764 / 个
    SN74LS166A 串行输出移位寄存器
    数据手册
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      ¥4.9464 / 个
    CD4021B CMOS 8 级静态移位寄存器
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      ¥3.77599 / 个
    SN74F299 通用移位/存储寄存器
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      ¥5.562 / 个
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  • SN74HC166A-EP 8 位并行负载移位寄存器(增强型产品)
    数据手册
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      ¥9.774 / 个
    CD74HC595 具有三态输出寄存器的 8 位移位寄存器
    数据手册
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      ¥5.3568 / 个
    CD4031B CMOS 64 级静态移位寄存器
    数据手册
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      ¥7.2036 / 个
    SN74HC165 8 位并行负载移位寄存器
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      ¥4.176095 / 个
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