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采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs @ 技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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型号：ACTT8X-800CTNQ 编号：C602520

封装：SOT-186A

品牌：WeEn(瑞能)

平面钝化交流晶闸管三端双向可控硅功率开关，采用 SOT186A (TO-220F) 全封装塑料封装，具有针对低能量和高能量瞬变的自保护功能。该“CTN”系列三端双向可控硅开关可在最大额定结温 (Tj(max)=150 °C) 下实现满载 RMS 电流换向，无需缓冲器。适用于需要“高结温能力”的应用。

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型号：TPS22990DMLT 编号：C2653782

封装：WSON-10-EP(2x3)

TPS22990 具有可调节上升时间、电源正常指示和可选输出放电功能的 5.5V、10A、3.9mΩ 负载开关

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型号：BSP742TXUMA1 编号：C2653765

封装：SOP-8

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：ITS4200SMEO 编号：C2150211

封装：SOT-223-4

ITS4200S-ME-O是一款采用SOT-223-4封装的单通道受保护智能高端NMOS功率开关，具备电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。

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型号：MP62550DJ-LF-Z 编号：C3236189

封装：TSOT-23-6

品牌：MPS(芯源)

电源分配开关专为精确限流而设计，可提供高达1.5A的连续输出电流。通过外部电阻可实现60mA至1.7A（典型值）的可编程电流限制，精度为±10%。该开关包含一个88mΩ的N沟道功率MOSFET，工作输入电压范围为2.5V至5.5V。该器件具有针对过流和热应力增加的内置保护功能

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型号：BTS5045-1EJA 编号：C534809

封装：DSO-8

BTS5045-1EJA 是一款45 mΩ单通道智能高边功率开关，采用PG-DSO-8-43 EP外露焊盘封装，提供保护功能和诊断。该功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成了Smart6技术，特别设计用于在恶劣的汽车环境中驱动高达1 * P27W/P21W的灯泡以及LED。

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型号：TPS2530DBVT 编号：C2680371

封装：SOT-23-5

TPS2530 高电平有效的 0.5A 负载、2.7-5.5V、97mΩ USB 电源开关

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型号：ACST1235-8FP 编号：C222127

封装：TO-220FPAB

品牌：ST(意法半导体)

过压保护交流开关

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型号：BD2068FJ-MGE2 编号：C2149930

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BD2068FJ - M和BD2069FJ - M是双通道高端开关IC，具备针对通用串行总线（USB）电源线的过流保护功能。其开关单元包含两路N沟道功率MOSFET，内置过流检测电路、热关断电路、欠压锁定和软启动电路。

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型号：MIC94067YML-TR 编号：C622534

封装：VDFN-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC94066 - 69 是双路高端负载开关，设计工作电压范围为 1.7V 至 5.5V。这些器件包含一对低导通电阻（最大 115mΩ）的 P 沟道 MOSFET，可支持超过 2A 的连续电流。MIC94067 和 MIC94069 具备有源负载放电电路，可确保主开关处于关断状态时，容性负载无电荷残留

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型号：NCV1063AD100R2G 编号：C603853

封装：SOIC-16

NCP1063 集成了固定频率电流模式控制器和 670 V MOSFET。NCP1063 采用 SOIC-16 封装，提供了高度集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、可调峰值电流设定点、斜坡补偿和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1063 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关 (65 或 100 kHz)。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测（A 版本）。安森美半导体的专属集成过功率保护 (OPP) 让您仅通过外部电阻即可充分利用提供的最高功率，而不会影响待机性能。NCV1060/NCV1063 系列可以无缝用于非隔离和隔离拓扑结构中。

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型号：SI1040X-T1-GE3 编号：C727507

封装：SC-89-6

品牌：VISHAY(威世)

Si1040X在单个SC-89-6封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。低导通电阻的P沟道TrenchFET专为用作负载开关而设计。N沟道搭配一个外部电阻，可作为电平转换器来驱动P沟道负载开关

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型号：JW7221MSOP#TRPBF 编号：C5356503

封装：MSOP-10

品牌：Joulwatt(杰华特)

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型号：MIC2544-1YMM-TR 编号：C627827

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC2544和MIC2548是集成式高端功率开关，针对低损耗直流电源开关及其他电源管理应用（包括高级配置与电源接口（ACPI））进行了优化。MIC2544/48是高性价比、高度集成的解决方案，只需少量外部元件即可满足USB和ACPI要求。负载电流管理功能包括一个精密电阻可编程输出电流限制器，以及一个在开关启用时将浪涌电流降至最低的软启动电路

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型号：FPF2895UCX 编号：C891254

封装：WLCSP-24(1.7x2.6)

FPF2895 具备一个额定电流限制为 28 V、5 A 的功率开关，提供过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和真正的反向电流阻断（TRCB）功能，以保护系统。采用 WL-CSP 封装时，其典型导通电阻低至 27 mΩ，可在 4V 至 22V 的输入电压范围内工作。FPF2895 的电流限制精度支持 ± 10%，过流范围为 500 mA 至 5 A，具有可选择过压保护点、可选择导通极性和可选择过流保护行为等灵活操作特性，可根据系统要求进行优化

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型号：TPS2HC120AQDGQRQ1 编号：C47018214

封装：HVSSOP-28

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型号：NCP45541IMNTWG-H 编号：C892475

封装：TDFN-12-EP(3x3)

NCP45541负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，该器件还可通过电源正常信号进行系统监控。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：ITS4060SSJNXUMA1 编号：C2150089

封装：SOIC-8

是一款受保护的单通道智能高端NMOS功率开关，采用PG-DSO-8封装，带有电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。

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型号：TPS2410PWR 编号：C544369

封装：TSSOP-14

TPS2410 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、290uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器

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型号：BTS3125TF 编号：C534765

封装：TO-252-3

BTS3125TF是一款导通电阻为125 mΩ的单通道智能低侧功率开关，采用PG - TO252 - 3封装，具备内置保护功能。该功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成，为单片集成器件。BTS3125TF符合汽车级标准，针对12 V汽车应用进行了优化

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型号：TPS2051ADR 编号：C3235408

封装：SOIC-8

TPS2051A 高电平有效的 0.5A 负载、1A ILIMIT、2.7-5.5V、80mΩ USB 电源开关

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型号：BTS462T 编号：C127050

封装：TO-252-4

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：ADP194ACBZ-R7 编号：C659020

封装：WLCSP-4(0.7x0.7)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP194是一款高端负载开关，设计工作电压范围为1.1 V至3.6 V，可防止电流从输出端反向流向输入端。该负载开关能够实现电源域隔离，延长电池续航时间

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型号：MPQ5872GRPE-AEC1-Z 编号：C35322898

封装：QFN-8(2x2.5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：NCP45560IMNTWG-H 编号：C892477

封装：DFN-12(3x3)

负载开关为高效电源域切换提供了减少组件和面积的解决方案，可通过软启动实现浪涌电流限制。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，该设备还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：BTS3050TF 编号：C534756

封装：TO-252-3