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封装：MSOP-8

正向高压理想二极管控制器驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。控制MOSFET两端的正向压降，以确保即使在轻负载下也能实现电流传输或从一条路径到另一条路径的电流转移。5µA的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。控制背对背N沟道MOSFET以实现浪涌电流控制和负载切换。SHDN引脚可使MOSFET保持关断状态，并将静态电流降至3.5µA。具有UV引脚用于欠压监测，而UVOUT引脚提供迟滞调整和状态信息。在欠压期间，背对背MOSFET会被切断，静态电流降至0.5µA。

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型号：VNI8200XPTR 编号：C2149987

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

八通道高侧智能功率固态继电器，具有串行/并行可选片上接口

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型号：RY2121 编号：C2887853

封装：SOT-23-5

品牌：RYCHiP(蕊源)

RY2121电源分配开关具备内部限流功能，可防止因负载故障导致主机设备损坏。RY2121采用可编程限流技术，开发出超低导通电阻开关，能在过流和短路情况下保护电源。它集成了过温保护功能，并能在关断期间对输出电容进行放电

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型号：APL3517AI-TRG 编号：C351149

封装：SOT-23

品牌：ANPEC(茂达电子)

APL3517/A/B 是一款具有限流功能和输出过压保护（OVP）功能的电源分配开关，可提供高达 0.1A 的电流。该器件集成了一个 250mΩ 的 N 沟道 MOSFET 功率开关。

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型号：WS3210C68-9/TR 编号：C239828

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3210C68具备低导通电阻（RON）的内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为30V。内部输入钳位电路能够分流超过80V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。WS3210C68具有过压保护（OVP）功能，若输入电压超过固定的过压保护阈值，内部开关将关闭

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￥0.557436 ￥1.2669
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型号：AW35121FOR 编号：C5125887

封装：FOWLP-4

品牌：AWINIC(艾为)

AW35121是一款具备输出压摆率控制功能的负载开关。该器件集成了一个导通电阻典型值为64mΩ的P沟道MOSFET，可在1.2V至5.5V的宽输入电压范围内工作。AW35121具有输出压摆率控制功能，可在开启时限制浪涌电流，以保护下游设备

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型号：ASRS179R6-R 编号：C5355277

封装：SOT-363-6

品牌：ASDsemi(安森德)

确化 IC 射频单刀双掷开关 0.02 -3 GHz,SOT363-6封装

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型号：JW7115S-1SOTA#TRPBF 编号：C39846960

封装：SOT-23-5

品牌：Joulwatt(杰华特)

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型号：SY6288E1AAC 编号：C207622

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

是超低RDS(ON)的3A低损耗功率分配开关，具有电流限制功能，可保护电源免受过流和短路影响。它集成了过温保护和反向阻断功能。

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型号：LPW5208B5F 编号：C517265

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5208 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。其内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：DIO7002AST5 编号：C403840

封装：SOT-23-5

品牌：DIOO(帝奥微)

DIO7002电源分配开关适用于需要精确限流，或遇到大电容负载和短路情况的应用场景。该电源开关的上升和下降时间受到控制，以最大程度减少开关过程中的电流浪涌。当输出负载超过限流阈值时，DIO7002器件通过恒流模式将输出电流限制在安全水平以内

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型号：APL3553ABI-TRG 编号：C691406

封装：SOT-23-5

品牌：ANPEC(茂达电子)

APL3553系列电源开关专为USB应用而设计。这款导通电阻为62mΩ的N沟道MOSFET电源开关满足USB规范的压降要求。

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型号：TPS22965DSGR 编号：C122837

封装：UDFN-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22965 具有可调节上升时间和可选输出放电功能的 5.7V、6A、16mΩ 负载开关

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型号：JW7107SDFNC#TRPBF 编号：C5121637

封装：DFN-14(3x2)

品牌：Joulwatt(杰华特)

JW7107S是一款具有可编程导通上升时间的低导通电阻双通道负载开关。它包含两个N沟道MOSFET，每个通道可提供最大6A的连续电流。每个通道可在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作

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型号：TPS22991CRAAR 编号：C49307573

封装：UQFN-4(0.8x0.9)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：JWH7103SOTB#TRPBF 编号：C5121643

封装：SOT-23-6

品牌：Joulwatt(杰华特)

JWH7103集成了针对需要保护功能的通用串行总线（USB）优化的高端MOSFET。该MOSFET由受控的栅极电压和转换速率驱动，这使得这款USB器件非常适合热插拔应用。

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型号：BD2226G-TR 编号：C308587

封装：SSOP-5-1.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD2226G和BD2227G是低导通电阻N沟道MOSFET高端功率开关，针对通用串行总线（USB）应用进行了优化。BD2226G和BD2227G具备过流检测、热关断、欠压锁定和软启动功能。

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型号：TPS22967DSGR 编号：C132001

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22967 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、4A、22mΩ 负载开关

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型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

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￥2.203
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型号：TPS22924CYZPRB 编号：C2150005

封装：DSBGA-6(0.9x1.4)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22924C 具有输出放电功能和 800μs 上升时间（在 3.6V 时）的 3.6V、2A、18.3mΩ 负载开关

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型号：NCV380LMUAJAATBG 编号：C892948

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款专为可能遇到重容性负载和短路的应用设计的高端电源分配开关。该器件包括一个集成的55 mΩ（DFN封装）P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时，该器件通过切换到恒流调节模式来将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可以通过外部电阻在500 mA至2.1 A之间进行用户调整，也可以内部固定。内部反向电压检测比较器会在输出电压高于输入电压时禁用电源开关，以保护开关输入侧的设备。在过流、反向电压或过温条件下，FLAG逻辑输出会置低。开关由逻辑使能输入控制，可以是高电平有效或低电平有效。

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￥2.53 ￥2.75
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型号：ULN2003BPWR 编号：C2865148

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

ULN2003B是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。这个器件包含7个高压输出型NPN达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。单个达灵顿对的集电极电流额定值为500mA。将达灵顿对并联可以提供更高的电流。ULN2003B的每个达灵顿对具有一个2.7kΩ基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑(TTL)或互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。

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