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PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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型号：MP5094GJ-Z 编号：C3236222

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP5094是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。MP5094还能保护输入端免受来自输出端的意外短路和瞬态影响。MP5094是一款导通电阻（RDS(ON)）小、静态电流低的双通道限流开关

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型号：BSP762T 编号：C112645

封装：SO-8

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：TPS2421-1DDA 编号：C1553994

封装：SO-8

TPS2421-1 3V 至 20V、33mΩ、1.8A 至 5.5A 电子保险丝

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型号：LM74801QDRRRQ1 编号：C2873366

封装：WSON-12-EP(3x3)

LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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型号：LM74700QDDFRQ1 编号：C3236229

封装：TSOT-23-8

LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

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型号：TPS2412PWR 编号：C544906

封装：TSSOP-8

TPS2412 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、292uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器

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型号：VN750PSTR-E 编号：C155579

封装：SOIC-8

VN750PS-E是一款采用VIPower M0-3技术设计的单片式器件，旨在驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：TPS2082DR 编号：C1879945

封装：SOIC-8

TPS2082 使能端低电平有效的 2 通道、5.5V、0.7A、80mΩ 负载开关

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型号：TPS274160BRLHR 编号：C2797257

封装：QFN-28-EP(4x5)

TPS274160 具有可调节电流限制的 36V、160mΩ、1.35A、4 通道工业高侧开关

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型号：TPS27S100ARRKR 编号：C1849485

封装：WQFN-16-EP(3.5x4)

TPS27S100 具有可调节电流限制的 40V、80mΩ、4A、单通道工业高侧开关

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型号：VN5025AJTR-E 编号：C2150134

封装：PowerSSO-12

VN5025AJ - E 是一款采用 VIPower 技术 VCC 制造的单片器件。它用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。有源电压钳位可保护器件免受低能量尖峰的影响（见 ISO7637 瞬态兼容性表）

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型号：BTS3028SDLATMA1 编号：C2150071

封装：TO-252

BTS3028SDL 是一款采用 PG-TO252-3-11 封装的单通道低侧 MOSFET 功率开关，具备嵌入式保护功能。该器件将 N 沟道垂直功率 FET 与嵌入式保护功能进行了单片集成。

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型号：DRV2700RGPT 编号：C2150456

封装：QFN-20-EP(4x4)

DRV2700 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的工业压电式驱动器

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型号：TPS272C45DRHFR 编号：C3219943

封装：VQFN-24(4x5)

TPS272C45 具有可调节电流限制的 36V、45mΩ、3A、2 通道工业高侧开关

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型号：MAX17615ATB+ 编号：C17246584

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：强大的保护功能，减少系统停机时间。宽输入电源范围：4.25V 至 60V。热插拔耐受，在高达 35V 输入电源下无需 TVS。应用：传感器系统

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型号：L93PI 编号：C262916

封装：SOIC-20-300mil

L93PI是一款采用先进的Multipower - BCD技术实现的单片集成四路低边驱动器。它旨在驱动汽车或工业应用中的线路、灯具或继电器。L93PI是一款用于汽车和工业应用中线路、灯具或感性负载的四路低边驱动器

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型号：LTC4355CS#PBF 编号：C688206

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性

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型号：ISO8200BQ 编号：C1235455

封装：TFQFPN-32(9x11)

电流隔离八通道高侧智能功率固态继电器

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型号：LTC4372IDD#PBF 编号：C7455810

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

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型号：MAX6499ATA+T 编号：C7543712

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6495-MAX6499 是一系列小型、低电流的过压保护电路，适用于汽车和工业应用中常见的高电压瞬态系统。这些设备监测输入电压，并在输入过压情况下控制外部 nMOSFET 开关以隔离输出负载。这些设备的工作电源电压范围很宽，从 5.5V 到 72V。当被监测的输入电压低于用户可调的过压阈值时，nMOSFET 的栅极被驱动到高电平。一个集成的电荷泵电路提供 10V 的栅源电压以完全增强 nMOSFET。当输入电压超过用户调整的过压阈值时，MOSFET 的栅极迅速被拉低，从而断开负载与输入之间的连接。在某些应用中，断开输出与负载的连接是不希望的。在这种情况下，保护电路可以配置为电压限制器，其中 GATE 输出呈锯齿状以限制负载上的电压（MAX6495/MAX6496/MAX6499）。MAX6496 支持更低的输入电压，并通过用外部串联 pMOSFET 替换外部反向电池二极管来减少功率损耗。MAX6496 生成适当的偏置电压以确保 pMOSFET 在正常操作期间导通。在负载突降条件下，栅源电压被箝位，在反向电池条件下，pMOSFET 关断。MAX6497/MAX6498 具有一个开漏、未指定用途的比较器，如果输出低于编程阈值，该比较器会通知系统。MAX6497 会使 MOSFET 开关保持关断状态，直到输入电源或 SHDN 引脚重新上电。MAX6498 会在 VOVSET 低于 130mV 时自动重试。这些设备采用小型、热增强型 6 引脚和 8 引脚 TDFN 封装，工作温度范围从 -40°C 到 +125°C。

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型号：BTS4880RAUMA1 编号：C2150059

封装：BSSOP-36-EP-11mm

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵、接地参考的 CMOS 或 Vbb/2 兼容输入以及通用诊断反馈，采用 SmartSIPMoS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：EA6808 编号：C42389063

封装：SOT-23-5

品牌：everanalog(申风)

85mΩ/1A 13μA 典型值于开机状态 1μA 典型值于关机状态宽输入电压范围：2.4-5.5V

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型号：TPS22914BYFPR 编号：C1848394

封装：DSBGA-4

TPS22914/15 是一款小型、低 RON、具有受控压摆率的单通道负载开关。此器件包括一个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内运行并可支持 2A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制，能够直接连接低电压控制信号。

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型号：TPS2001EDBVR 编号：C20345969

封装：SOT-23-5