ST意法dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TL431IL5T 编号：C5267726

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

可调微功耗分流器电压参考

5+
￥0.9484
50+
￥0.8226
150+
￥0.7686
500+
￥0.7013

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型号：TLVH431AIL3T 编号：C2156641

封装：SOT-23-3

品牌：ST(意法半导体)

TLVH431是一款低功耗可调并联电压基准源，能在整个工作温度范围内保持稳定。通过外部电阻，输出电压可设置在1.24 V至18 V之间。TLVH431的工作电流范围为100 μA至60 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。它采用SOT23 - 3L、SOT23 - 5L和SOT32 - 6L表面贴装封装，适用于对空间节省要求较高的应用场景。

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￥1.008
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￥0.7854
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型号：STG3157CTR 编号：C157438

封装：SOT-323-6L

品牌：ST(意法半导体)

高速、超低功耗、低导通电阻的单刀双掷开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关。工作电压范围为1.65V至5.5V。

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￥1.9618
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型号：STM1061N16WX6F 编号：C2066223

封装：SOT-23-3

品牌：ST(意法半导体)

STM1061 低功耗电压检测器可用于监测电池、电源和稳压系统电压。一个精密电压基准源和比较器对 VCC 输入进行监测，并将其与指定的电压阈值条件进行比较。当 VCC 降至指定的跳变点阈值以下时，输出（OUT(overline)）被拉低，并且只要 VCC 输入保持在 VTH- + 迟滞电压（VHYS T）以下，输出就会一直保持有效

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￥2.06
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￥2.01
30+
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型号：TL431AIYDT 编号：C315145

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

可调微功耗分流器电压参考

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￥2.95
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型号：UC3844BD1 编号：C1529981

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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￥3.58
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￥2.88
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￥2.53
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￥2.09
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型号：TS431IYLT 编号：C2156701

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

TS431是一款低压、三端Vref（1.24 V）可变电压基准源。输出电压可设置为Vref（1.24 V）至特定最大值之间的任意值。

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￥5.9
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￥4.69
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￥4.09
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型号：L9615D013TR 编号：C5252608

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L9615 是一款双向收发器，支持高达500Kbps的数据速率。它符合ISO/DIS 11898标准，并具有短路保护和EMI减少功能。

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￥7.1496 ￥13.24
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￥6.129 ￥11.35
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￥5.4918 ￥10.17
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￥4.212 ￥7.8

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型号：STM6600CS25DM6F 编号：C443976

封装：TDFN-12(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

STM6600 01 器件可监测所连接按钮的状态以及充足的电源电压。使能输出通过 MOSFET 晶体管、DC-DC 转换器、稳压器等为应用供电。若电源电压高于精确的电压阈值，只需按下按钮即可激活使能输出

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￥7.49
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￥6.23
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￥5.54

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型号：STM6720TGWB6F 编号：C2066339

封装：SOT-23-6

品牌：ST(意法半导体)

支持按钮复位（有延迟选项）的双/三路超低压监控器

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￥8.382 ￥13.97
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￥7.746 ￥12.91
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￥7.35 ￥12.25
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￥6.636 ￥11.06
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￥6.456 ￥10.76
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￥6.372 ￥10.62

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型号：SR1PAAU 编号：C2067407

封装：UDFN-6(1x1.5)

品牌：ST(意法半导体)

4引脚智能复位

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￥9.0248 ￥15.56
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￥7.656 ￥13.2
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￥6.8034 ￥11.73
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￥5.9276 ￥10.22
500+
￥5.5274 ￥9.53
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￥5.3592 ￥9.24

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型号：STG3856QTR 编号：C2970639

封装：QFN-12L(2.2x1.4)

品牌：ST(意法半导体)

高速CMOS低电压单电源双模拟SP3T开关或双3:1多路复用器/解复用器开关。工作电压范围为1.65 V至4.3 V。

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￥12.48
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￥10.48
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￥9.22
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型号：STM6717TGWY6F 编号：C2969930

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

支持按钮复位的双/三路超低压监控器

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￥15.91
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￥13.39
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型号：STPM33TR 编号：C222411

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

STPM3x是一款用于电力系统中精确测量功率和能量的ASSP家族，最多支持四个独立的24位2阶Σ-ΔADC，4 MHz过采样频率和两个嵌入式PGLNA。

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1+
￥16.1
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￥13.54
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型号：L6920DCTR 编号：C2070664

封装：MSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

L6920DC是一款高效率、低电压升压DC/DC转换器,特别适用于1到3个电池单元（锂离子/聚合物、镍氢）的电池升压转换。采用同步整流技术,无需外部二极管,降低了成本。工作在最大导通时间-最小关断时间控制模式下,具有低电池检测、反向电池保护和关断功能。

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1+
￥18.126 ￥40.28
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￥15.777 ￥35.06
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￥13.7385 ￥30.53
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￥12.537 ￥27.86

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型号：L293D 编号：C12340

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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1+
￥20.01
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￥17.03
30+
￥15.25
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￥13.46

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型号：L6506 编号：C10652

封装：DIP-18

品牌：ST(意法半导体)

L6506/D是一款线性集成电路，旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时，该芯片组可为感性负载形成恒流驱动，并执行从控制逻辑到功率级的所有接口功能。可使用同步引脚对两个或多个器件进行同步。在这种工作模式下，主芯片中的振荡器会设定所有芯片的工作频率。 L6506适用于与双桥驱动器（如L298）、四达林顿阵列（如L7150）、四DMOS阵列（如L6114 - L6115）或分立功率晶体管配合使用，以驱动步进电机和其他类似负载。该器件的主要功能是感应和控制每个负载绕组中的电流。一个片上通用振荡器驱动双斩波器，并为脉宽调制驱动设定工作频率。1号引脚上的RC网络设定工作频率，该频率由公式torand Vref给出。由于为每个斩波器提供了独立的输入，因此每个负载都可以独立编程，从而使该器件可用于实现电机的微步进。L6506振荡器的下限阈值为1/3Vcc，上限阈值为2/3Vcc，内部放电电阻为1 KΩ ± 30%。通过同步振荡器，可以避免多配置中的接地噪声问题。这可以通过将每个器件的同步引脚与主器件的振荡器输出相连，并将未使用振荡器的R/C引脚接地来实现。振荡器提供脉冲来置位两个触发器，进而使输出激活驱动器。当负载绕组中的电流达到编程的峰值时，感测电阻（Rsense）两端的电压等于Vref，相应的比较器会复位其触发器，中断驱动电流，直到下一个振荡器脉冲出现。每个绕组中的峰值电流通过选择感测电阻的值来编程。

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￥26.247 ￥33.65
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￥22.6356 ￥29.02
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￥20.4828 ￥26.26
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￥18.3144 ￥23.48
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￥17.3082 ￥22.19
1000+
￥16.8558 ￥21.61

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型号：ST25R200-BMET 编号：C32152552

封装：UFQFPN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

提供高性能，采用4x4 mm小型封装，ST25R200多功能NFC收发器为各种终端应用带来非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。支持NFC读写器模式。高输出功率使其易于集成到使用小天线的应用中。读写器具有出色的读取范围，并具备改进的低功耗卡检测（LPCD）功能，可在电感唤醒模式下增加检测范围。在这种低功耗唤醒模式下，系统能够检测标签的靠近或移除

1+
￥28.78
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￥24.39
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型号：L6206D013TR 编号：C2653489

封装：SO-24-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L6206器件是一款专为电机控制应用设计的DMOS双全桥器件，采用BCD技术制造，该技术可将隔离式DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206器件有PowerSO36和SO24（20 + 2 + 2）两种封装形式，其特点包括热关断功能、高端功率MOSFET非耗散过流检测功能，以及一个可轻松用于实现过流保护的诊断输出端。

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