安森美dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CAT809RTBI-GT3 编号：C43445

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

微处理器电压监控，阀值电压=2.63V

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￥4.67
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￥3.9
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￥2.91
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型号：NCP81071BDR2G 编号：C411209

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP81071 是一款高速双低压侧 MOSFET 驱动器。它能够向电容负载提供大峰值电流，在米勒平坦区高达 5A 峰值电流，有助于帮助降低 MOSFET 开关转换期间的米勒效应。该器件提供启用功能，在各种应用中都能为用户提供比现有方案更好的控制。此零部件采用 MSOP8?EP 封装、SOIC8 封装、DFN8 2 mm x 2 mm 封装和 WDFN8 3 mm x 3 mm 封装。

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￥5.7
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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥8.23
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￥6.44
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￥5.72
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￥3.42

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型号：NCV887001D1R2G 编号：C604103

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8870是一款非同步升压控制器,驱动外部N通道MOSFET。采用峰值电流模式控制,具有内部斜率补偿。该器件包括内部调节器,为栅极驱动器供电。保护功能包括软启动、欠压锁定、逐周期限流、hiccup模式短路保护和热关断。此外,还具有低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率的功能。

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￥9.85
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￥6.3585 ￥7.85
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￥6.2775 ￥7.75

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型号：LV8731V-TLM-H 编号：C40157

封装：SSOP-44-EP-5.6mm

品牌：onsemi(安森美)

PWM恒流控制步进电机驱动器

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￥15.72
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型号：MC1496BDR2G 编号：C512980

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC1496B 适用于输出电压为输入电压（信号）和开关功能（载波）的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。

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￥1.8768
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￥1.3322
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￥1.1284
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￥1.0377
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￥0.9832

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型号：TL431BVDR2G 编号：C242262

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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￥2.3
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￥1.79
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￥1.58
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￥1.07

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型号：SZNUD3124DMT1G 编号：C894716

封装：SC-74-6

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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￥2.5228
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￥2.0202
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￥1.8048
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￥1.5057
3000+
￥1.386

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型号：MC14066BDTR2G 编号：C133484

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14066B由四个独立的开关组成，能够控制数字或模拟信号。该四通道双边开关适用于信号门控、斩波、调制解调和CMOS逻辑实现。

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￥4.28
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￥2.87
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￥2.56

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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￥5.25
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￥3.65
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￥3.12
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￥2.8
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￥2.63

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

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￥6.4
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￥5.12
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￥4.49
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￥3.86
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型号：LM2576D2T-ADJR4G 编号：C70351

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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￥15
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￥11.66
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￥10.34
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￥7.49
800+
￥7.23

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型号：NCP303LSN27T1G 编号：C233707

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器设计，可延长电池寿命。每个系列都有一个带滞后功能的高精度欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，可防止系统复位操作不稳定。NCP302系列为互补输出器件，有高电平有效或低电平有效的复位；NCP303系列有一个漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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￥2.43
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￥2.15
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￥2.03
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￥1.88
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￥1.48
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￥1.44

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型号：FSA4157P6X 编号：C10446

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

FSA4157和FSA4157A是高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关。它们在4.5V Vcc下的最大导通电阻为1.15Ω，并且在1.65V至5.5V (FSA4157)或2.7V至5.5V (FSA4157A)的宽Vcc范围内工作。

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￥3.1149
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￥2.4345
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￥2.1429
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型号：FAN73901MX 编号：C380794

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN73901 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 提供最高 VS = -9.8V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得 FAN73901 适用于开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用。

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￥12.07
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￥10.48
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￥8.68
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￥8.39
1000+
￥8.27

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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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￥13.4
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￥11.36
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￥10.08
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￥8.42
500+
￥7.83
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￥7.58

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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￥13.92
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￥10.87
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￥7.43
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￥6.89
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￥6.66

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型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

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1+
￥20.18
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￥17.84
30+
￥16.38
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￥14.4
500+
￥13.72

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型号：MMBF5485 编号：C2842701

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件主要用于电子开关应用，如低导通电阻模拟开关。源自 Process 50。

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5+
￥1.3738
50+
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150+
￥0.9663
500+
￥0.8138
3000+
￥0.7459
6000+
￥0.7051

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型号：NCP81151MNTBG 编号：C603810

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81151 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧电源 MOSFET的门极。它能够驱动高达 3.0 nF 的负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 25 ns。自适应防交叉导通和节电运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高能效方案。电源电压较低时，UVLO 功能可保证低输出。

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1+
￥2.76
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￥2.17
30+
￥1.92
100+
￥1.6
500+
￥1.39
1000+
￥1.3

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型号：FSA2275UMX 编号：C895408

封装：UMLP-12(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FSA2275 是一款高性能双刀双掷 (DPDT) 模拟开关，带负摆幅音频功能。FSA2275 在 2.5 V VCC 下具有 0.5Ω（典型值）的超低音频导通电阻。FSA2275 在 2.5 V 至 5.5 V 的 VCC 范围下运行，采用亚微米 CMOS 工艺，可实现快速开关，适用于先开后合运行。为了最大程度减少运行期间的杂音，开启斜坡时间可使用外部电容器 (C_EXT) 进行选择。FSA2275 具有 THD+N 规格，适用于 32 Ω 耳机和线路输出型负载 (>600 Ω) 的高保真音频质量。

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1+
￥5.04
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￥4.09
30+
￥3.61
100+
￥3.14

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型号：NCP1031MNTXG 编号：C603438

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1031是一款高集成度微型高压单片开关调节器,适用于48V电信和42V汽车应用。该系列器件可在任何单端拓扑中配置,如正激式或反激式。NCP1031适用于最大6W的应用。

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1+
￥5.53
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￥5.05
30+
￥4.79
100+
￥3.59
500+
￥3.46
1000+
￥3.4

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型号：NCP1562BDR2G 编号：C462900

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

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1+
￥9.67
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￥8.96
30+
￥6.81
100+
￥6.36
500+
￥6.15
1000+
￥6.06

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型号：NCN5121MNTWG 编号：C891972

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于KNX双绞线网络的收发器IC，支持楼宇网络中的执行器、传感器、微控制器、开关等应用。

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1+
￥33.24
10+
￥28.41
30+
￥25.54
100+
￥22.64

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型号：TL431CLPRPG 编号：C233672

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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5+
￥1.6596
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￥1.4697
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￥1.3884
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￥1.2869
2000+
￥0.9854
4000+
￥0.9582

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型号：NCP431AVSNT1G 编号：C97731

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

电压参比，低阴极电流，可编程，分路稳压器

数据手册

5+
￥2.0045
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￥1.5859
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￥1.4065
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￥1.1827
3000+
￥0.8987
6000+
￥0.8389

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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1+
￥5.6
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￥5.07
30+
￥4.79
100+
￥4.46
500+
￥3.78
1000+
￥3.71

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型号：NCP1562ADR2G 编号：C603602

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

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1+
￥9.12
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￥7.5
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￥6.61
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￥5.6
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￥5.16
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￥4.95

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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￥13.54
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￥11.6
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￥10.38
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￥7.78
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￥7.21
1000+
￥6.97

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型号：FUSB303BTMX 编号：C895444

封装：X2-QFN-12(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB303B 设备是一款完全自主的 USB Type-C 控制器，适用于 15 W 或更低的应用。

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￥3.55
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￥2.9
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￥2.57
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￥2.24
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