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型号：MC14051BDTR2G 编号：C274656

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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型号：UC3845BVD1R2G 编号：C146766

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：NCN8025AMNTXG 编号：C122672

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCN8025/NCN8025A是一款紧凑且成本效益高的单智能卡接口IC，适用于1.8V/3.0V/5.0V智能卡读写应用。

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型号：NCP3170ADR2G 编号：C145192

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3170是一款电流模式降压调节器，集成了高端PMOS开关和低端NMOS开关。它的输入电压范围为4.5 V至18 V，可提供高达3 A的负载电流。

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型号：FAN3227TMX 编号：C606088

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：Fusb302mpx 编号：C442699

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302 是一个可编程的 USB Type-C 控制器，支持 PD 协议，可以配置为主机、设备或双角色端口。

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型号：FAN53611AUC18X 编号：C464153

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53611是一种6MHz降压开关电压调节器,提供1A输出电流,输入电压范围为2.3V至5.5V。该调节器采用同步整流技术,具有92%的峰值效率,轻负载时效率仍保持在80%以上。它以6MHz的固定频率运行,支持外部频率同步和低纹波PFM模式。典型静态电流为24μA,关断模式下电源电流降至1μA以下。支持热关断和过载保护。

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型号：TL431CLPRPG 编号：C233672

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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型号：MC14053BDR2G 编号：C7286

封装：SOIC-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC14053B 是一种三重2通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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型号：MAX810LTRG 编号：C233651

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

是具有成本效益的系统监控电路，用于监控数字系统中的VCC，并在必要时向主处理器提供复位信号，无需外部组件。复位输出在VCC降至复位电压阈值以下10 μs内变为有效。复位在VCC升至复位阈值以上后的一段超时时间内保持有效。MAX810具有高电平有效的RESET输出，而MAX809具有低电平有效的RESET输出。两种器件均提供SOT-23和SC-70封装。优化设计可抑制VCC线路上的快速瞬态干扰。0.5 μA的低电源电流（VCC = 3.2V）使这些器件适用于电池供电的应用。

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型号：NCP303LSN27T1G 编号：C233707

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器设计，可延长电池寿命。每个系列都有一个带滞后功能的高精度欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，可防止系统复位操作不稳定。NCP302系列为互补输出器件，有高电平有效或低电平有效的复位；NCP303系列有一个漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：FAN3111ESX 编号：C719836

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 门极驱动器用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选项： FAN3111C 具有双 CMOS 输入，阈值参考 VDD，用于与该驱动器基于相同电源电压运行的 PWM 控制器和其他输入信号源。为了用于运行电源电压低于该驱动器的低压控制器和其他输入信号源，该电源电压也可用作 FAN3111E 的输入阈值参考。此驱动器具有一个非反相低压输入，和一个用于 2 至 5V 外部参考电压的直流输入 VXREF。FAN3111 采用无引线成品行业标准 5 引脚 SOT23 封装。

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型号：FAN3224TMX 编号：C457631

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：NCP5181DR2G 编号：C435715

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5181是一款高压功率MOSFET驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥（或任何其他高端 + 低端）配置排列的2个N沟道功率MOSFET。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器配有2个独立输入，适用于任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源钳位和全桥等）

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型号：MC14052BDR2G 编号：C7285

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14052B 是一种双4通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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￥1.4228
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型号：MC1496BDR2G 编号：C512980

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC1496B 适用于输出电压为输入电压（信号）和开关功能（载波）的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。

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￥2.4029
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型号：FSA806UMX 编号：C895419

封装：UMLP-12(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FSA806是一款3:1 USB配件开关，可以共享一个通用连接器端口来处理USB数据、立体声/单声道音频和UART数据。该架构设计允许音频信号低于地电平摆动，从而可以使用一个通用的USB和耳机插孔。

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￥2.676 ￥4.46
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￥2.418 ￥4.03
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型号：NCP360SNT1G 编号：C603707

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP360在检测到输入端错误VBUS工作条件时断开输出。系统可防止高达+20V的正向过电压。

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型号：FAN3111CSX 编号：C719780

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3111 1A 栅极驱动器设计用于驱动低端开关应用中的 N 沟道增强模式 MOSFET。提供两种输入选择：FAN3111C 包含双通道 CMOS 输入，其阙值以 V

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型号：MC33152DR2G 编号：C12160

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：NCP1015ST65T3G 编号：C603437

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCP1015采用单片结构，提供完整的电流模式控制解决方案（实际上是增强型NCP1200控制器部分），并集成了高压功率MOSFET。该组件集成了构建坚固且低成本、具备低待机功耗特性的开关模式电源（SMPS）所需的一切功能。- 无需辅助绕组：安森美半导体的超高压集成电路技术使您能够直接从高压直流母线为IC供电。我们称之为动态自供电（DSS）。这种解决方案简化了变压器设计，并确保开关模式电源在困难的输出条件下（如恒流操作）能更好地控制。不过，为提高待机性能，可将辅助绕组连接到VCC引脚以禁用DSS操作。- 短路保护：通过持续监测反馈线路的活动，IC能够检测到短路的存在，立即降低输出功率以实现整个系统的保护。一旦短路消失，控制器恢复并回到正常运行状态。- 低待机功耗：如果开关模式电源在标称负载下自然表现出良好的效率，那么当输出功率需求降低时，其效率会开始下降。通过跳过不必要的开关周期，NCP1015可大幅降低轻载条件下的功耗。辅助绕组可通过使DSS操作无效，进一步将待机功耗降至极低水平。典型测量结果显示，对于典型的7W通用电源，在230V交流电压下待机功耗低于80mW。- 运行时无噪音：NCP1015不会在高峰值电流时跳过周期，而是等待峰值电流需求降至最大限值的0.25以下。

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￥8.5
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￥7.82
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￥7.45
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￥7.03
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￥4.86
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￥4.77

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型号：LM2594DADJR2G 编号：C153777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM2594是一款单片集成电路,适用于设计高效降压型开关稳压器。它能够驱动0.5A负载,具有良好的线路和负载调节性能。该器件内部补偿,减少了外部组件数量,简化了电源设计。

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￥7.08
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型号：NB7NQ621MMUTWG 编号：C891915

封装：QFN-38-EP(4.2x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

NB7NQ621M是一款3.3 V双模式DisplayPort (DP++)四通道线性再驱动器，支持高达12 Gbps的HDMI 2.1固定速率链路 (FRL)、高达6 Gbps的TMDS以及DisplayPort v1。

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型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

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型号：LB1836M-TLM-E 编号：C71031

封装：LSOP-14-175mil

品牌：onsemi(安森美)

LB1836M是一款低饱和双通道双向电机驱动IC，适用于低电压应用。LB1836M是一款双极步进电机驱动IC，非常适合用于打印机、软盘驱动器（FDD）、相机和其他便携式设备。

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￥14.98
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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

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￥15.83
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￥9.31
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￥8.99

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型号：NCP1031MNTXG 编号：C603438

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1031是一款高集成度微型高压单片开关调节器,适用于48V电信和42V汽车应用。该系列器件可在任何单端拓扑中配置,如正激式或反激式。NCP1031适用于最大6W的应用。

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￥5.53
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型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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