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首页 > 热门关键词 > 南京微盟dcdc芯片
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ME6216系列是采用CMOS技术制造的高精度、低功耗正电压稳压器。该系列能够以极低的压差提供大电流,且与低ESR陶瓷电容兼容。
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  • 10+

    ¥0.361
  • 100+

    ¥0.2871
  • 300+

    ¥0.2501
  • 有货
  • 高度精确、低功耗的正电压调节器,采用CMOS技术制造,可提供大电流,压差电压显著小,与低ESR陶瓷电容器兼容,电流限制器的折返电路也作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3781
    • 100+

      ¥0.2989
    • 300+

      ¥0.2593
  • 有货
  • ME6216系列是采用CMOS技术制造的高精度、低功耗正电压稳压器。该系列能以极低的压差提供大电流。该系列与低ESR陶瓷电容兼容
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4265
    • 100+

      ¥0.346
    • 300+

      ¥0.3058
    • 3000+

      ¥0.2756
    • 6000+

      ¥0.2515
    • 9000+

      ¥0.2394
  • 订货
  • 高精度、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。与低ESR陶瓷电容器兼容。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4686
    • 100+

      ¥0.3726
    • 300+

      ¥0.3246
  • 有货
  • ME6233系列是高精度CMOS LDO稳压器,具有低功耗、高纹波抑制比和低压差特点。内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限制器和相位补偿器。电流限制器的折返电路可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5347
    • 50+

      ¥0.4171
    • 150+

      ¥0.3583
  • 有货
  • MEM2402将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以实现极低的RDS(ON)。这些器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.2861
    • 10+

      ¥1.0391
    • 30+

      ¥0.9333
  • 有货
  • N沟道,600V,2A,4.7Ω@10V
    • 1+

      ¥1.9513
    • 10+

      ¥1.5881
    • 50+

      ¥1.4324
  • 有货
  • 开关稳压器应用。高电压、高速。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.57
    • 50+

      ¥3.75
  • 有货
  • 是低 dropout 线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于 CMOS 工艺,允许高电压输入,静态电流低。具有从 3.0V 到 5.0V 的内部反馈电阻设置功能,输出精度为 ±2%。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.186
    • 100+

      ¥0.1817
    • 300+

      ¥0.1788
  • 有货
  • 是低 dropout 线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于 CMOS 工艺,允许高电压输入,静态电流低。具有从 3.0V 到 5.0V 的内部反馈电阻设置功能,输出精度为 ±2%。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1912
    • 100+

      ¥0.1869
    • 300+

      ¥0.184
  • 有货
  • 是低 dropout 线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于 CMOS 工艺,允许高电压输入,静态电流低。具有从 3.0V 到 5.0V 的内部反馈电阻设置功能,输出精度为 ±2%。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1944
    • 100+

      ¥0.1901
    • 300+

      ¥0.1872
  • 有货
  • 是低dropout线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于CMOS工艺,允许高电压输入和低静态电流。具有内部反馈电阻设置功能,输出电压范围为3.0V至5.0V,输出精度为±2%。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2827
    • 50+

      ¥0.2761
    • 150+

      ¥0.2717
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3268
    • 100+

      ¥0.2596
    • 300+

      ¥0.226
    • 3000+

      ¥0.2008
    • 6000+

      ¥0.1807
    • 9000+

      ¥0.1706
  • 有货
  • IC LDO 3.8V 2% SOT23-3 Microne
    数据手册
    • 10+

      ¥0.332
    • 100+

      ¥0.2591
    • 300+

      ¥0.2227
    • 3000+

      ¥0.1954
    • 6000+

      ¥0.1735
    • 9000+

      ¥0.1626
  • 订货
  • 三端正电压调节器,可提供高达100 mA的输出电流。调节器的内部限流和热关断特性使其基本不受过载影响。用作齐纳二极管-电阻组合的替代品时,可有效改善输出阻抗,并降低静态电流。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3845
    • 100+

      ¥0.3119
    • 300+

      ¥0.2757
    • 1000+

      ¥0.2485
    • 5000+

      ¥0.2267
    • 10000+

      ¥0.2158
  • 订货
  • 是高精度、低噪声的低压差线性稳压器 (LDO),能够提供超过 1A 的输出电流,在 1A 时的最大压降为 1.3V。该系列包含 0.75V、1.2V、1.8V、2.5V、3.3V、3.6V、4.3V 和 5.0V 八种固定输出电压,无需最小负载即可保持稳压。片上调校可将参考/输出电压调整到 ±2% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。该系列可在高达 18V 的输入电压下工作。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3985
    • 50+

      ¥0.3896
    • 150+

      ¥0.3836
    • 500+

      ¥0.3777
  • 订货
  • ME6201系列是低压差线性稳压器,内置电压基准模块、误差校正模块和相位补偿模块。ME6201系列基于CMOS工艺,允许高电压输入,且静态电流低。该系列具备3V至5V内部反馈电阻设置功能
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4053
    • 100+

      ¥0.316
    • 300+

      ¥0.2714
  • 有货
  • ME6207系列是一款基于CMOS技术开发的正电压稳压器,具有低压差、高输出电压精度和低电流消耗的特点。内置的低导通电阻晶体管可实现低压差和大输出电流,内置的过流保护器可防止负载电流超过输出晶体管的电流容量。ON/OFF电路可确保电池长寿命
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5664
    • 50+

      ¥0.45
    • 150+

      ¥0.3917
    • 500+

      ¥0.3481
    • 3000+

      ¥0.2799
    • 6000+

      ¥0.2624
  • 订货
  • 是低 dropout 线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于 CMOS 工艺,允许高电压输入,静态电流低。可提供 100mA 输出电流,允许高达 40V 的输入电压。具有内部反馈电阻设置功能,输出电压范围为 1.8V 至 12V,输出精度为 ±2%。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6356
    • 50+

      ¥0.5025
    • 150+

      ¥0.4359
    • 500+

      ¥0.3859
    • 3000+

      ¥0.346
    • 6000+

      ¥0.326
  • 订货
  • 特性:高精度:±2%。 输出电压范围:1.2V-5.0V。 低功耗:7.5μA(典型值)。 大输出电流:300mA(VIN = 3.8V,VOUT = 2.8V)。 输入电压:最高6V。 压差:100mA时为0.11V,200mA时为0.23V。应用:电池供电设备。 通信工具
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6531
    • 50+

      ¥0.5187
    • 150+

      ¥0.4515
  • 有货
  • ME6219系列是以CMOS工艺制造的高精度,低噪音,超快响应低压差线性稳压器。这系列的稳压器内置固定的参考电压源,误差修正电路,限流电路,相位补偿电路以及低内阻的MOSFET,达到高纹波抑制,低输出噪音,超快响应低压差的性能。ME6219兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容,而且不需使用0.1μF的By-pass电容,更能节省空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7185
    • 50+

      ¥0.5866
    • 150+

      ¥0.5206
    • 500+

      ¥0.4712
    • 3000+

      ¥0.4316
    • 6000+

      ¥0.4118
  • 订货
  • ME6215系列是采用CMOS和激光微调技术制造的高精度、低功耗、高电压正电压调节器。该系列能以极低的压降提供大电流。限流电路的折返电路还可作为输出限流和输出引脚的短路保护
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7916
    • 50+

      ¥0.6332
    • 150+

      ¥0.554
  • 有货
  • 专为恒压/恒流的SMPS应用而设计的高集成度解决方案。内含一个 1.21V±1% 的电压基准源、一个电流感应电路和两路运算放大器。其中的电压基准源与一路运算放大器使得产品非常适用于电源适配器和电池充电器。另外一路低压基准和运算放大器使得产品是针对输出电流感应的理想电流限流器。36V的输入输出高耐压使其在很多应用中无需降压齐纳管,有效节约了系统成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.1176
    • 10+

      ¥0.8829
    • 30+

      ¥0.7823
    • 100+

      ¥0.6568
  • 有货
  • ME8109集成了一个PWM控制器和耐压为600V或650V的高压功率MOSFET。当交流电源电压高于220Vac时,ME8109具有极低的待机功耗(< 100mW),适用于成本效益高、功率范围在18W左右的离线反激式转换器应用。ME8109提供全面的保护功能,并具备自动自恢复特性,包括逐周期电流限制(OCP)、CS短路保护、过载保护(OLP)和VDD欠压锁定(UVLO);还具备锁存特性,包括过温保护(OTP)、过压(固定或可调)保护(OVP)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥1.96
    • 50+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.44
  • 有货
  • 高性能电流模式PWM控制器,专为高性价比AC/DC转换器设计,在85-265V的宽电压范围内提供高达12W(ME8115B是18W)的连续输出功率,峰值输出功率更可达18W。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.888
    • 50+

      ¥1.3881
    • 150+

      ¥1.2203
  • 有货
  • 是高精度、低功耗的正电压调节器,采用CMOS技术制造,可提供大电流,压差显著小,与低ESR陶瓷电容器兼容,电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3118
    • 100+

      ¥0.2465
    • 300+

      ¥0.2138
    • 3000+

      ¥0.1893
    • 6000+

      ¥0.1697
    • 9000+

      ¥0.1599
  • 订货
  • 高准确度的CMOS LDO电压调节器,提供低功耗、高纹波抑制比和低压差,非常适合当今前沿的手机。内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、限流器和相位补偿器。限流器的折返电路还可作为输出限流器和输出引脚的短路保护。还与低ESR陶瓷电容器完全兼容,可降低成本并提高输出稳定性。即使在频繁的负载波动期间,也能保持高水平的输出稳定性,这得益于在很宽的频率范围内实现了出色的瞬态响应性能和高PSRR。CE功能允许关闭稳压器的输出,从而大大降低功耗。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.332
    • 100+

      ¥0.2605
    • 300+

      ¥0.2247
    • 3000+

      ¥0.1904
    • 6000+

      ¥0.1689
    • 9000+

      ¥0.1581
  • 订货
  • MEM2303M3G系列P沟道增强型场效应晶体管,采用高单元密度DMOS沟槽技术制造,该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低电压应用,并且在超小外形的表面贴装封装中实现低功耗。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3342
    • 100+

      ¥0.2655
    • 300+

      ¥0.2312
    • 3000+

      ¥0.199
    • 6000+

      ¥0.1784
    • 9000+

      ¥0.1681
  • 订货
    • 1+

      ¥0.623
    • 10+

      ¥0.6092
    • 30+

      ¥0.5999
    • 100+

      ¥0.5907
  • 订货
    • 5+

      ¥0.6377
    • 50+

      ¥0.5073
    • 150+

      ¥0.4421
    • 1000+

      ¥0.3932
    • 2000+

      ¥0.354
    • 5000+

      ¥0.3345
  • 订货
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