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首页 > 热门关键词 > 微源dcdc芯片
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具有过流保护功能的高端负载开关
型号：LPW5202FDB5F21 编号：C42460081
封装：SOT-23-5
品牌：LOWPOWER(微源半导体)
LPW5202 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个 70mΩ 的限流 P 沟道 MOSFET，可在 2.4V 至 6V 的输入电压范围内工作。电流限制可以是固定的，也可以使用外部电阻进行设置

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    2A 4 通道降压电源管理 IC
    型号：LP6304BQVF 编号：C517082
    封装：QFN-24-EP(4x4)
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LP6304B是一款四通道电源管理IC中的2A降压转换器，适用于由单节锂离子电池或5V直流适配器供电的应用。它集成了四个同步降压转换器，可在轻载和重载运行时提供高效输出。内部补偿架构简化了应用电路设计
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    3.3V 300mA 6.5V
    型号：LP3981-33B5F 编号：C517240
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    1.2V 300mA 5.5V
    型号：LP3984-12B5F 编号：C517241
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LP3984专为对性能和空间有严苛要求的便携式射频（RF）和无线应用而设计。LP3984针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。LP3984还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这对便携式无线设备至关重要
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    2.8V 200mA 24V
    型号：LP3993-28X3F 编号：C517164
    封装：SOT-89-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    3瓦单声道无滤波器音频功率放大器
    型号：LPA8003SSOF 编号：C517270
    封装：SOIC-8
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPA8003S是一款专为便携式通信设备应用（如手机应用）设计的音频功率放大器。在5.0V电源供电下，LPA8003S能够向4Ω BTL负载提供3W的连续平均功率，且总谐波失真加噪声（THD+N）小于10%。LPA8003S在提供高品质音频的同时，仅需少量外部元件，且功耗极低
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    5V 200mA 24V
    型号：LP3993-50X3F 编号：C517168
    封装：SOT-89-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    1.2A USB 电源负载开关
    型号：LPW5208B5F 编号：C517265
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPW5208 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。其内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
    型号：LPM2301B3F 编号：C387744
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM2301是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
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    2.5V 300mA 6.5V
    型号：LP3981-25B5F 编号：C2890365
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    300mA输出电流；工作电压2.5-5.5V；2.5V输出电压，精度±2%；关断电流小于0.1uA；PSRR：63dB@1KHz；内置过流保护、过温保护；
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    1.2V 300mA 6.5V
    型号：LP3981-12B5F 编号：C517236
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    3.33V 300mA 6V
    型号：LP3986-25B3F 编号：C387692
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    专为对性能和空间要求较高的便携式应用而设计。针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少了电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用3引脚SOT-23封装。
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    1.8V 300mA 6.5V
    型号：LP3981-18B5F 编号：C517237
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    • 10+

      ￥0.3434

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    3.3V 300mA 5.5V
    型号：LP3984-33B5F 编号：C517246
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LP3984专为对性能和空间有严苛要求的便携式射频（RF）和无线应用而设计。LP3984针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。LP3984还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这对便携式无线设备至关重要
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    • 10+

      ￥0.37

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    2.8V 300mA 6.5V
    型号：LP3981-28B5F 编号：C517238
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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    • 10+

      ￥0.3949

    • 100+

      ￥0.3132

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      ￥0.2724
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    300mA 5.5V
    型号：LP3981AB5F 编号：C2890366
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    300mA输出电流；工作电压2.5-5.5V；输出电压可调，精度±2%；关断电流小于0.1uA；PSRR：63dB@1KHz；内置过流保护、过温保护；

    • 5+

      ￥0.5041

    • 50+

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    5V 150mA 40V
    型号：LP3994-50X3F 编号：C42460073
    封装：SOT-89-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    是一款高性能低压差 (LDO) 电压调节器，具有宽输入电压范围和低静态电流（典型值 1.5 μA）。该器件适用于多种需要高达 150mA 负载电流稳压电源的应用。该器件采用先进的 CMOS 工艺和 PMOSFET 来实现快速启动、高输出电压精度和出色的瞬态响应性能。有标准固定输出电压 3.3V 和 5.0V。该器件使用 1.0 μF~10 μF 陶瓷输出电容时稳定，通过限流功能防止短路，通过热过载保护防止过热。提供 SOT23-3、SOT23-5、SOT89-3 封装。

    • 5+

      ￥0.6399

    • 50+

      ￥0.5031

    • 150+

      ￥0.4347
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：LPM3406B3F 编号：C517188
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM3406 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
    数据手册

    • 1+

      ￥0.2871

    • 10+

      ￥0.2295

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      ￥0.1618

    • 1000+

      ￥0.1532
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    1.5V 300mA 6V
    型号：LP3986-15B3F 编号：C387694
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2979

    • 100+

      ￥0.2355

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      ￥0.2043

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      ￥0.1809
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    集成升压转换器的8W F类音频放大器
    型号：LPA2164SPF 编号：C517137
    封装：ESOP-16
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPA2164 是一款集成升压转换器的 8W F 类音频放大器。它的总谐波失真加噪声（THD+N）较低，能够实现高质量的电源声音再现。全新的无滤波器架构使该器件可直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器，从而节省了系统成本和 PCB 面积
    数据手册

    • 1+

      ￥2.44

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    3V 600mA 6V
    型号：LP3987H-30B5F 编号：C517255
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于0.01μA，开启时间小于20μs。其他功能包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用SOT23-5 5引脚封装。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.27675

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      ￥0.2665

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      ￥0.25625

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      ￥0.2296
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    停产 3.6V 300mA 5.5V
    型号：LP3992-36B5F 编号：C387682
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50μs。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
    数据手册

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      ￥0.5738

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    双P沟道增强型功率MOSFET
    型号：LPM4953SOF 编号：C517129
    封装：SOIC-8
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM4953集成了两个P沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

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      ￥0.5737

    • 150+

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    1个P沟道 耐压:12V 电流:6.5A
    型号：LPM9021QVF 编号：C517263
    封装：DFN2x2-6L
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM9021是P沟道增强型MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
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    30V N沟道MOSFET
    型号：LPM9040AQVF 编号：C517132
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM9040A采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通状态电阻（Rps(on)）。这是一款通用型器件，适用于广泛的功率转换应用。
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    双通道40V N沟道MOSFET
    型号：LPM9042SOF 编号：C517133
    封装：SOIC-8
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM9042是一款双通道MOSFET，采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(on)。每个通道都具备所有特性。这是一款通用型器件，适用于各种电源转换应用
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    1.5V 300mA 5.5V
    型号：LP3985-15B3F 编号：C517180
    封装：SOT-23-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    专为对性能和空间有要求的便携式 RF 和无线应用而设计。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供 5 引脚的 SOT23-3 和 SOT89-3 封装。
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    3V 300mA 5.5V
    型号：LP3984-30B5F 编号：C517245
    封装：SOT-23-5
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LP3984专为对性能和空间有严苛要求的便携式射频（RF）和无线应用而设计。LP3984针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。LP3984还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这对便携式无线设备至关重要
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    3.3V 600mA 6.5V
    型号：LP3986H-33X3F 编号：C517172
    封装：SOT-89-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。在压差状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压差、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供3引脚的SOT-23和SOT-89封装。
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    3.3V 200mA 30V
    型号：LP3995-33X3F 编号：C517173
    封装：SOT-89-3
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    设计用于对性能和空间要求较高的便携式应用。针对高压系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长输入系统的使用寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。
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