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型号：LP6291B5F 编号：C517076

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP6291是一款单通道轨到轨运算放大器，其电源电压范围宽，为6V至18V。它的共模输入范围超出电源轨0.5V，且具备轨到轨输出摆幅能力。

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型号：LP3981-12B5F 编号：C517236

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LPM3406B3F 编号：C517188

封装：SOT-23

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPM3406 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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型号：LP3986-15B3F 编号：C387694

封装：SOT-23

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

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型号：LP3981-28B5F 编号：C517238

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LP3987H-30B5F 编号：C517255

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于0.01μA，开启时间小于20μs。其他功能包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用SOT23-5 5引脚封装。

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型号：LP3993-33X3F 编号：C517165

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LPA2164SPF 编号：C517137

封装：ESOP-16

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPA2164 是一款集成升压转换器的 8W F 类音频放大器。它的总谐波失真加噪声（THD+N）较低，能够实现高质量的电源声音再现。全新的无滤波器架构使该器件可直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器，从而节省了系统成本和 PCB 面积

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型号：LP3995A-33X3F 编号：C517175

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3995专为对性能和空间有严格要求的便携式应用而设计。LP3995针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命

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型号：LP3985-15B3F 编号：C517180

封装：SOT-23-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式 RF 和无线应用而设计。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供 5 引脚的 SOT23-3 和 SOT89-3 封装。

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型号：LP3992-36B5F 编号：C387682

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50μs。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LPM4953SOF 编号：C517129

封装：SOIC-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPM4953集成了两个P沟道增强型MOSFET晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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型号：LPM9021QVF 编号：C517263

封装：DFN2x2-6L

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPM9021是P沟道增强型MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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型号：LP3992-15B5F 编号：C387686

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。还可与低等效串联电阻（ESR）的陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开机时间小于 50μs。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用 5 引脚的 SOT23-5 和 TSOT23-5 封装。

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型号：LPM9040AQVF 编号：C517132

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPM9040A采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通状态电阻（Rps(on)）。这是一款通用型器件，适用于广泛的功率转换应用。

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型号：LPM9042SOF 编号：C517133

封装：SOIC-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPM9042是一款双通道MOSFET，采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(on)。每个通道都具备所有特性。这是一款通用型器件，适用于各种电源转换应用

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型号：LP3985-18B3F 编号：C517181

封装：SOT-23-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式 RF 和无线应用而设计。性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供 5 引脚的 SOT23-3 和 SOT89-3 封装。

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￥0.1889
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型号：LP3990A-28QVF 编号：C517156

封装：X2SON-4(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

适用于对性能和空间要求较高的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于1μA，快速开启时间小于50μs。其他特性包括超低压差、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用1mm×1mm X2SON封装。

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5+
￥0.2733
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型号：LP3995A-33B3F 编号：C517160

封装：SOT-23-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP3995专为对性能和空间有严格要求的便携式应用而设计。LP3995针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命

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￥0.4499
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型号：LP3981-30B5F 编号：C517239

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于 0.01μA，开启时间小于 50ps。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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10+
￥0.4795
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￥0.3835
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￥0.3355
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￥0.2995
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型号：LP3993-30B3F 编号：C517201

封装：SOT-23

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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100+
￥0.351
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￥0.338
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￥0.2912

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型号：LP1116-33G3F 编号：C517179

封装：SOT-223-4

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式应用。针对电池供电系统进行了优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。采用3引脚SOT-223封装。

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5+
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￥0.4029
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￥0.3105
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型号：LP3980-28QVF 编号：C517012

封装：DFN-4-EP(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式射频和无线应用。针对电池供电系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下功耗小于0.01μA，开启时间小于50μs。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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5+
￥0.5728
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￥0.4528
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￥0.3928
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￥0.3478
2500+
￥0.3118
5000+
￥0.2938

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型号：LP3993-28X3F 编号：C517164

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对高压系统进行了性能优化，可提供超低噪声和低静态电流。稳压器接地电流在降压时仅略有增加，进一步延长了输入系统的使用寿命。还可与低 ESR 陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特点包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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5+
￥0.5919
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￥0.4719
150+
￥0.4119

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型号：LP3980H-30B5F 编号：C517223

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式RF和无线应用。针对电池供电系统进行了优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于0.01μA，快速开启时间小于50μs。其他特性包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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5+
￥0.6183
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￥0.4983
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￥0.4383
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￥0.3933
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型号：LP3986H-33X3F 编号：C517172

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

专为对性能和空间有要求的便携式应用而设计，针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。在压差状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压差、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供3引脚的SOT-23和SOT-89封装。

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￥0.7102
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型号：LP3980H-28QVF 编号：C517232

封装：TDFN-4(1x1)

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间有要求的便携式RF和无线应用。针对电池供电系统进行了优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长了电池寿命。还可与低ESR陶瓷电容配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。在关断模式下的功耗小于0.01μA，快速开启时间小于50μs。其他特性包括超低降压电压、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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5+
￥0.7102
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￥0.4402
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型号：LP3995-50X3F 编号：C517174

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间要求较高的便携式应用。针对高压系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长输入系统的使用寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LP3995-33X3F 编号：C517173

封装：SOT-89-3

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

设计用于对性能和空间要求较高的便携式应用。针对高压系统进行了性能优化，可实现超低噪声和低静态电流。在降压状态下，稳压器接地电流仅略有增加，进一步延长输入系统的使用寿命。还可与低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容器配合使用，减少电源应用所需的电路板空间，这在手持无线设备中至关重要。其他特性包括超低压降、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。

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型号：LPA2154SPF 编号：C517122

封装：ESOP-16

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

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