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首页 > 热门关键词 > 芯朋微dcdc芯片
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  • 宽输出范围非隔离交直流转换芯片
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  • PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
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  • PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
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  • PN8034集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8034内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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  • PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。
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      ¥2
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  • PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
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  • PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8015内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。
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  • PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。
    数据手册
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  • AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。
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  • 超低待机功耗准谐振交直流转换芯片
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      ¥2.3
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  • PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN8147为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
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  • PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
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  • PN6780集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
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  • 宽输出范围非隔离交直流转换芯片
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  • AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善EMI特性。
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  • PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。
    数据手册
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      ¥2.44
  • 有货
  • PN8036集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。
    数据手册
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    • 50+

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  • PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗小于50mW(230VAC)。
    数据手册
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    • 30+

      ¥2.25
  • 有货
  • AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善EMI特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.24
    • 50+

      ¥1.73
    • 150+

      ¥1.51
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      ¥1.23
    • 2500+

      ¥1.11
    • 4000+

      ¥1.03
  • 有货
  • 内部集成MOS的24W超小高效率AC-DC芯片,超低待机功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.6
    • 50+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.82
  • 订货
  • PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。 PN8305处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.02
    • 50+

      ¥1.51
    • 150+

      ¥1.29
    • 500+

      ¥1.02
  • 订货
  • AP3128A是一款专门为白光LED驱动而设计的恒流DC/DC转换器。内部MOSFET能够同时支持10个白光LED背光和OLED电源的应用,且内部软启动功能可以减少浪涌电流。AP3128A采用电流模式,固定1.0MHz频率,通过外部电流检测电阻来调节LED电流。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8665
    • 50+

      ¥0.7081
    • 150+

      ¥0.6289
    • 500+

      ¥0.5695
    • 3000+

      ¥0.4989
    • 6000+

      ¥0.4752
  • 有货
  • AP3127B系列是一款固定振荡频率、恒流输出的升压型DC/DC转换器,适合于移动电话、PDA、数码相机等电子产品的背光驱动。输出电压可达23V ,3.2V输入电压可以驱动六个串联LED, 2.5V输入电压可以驱动两路并联LED(每路串联三个LED)。通过改变CE脚上PWM信号的占空比可以控制LED的亮度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6196
    • 50+

      ¥0.4631
    • 150+

      ¥0.3848
    • 500+

      ¥0.3261
  • 有货
  • PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1723
    • 50+

      ¥1.7036
    • 150+

      ¥1.5027
    • 500+

      ¥1.2521
  • 有货
  • AP2104B 是一个具备低噪声、恒定开关频率(400kHz)的电容式电压倍增器。输入 2.7 至 5.5V,产生恒定的 5V 输出电压,最大输出电流能达到 250mA。较少的外部器件(仅有一只自举电容和 VIN 以及 VOUT 上的 2 只旁路电容)使得 AP2104B 很适合应用于电池供电的小型设备。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.64
    • 50+

      ¥0.5152
    • 150+

      ¥0.4527
    • 500+

      ¥0.4059
  • 有货
  • PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.67
  • 有货
  • PN8306M包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306M集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。
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      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.47
    • 30+

      ¥3.08
  • 有货
  • 超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.22
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