芯朋微dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AP5054HTCER 编号：C2843820

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP5054H 是一款完整的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。其 SOT 封装和较少的外部元件数量，使 AP5054H 非常适合便携式应用。此外，AP5054H 专门设计为符合 USB 电源规格

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型号：AP2952S8RG 编号：C130332

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP2952是一款单片同步整流降压稳压器,集成了导通阻抗130mΩ的MOSFET,可在4.75V到18V的输入电压范围内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有良好的瞬态响应和单周期内的限流功能。输出电压可调范围为0.925V到15V,固定工作频率为450kHz,具有欠压保护功能。

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型号：AP2965SPER 编号：C414192

封装：SOIC-8-EP

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP2965是一款高效率带CC/CV功能的同步降压芯片,在6V～40V宽输入范围内可提供4.2A输出电流。特别适用于QC2.0/3.0、Type-C PD和苹果便携式设备的应用。输出电压和CC限流可分别通过FB、CSP和CSN编程得到。

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型号：AP8268ATCC-R1 编号：C1121905

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：AP8022FNEC-T1 编号：C414178

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：AP2008TCER-ADJ 编号：C130341

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器,需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时,AP2008工作在轻负载模式。高效率:高达92%。静态电流为100uA,内部NMOS管导通电阻为200mΩ,保证在整个输出负载范围内高效率。2A开关限流峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流,非常适合于MID和移动电源。输入电压范围3V～25V。内部工作频率是设定在1.0MHz。采用6引脚的扁平SOT-23封装。

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型号：AP2965ASPER 编号：C3039621

封装：SOP-8-PP

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：AP2962B 编号：C93735

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

42V 2A 恒压恒流可选

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型号：PN8313SEC-R1T 编号：C414181

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：PN8315SEC-R1 编号：C414183

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：PN7136SAC-R1 编号：C414193

封装：SOIC-28-300mil

品牌：chipown(芯朋微电子)

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型号：PN8370SSC-R1H 编号：C130362

封装：SOP-7

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。

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型号：PN8680PSEC-R1 编号：C2930956

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

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型号：PN8275SSC-R1P 编号：C840731

封装：SOP-7

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。

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型号：AP8012HSEC-R1 编号：C80501

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。

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型号：AP8022HNE-A1 编号：C2994667

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。

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型号：AP5056 编号：C81910

封装：SOP-8-EP

品牌：chipown(芯朋微电子)

常用锂电池充电芯片，功能同TP4056

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型号：PN8366SSC-R1M 编号：C130361

封装：SOP-7

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。

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￥1.1013
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型号：PN8386SEC-R1 编号：C361074

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。

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型号：AP8012HNEC-T1L 编号：C2887189

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善EMI特性。

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型号：PN6780NEC-T1 编号：C2921389

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN6780集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

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￥3.36
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￥2.64
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￥2.33
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型号：PN8370NEC-T1H 编号：C130363

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。

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￥2.22
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￥1.96
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型号：AP5054CES6 编号：C130349

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP5054C是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOT封装和极少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且AP5054C专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。

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￥0.4812
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￥0.3804
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￥0.2922
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￥0.2619
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￥0.2468

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型号：PN8305SPC-R1M 编号：C363442

封装：SOP-8-EP

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。 PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

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￥2.02
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￥1.51
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型号：AP3128AE3036ES6 编号：C130344

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP3128A是一款专门为白光LED驱动而设计的恒流DC/DC转换器。内部MOSFET能够同时支持10个白光LED背光和OLED电源的应用，且内部软启动功能可以减少浪涌电流。AP3128A采用电流模式，固定1.0MHz频率，通过外部电流检测电阻来调节LED电流。

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￥0.8665
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￥0.6289
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￥0.5695
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￥0.4989
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￥0.4752

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型号：AP3127B025MR 编号：C130343

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP3127B系列是一款固定振荡频率、恒流输出的升压型DC/DC转换器，适合于移动电话、PDA、数码相机等电子产品的背光驱动。输出电压可达23V ，3.2V输入电压可以驱动六个串联LED， 2.5V输入电压可以驱动两路并联LED（每路串联三个LED）。通过改变CE脚上PWM信号的占空比可以控制LED的亮度。

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￥0.4631
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￥0.3848
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￥0.3261

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型号：AP2104BTCER 编号：C130328

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP2104B 是一个具备低噪声、恒定开关频率（400kHz）的电容式电压倍增器。输入 2.7 至 5.5V，产生恒定的 5V 输出电压，最大输出电流能达到 250mA。较少的外部器件（仅有一只自举电容和 VIN 以及 VOUT 上的 2 只旁路电容）使得 AP2104B 很适合应用于电池供电的小型设备。

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￥0.60819 ￥0.6402
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￥0.489535 ￥0.5153
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￥0.430255 ￥0.4529
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￥0.385795 ￥0.4061
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￥0.35017 ￥0.3686
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￥0.332405 ￥0.3499

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型号：PN8307HSEC-R1 编号：C3024765

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。

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5+
￥2.1823
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￥1.7136
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￥1.5127
500+
￥1.2621

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型号：PN8348QNSC-T1 编号：C361071

封装：DIP-7

品牌：chipown(芯朋微电子)

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￥2.46
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￥1.95
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￥1.65

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型号：PN8306MSEC-R1 编号：C361075

封装：SOP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

PN8306M包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳位、防误开启等功能。

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