双向dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ9.0CA 编号：C524835

封装：SMAG

品牌：High Diode(海德)

特性：脉冲峰值功率（Pₚₚ）：400W。工作峰值反向电压（Vᵣwₘ）：5.0V-440V。玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.3429
100+
￥0.2757
300+
￥0.2421
1000+
￥0.2169
5000+
￥0.1746
10000+
￥0.1645

有货

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型号：CJSMBJ54CA 编号：C7499178

封装：SMBG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Pₚₚ 600W。 VRWM 10V-100V。玻璃钝化芯片

10+
￥0.361
100+
￥0.2851
300+
￥0.2472
3000+
￥0.2188

有货

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型号：SMF350CA 编号：C50326963

封装：SOD-123FL

品牌：YFW(佑风微)

轴向引线端子、大电流瞬态抑制器、卓越的夹紧能力、GPP芯片、双向、低边坡阻力、重复率（占空比）：0.01%、符合RoHS标准

10+
￥0.361
100+
￥0.2875
300+
￥0.2508

有货

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型号：SMAJ5.0CA 编号：C5161319

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.3661
100+
￥0.2893
300+
￥0.2509
1000+
￥0.2221
5000+
￥0.1894
10000+
￥0.1779

有货

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型号：SMAJ45CA 编号：C5161337

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
1000+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

有货

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型号：SMAJ12CA 编号：C5161324

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
1000+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

有货

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型号：74AHC1G66GV-TP 编号：C46472244

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

74AHC1G66 是一款模拟开关，其使能输入引脚（E）为高电平时，可将信号从引脚（Y 或 Z）传输至引脚（Z 或 Y）。当引脚 E 为低电平时，开关关闭。

10+
￥0.3698
100+
￥0.2906
300+
￥0.251
3000+
￥0.2213

有货

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型号：74LVC1G66GV-TP 编号：C46472245

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

74LVC1G66是一款高速CMOS器件。74LVC1G66有两个数据输入/输出引脚（A和B）以及一个高电平有效使能输入引脚（C）。74LVC1G66可处理模拟和数字信号

10+
￥0.3723
100+
￥0.2931
300+
￥0.2535

有货

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型号：SMAJ28CA 编号：C2683694

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 400W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.3734
100+
￥0.2966
300+
￥0.2582
1000+
￥0.2294
5000+
￥0.1812
10000+
￥0.1696

有货

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型号：SMAJ18CA 编号：C514088

封装：SMA

品牌：High Diode(海德)

特性：脉冲峰值功率（Pₚₚ）：400W。工作峰值反向电压（Vᵣwₘ）：5.0V-440V。玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.3798
100+
￥0.3117
300+
￥0.2776
1000+
￥0.252
5000+
￥0.1771
10000+
￥0.1669

有货

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型号：SMBJ30CA 编号：C340691

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。采用10/1000 μs波形时，具有600 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）为0.01%。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷电在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

数据手册

10+
￥0.3806
100+
￥0.3035
300+
￥0.265

有货

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型号：SMAJ5.0CA 编号：C5174731

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Pₚₚₘ 400W。 VRWM 5.0V-440V。玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.3991
100+
￥0.3251
300+
￥0.2882
1000+
￥0.2605

有货

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型号：SMA6J8.5CA 编号：C5161359

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 600W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
1000+
￥0.2504
5000+
￥0.2245
10000+
￥0.2115

有货

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型号：SMBJ33CA 编号：C699016

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。采用10/1000 μs波形时，具有600 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）为0.01%。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷电在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

数据手册

10+
￥0.4164
100+
￥0.3394
300+
￥0.3009
3000+
￥0.2513

有货

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型号：SMAJ100CA 编号：C1509553

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Pₚₚₘ 400W。 VRWM 5.0V-440V。玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.4173
100+
￥0.3329
300+
￥0.2906
1000+
￥0.2589

有货

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型号：SMAJ26CA 编号：C2961199

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Pₚₚₘ 400W。 VRWM 5.0V-440V。玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.4177
100+
￥0.3409
300+
￥0.3025
1000+
￥0.2737

有货

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型号：SMBJ33CA 编号：C1509125

封装：SMBG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Ppp 600W-VRWM 5.0V-440V-玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.4288
100+
￥0.3496
300+
￥0.31

有货

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型号：SMBJ12CA 编号：C2961201

封装：SMBG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Ppp 600W-VRWM 5.0V-440V-玻璃钝化芯片。应用：钳位电压

数据手册

10+
￥0.4363
100+
￥0.3593
300+
￥0.3208

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型号：SMBJ11CA 编号：C320225

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：玻璃钝化芯片。 600W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.43965 ￥0.4885
100+
￥0.35352 ￥0.3928
300+
￥0.31041 ￥0.3449
3000+
￥0.24975 ￥0.2775
6000+
￥0.22392 ￥0.2488
9000+
￥0.21105 ￥0.2345

有货

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型号：SMBJ6.0CA 编号：C211762

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。采用10/1000 μs波形时，具有600 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）为0.01%。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷电在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、电信传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

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