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首页 > 热门关键词 > 双向dcdc芯片
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TXS0108E 8 位双向电压电平转换器,适用于漏极开路和推挽应用
数据手册
  • 5+

    ¥1.5493
  • 50+

    ¥1.1846
  • 150+

    ¥1.0066
  • 500+

    ¥0.8479
  • 3000+

    ¥0.8042
  • 6000+

    ¥0.778
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1199
    • 500+

      ¥0.0936
    • 3000+

      ¥0.0783
    • 6000+

      ¥0.0696
    • 30000+

      ¥0.062
    • 45000+

      ¥0.0579
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.17336 ¥0.2167
    • 200+

      ¥0.13488 ¥0.1686
    • 600+

      ¥0.11568 ¥0.1446
    • 3000+

      ¥0.10944 ¥0.1368
    • 12000+

      ¥0.09792 ¥0.1224
    • 18000+

      ¥0.09216 ¥0.1152
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.177055 ¥0.2083
    • 200+

      ¥0.14263 ¥0.1678
    • 600+

      ¥0.123505 ¥0.1453
    • 2000+

      ¥0.093585 ¥0.1101
    • 8000+

      ¥0.08364 ¥0.0984
    • 16000+

      ¥0.078285 ¥0.0921
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1956
    • 200+

      ¥0.1551
    • 600+

      ¥0.1326
    • 2000+

      ¥0.1042
    • 8000+

      ¥0.0925
    • 16000+

      ¥0.0862
  • 有货
  • 特性:薄型封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 MSL 1 级,根据 J-STD-020,LF 最大峰值为 260℃。 可提供 AEC-Q101 认证-汽车订购代码:基础 P/N HE3 或 P/N HM3。 IEC-61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-2 标准的数据线路 ESD 保护。 符合 IEC 61000-4-4 标准的数据线路 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.197
    • 250+

      ¥0.1514
    • 750+

      ¥0.1238
    • 2250+

      ¥0.1086
    • 12750+

      ¥0.0954
    • 24750+

      ¥0.0883
  • 有货
  • SN74LVC1T45 具有可配置电压转换和三态输出的单位双电源总线收发器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5008
    • 50+

      ¥0.4055
    • 150+

      ¥0.3565
    • 500+

      ¥0.3161
    • 3000+

      ¥0.2694
    • 6000+

      ¥0.2599
  • 有货
  • PCA9306 2 位双向 400kHz I2C/SMBus 电压电平转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3515
    • 50+

      ¥1.0319
    • 150+

      ¥0.8759
    • 500+

      ¥0.7367
    • 3000+

      ¥0.6985
    • 6000+

      ¥0.6755
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1288 ¥0.161
    • 200+

      ¥0.10296 ¥0.1287
    • 600+

      ¥0.08864 ¥0.1108
    • 3000+

      ¥0.06656 ¥0.0832
    • 9000+

      ¥0.05912 ¥0.0739
    • 30000+

      ¥0.05512 ¥0.0689
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1553
    • 200+

      ¥0.1227
    • 600+

      ¥0.1047
    • 3000+

      ¥0.0861
    • 9000+

      ¥0.0767
    • 30000+

      ¥0.0716
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.163965 ¥0.1929
    • 200+

      ¥0.12954 ¥0.1524
    • 600+

      ¥0.110415 ¥0.1299
    • 2000+

      ¥0.09571 ¥0.1126
    • 8000+

      ¥0.085765 ¥0.1009
    • 16000+

      ¥0.08041 ¥0.0946
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1906
    • 200+

      ¥0.1501
    • 600+

      ¥0.1276
    • 2000+

      ¥0.1071
    • 8000+

      ¥0.0954
    • 16000+

      ¥0.0891
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.216
    • 250+

      ¥0.1653
    • 750+

      ¥0.1296
    • 2250+

      ¥0.1126
    • 12750+

      ¥0.098
    • 24750+

      ¥0.0901
  • 有货
  • 特性:600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000 μs,重复率(占空比):0.01%。 低轮廓表面贴装应用,以优化电路板空间。 出色的钳位能力。 低增量浪涌电阻。 从0V到VBR的快速响应时间,单向类型通常小于1 ps,双向类型为5 ns。 玻璃钝化芯片结。 无铅部件符合RoHS要求。 符合无卤要求
    数据手册
    • 10+

      ¥0.27558 ¥0.3062
    • 100+

      ¥0.22545 ¥0.2505
    • 300+

      ¥0.20043 ¥0.2227
    • 3000+

      ¥0.14823 ¥0.1647
    • 6000+

      ¥0.1332 ¥0.148
    • 12000+

      ¥0.12564 ¥0.1396
  • 有货
  • 特性:优秀的钳位能力。 低漏电流。 低电容。 高浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 环氧树脂封装。应用:手机。 便携式设备
    数据手册
    • 10+

      ¥0.328
    • 100+

      ¥0.2656
    • 300+

      ¥0.2344
    • 3000+

      ¥0.1794
    • 6000+

      ¥0.1607
    • 9000+

      ¥0.1513
  • 有货
  • SN74ALVC164245 具有三态输出的 16 位 2.5V 至 3.3V/3.3V 至 5V 电平转换收发器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥4.43
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.34
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.81
  • 有货
  • 芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应,并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物,具有低电容和极低的泄漏电流。因此,在正常工作模式下,该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容,它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明,信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护,设备在保护电路免受 ESD 影响的同时,能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件,这意味着每条浪涌路径仅需一个器件,即可提供全面的 ESD 保护,而无需考虑浪涌极性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1195
    • 500+

      ¥0.0935
    • 1500+

      ¥0.0791
    • 10000+

      ¥0.0705
    • 20000+

      ¥0.063
    • 50000+

      ¥0.0589
  • 有货
  • 芯片静电放电抑制器专为保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD) 威胁而设计。该产品能对瞬态电压做出几乎即时的反应,并在 ESD 瞬态期间将其有效钳位到低电压。该产品使用压敏聚合物,具有低电容和极低的泄漏电流。因此,在正常工作模式下,该器件对电路几乎无影响。由于其高关态阻抗和低电容,它对高速数字电路尤其透明。大量测试表明,信号不会失真或中断。使用静电放电抑制器进行 ESD 保护,设备在保护电路免受 ESD 影响的同时,能保持高速数据信号的完整性。这种材料的特性造就了双向器件,这意味着每条浪涌路径仅需一个器件,即可提供全面的 ESD 保护,而无需考虑浪涌极性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1359
    • 200+

      ¥0.1089
    • 600+

      ¥0.0939
    • 2000+

      ¥0.0849
    • 10000+

      ¥0.0699
    • 20000+

      ¥0.0657
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2013
    • 200+

      ¥0.1608
    • 600+

      ¥0.1383
    • 2000+

      ¥0.1071
    • 8000+

      ¥0.0954
    • 16000+

      ¥0.0891
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.208
    • 200+

      ¥0.1674
    • 600+

      ¥0.1448
    • 2000+

      ¥0.1075
    • 8000+

      ¥0.0958
    • 16000+

      ¥0.0895
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2217
    • 100+

      ¥0.1737
    • 300+

      ¥0.1497
    • 3000+

      ¥0.1317
    • 6000+

      ¥0.1173
    • 9000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2306
    • 200+

      ¥0.1826
    • 600+

      ¥0.1586
    • 3000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1201
    • 21000+

      ¥0.1128
  • 有货
  • TXB0108 具有自动方向感应和 +/-15kV ESD 保护的 8 位双向电压电平转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5427
    • 50+

      ¥1.1796
    • 150+

      ¥1.0024
    • 500+

      ¥0.8443
    • 2000+

      ¥0.8008
    • 4000+

      ¥0.7748
  • 有货
  • 74LVC1T45、74LVCH1T45 是单比特、双电源收发器,具有三态输出,可实现双向电平转换。它们有两个 1 比特输入输出端口(A 和 B)、一个方向控制输入(DIR)和双电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A) 和 VCC(B) 均可在 1.2 V 至 5.5 V 之间的任意电压下供电,使该器件适用于任何低压节点(1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V 和 5.0 V)之间的转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9799
    • 50+

      ¥1.6078
    • 150+

      ¥1.4483
    • 500+

      ¥1.2493
    • 3000+

      ¥1.1607
    • 6000+

      ¥1.1075
  • 有货
  • 八通道电平转换,双向传输,Data Rate:24Mbps,Vcca:1.65V-5.5V,Vccb:2.3V-5.5V Open-drain/Push-pull
    数据手册
    • 1+

      ¥4.65
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.01
    • 100+

      ¥2.45
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1036
    • 200+

      ¥0.0901
    • 600+

      ¥0.0826
    • 3000+

      ¥0.0781
    • 9000+

      ¥0.0742
    • 30000+

      ¥0.0721
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.12512 ¥0.1564
    • 200+

      ¥0.0992 ¥0.124
    • 600+

      ¥0.0848 ¥0.106
    • 3000+

      ¥0.06392 ¥0.0799
    • 9000+

      ¥0.0564 ¥0.0705
    • 30000+

      ¥0.05232 ¥0.0654
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1524
    • 200+

      ¥0.12
    • 600+

      ¥0.102
    • 3000+

      ¥0.0857
    • 9000+

      ¥0.0764
    • 30000+

      ¥0.0713
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1568
    • 200+

      ¥0.1244
    • 600+

      ¥0.1064
    • 3000+

      ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.0814
    • 30000+

      ¥0.0764
  • 有货
  • 采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1723
    • 100+

      ¥0.1399
    • 300+

      ¥0.1219
    • 3000+

      ¥0.0867
    • 6000+

      ¥0.0773
    • 9000+

      ¥0.0723
  • 有货
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