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封装：TDFN-10(3x3)

MAX22256/MAX22258是用于隔离式电源电路的集成初级侧控制器和H桥驱动器，其特点是具备精密片上振荡器、保护电路和内部MOSFET，可为变压器初级绕组提供高达650mARMS的电流。这些器件内置一个450kHz（典型值）的振荡器，也可由外部时钟驱动，以实现多个器件的同步并控制电磁干扰（EMI）。只要时钟周期恒定，内部触发器级就能保证固定的50%占空比，防止变压器中出现直流电流

单价：
￥49.41 / 个

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型号：MAX3250CAI+ 编号：C1544000

封装：SSOP-28-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

±50V隔离、3.0V至5.5V供电、250kbps、2Tx/2Rx、RS-232收发器

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1+
￥73.44
10+
￥70
30+
￥64.03
100+
￥58.83

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型号：ADUM3160WBRWZ-RL 编号：C660747

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

采用iCoupler技术的USB端口隔离器，将高速CMOS工艺与单片空芯变压器技术相结合，可提供优异的工作性能，并且很容易与低速和全速USB兼容外设集成。该结构既可以检测数据流向，也能够控制输出缓冲的状态。数据流向根据逐包处理确定。将基于边沿检测的iCoupler技术与内部逻辑结合使用，实现透明、易于配置、面对上游的端口隔离器

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1+
￥195
200+
￥75.47
500+
￥72.82
1000+
￥71.5

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型号：ADN4621BRSZ 编号：C7453530

封装：SSOP-20

品牌：ADI(亚德诺)

是双通道、信号隔离、低电压差分信号 (LVDS) 缓冲器，工作速率高达 2.5 Gbps，抖动极低。集成 iCoupler 技术，用于提供 LVDS 信号链的直接电流隔离。AC 耦合和/或从 LVDS 驱动器到 LVDS 接收器的电平转换允许隔离其他高速信号，如电流模式逻辑 (CML)。包括刷新机制，以监控输入和输出状态，并确保在没有数据转换时它们保持不变

单价：
￥146.993 / 个

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型号：HMC427ALP3E 编号：C1558611

封装：SMT-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控传输开关，采用无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz，提供高隔离度和低插入损耗。开关使用0/+5V正控电压，固定偏置为+5V，电流小于20μA。

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1+
￥370.93
30+
￥353

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型号：URF4805QB-200WHR3A6 编号：C19274542

封装：DIP,137x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

1+
￥420.49
32+
￥399.35

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型号：UWTH1D48QB-50WHR3S 编号：C19274548

封装：DIP-10

品牌：MORNSUN(金升阳)

适用于各种铁路应用，输出功率可达50W，输入电压范围为14-160VDC，兼容24V、48V、72V、96V和110V的标称输入类型，符合电压波动的EN50155标准。加强型高绝缘300VAC确保系统在5000m高海拔应用中仍可安全使用。允许的工作温度高达105°C，集成了多种保护功能，确保系统的安全性和高可靠性，具有远程控制和补偿、输出电压调节等功能，可完美匹配应用中的线路损耗和特殊电压要求。

1+
￥471.18
20+
￥447.5

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型号：URF1D54FB-400WR3 编号：C19274537

封装：DIP-11

品牌：MORNSUN(金升阳)

1+
￥679.94
32+
￥645.76

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型号：AHV85040GEJTD 编号：C28041666

封装：DFN-10(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一种成本优化的隔离栅极驱动芯片组，适用于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 器件。与推荐的外部变压器之一配合使用时，它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案，适用于多种应用和拓扑中的 GaN FET。芯片组通过外部变压器传输脉冲宽度调制 (PWM) 信号和栅极偏置电源，无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。这大大简化了系统设计，并通过降低总共模 (CM) 电容来减少电磁干扰 (EMI)

1+
￥7.32
10+
￥7.13
30+
￥7.01
100+
￥6.88

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型号：AHV85000GEJTD 编号：C28660910

封装：DFN-10(3x3)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

是一种成本优化的隔离栅极驱动芯片组，适用于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 器件。与推荐的外部变压器之一配合使用时，它提供了一种自供电的隔离栅极驱动解决方案，适用于多种应用和拓扑中的 GaN FET。芯片组通过外部变压器传输脉冲宽度调制 (PWM) 信号和栅极偏置电源，无需任何外部栅极驱动辅助偏置电源或高端自举电路。这大大简化了系统设计，并通过降低总共模 (CM) 电容来减少电磁干扰 (EMI)

1+
￥7.92
10+
￥7.72
30+
￥7.58
100+
￥7.45

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型号：SKY13522-644LF 编号：C150874

封装：QFN-8(1.1x1.1)

品牌：SKYWORKS

SKY13522-644LF是一种单刀双掷(SPDT)开关，用于蜂窝应用中的单端切换。采用先进的开关技术，SKY13522-644LF在所有切换路径上保持低插入损耗和高隔离度。

数据手册

1+
￥3.89
10+
￥3.17
30+
￥2.81
100+
￥2.21
500+
￥2
1000+
￥1.89

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型号：SI8261BAC-C-IS 编号：C17320898

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

1+
￥19.54
10+
￥16.83
30+
￥15.22
96+
￥13.59
480+
￥12.84
960+
￥12.5

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型号：SI8233AD-D-IS 编号：C17412842

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

1+
￥39.95
184+
￥15.94
506+
￥15.41
1012+
￥15.15

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型号：M3SWA-2-50DRA+ 编号：C7501178

封装：SMD

品牌：Mini-Circuits

M3SWA-2-50DRA+是一款高隔离快速切换吸收型SPDT开关，集成了CMOS驱动器，可在单正电源电压下工作，同时消耗50μA的典型电流。它设计用于宽带操作，封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中，通过250VESD(HBM)测试。

1+
￥29.994042
20+
￥28.774772
100+
￥28.04321
200+
￥27.311648
500+
￥26.82394

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型号：AP8268ATCC-R1 编号：C1121905

封装：SOT-23-6L

品牌：chipown(芯朋微电子)

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1+
￥1.6798
10+
￥1.327
30+
￥1.1758
100+
￥0.9872
500+
￥0.9032
1000+
￥0.8528

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型号：IL 711S-1ETR7 编号：C20297555

封装：MSOP-8

品牌：NVE

NVE的IL700系列高速数字隔离器是采用NVE获得专利*的自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能，且隔离层使用寿命几乎无限。IL711S和IL712S是高速双通道隔离器，两个通道的典型数据速率均为150 Mbps

1+
￥34.64
10+
￥29.8
30+
￥26.93
100+
￥24.02
500+
￥22.67
1000+
￥22.07

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型号：LTM2884IY#PBF 编号：C581080

封装：BGA-44(15x15)

品牌：ADI(亚德诺)

具隔离式电源的隔离型USB收发器

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1+
￥317.18
30+
￥302.49

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型号：DT-5019I-0.5m 编号：C49424902

封装：-

品牌：DTECH(帝特)

单价：
￥158 / 条

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型号：DT-5019I-1m 编号：C49424903

封装：-

品牌：DTECH(帝特)

单价：
￥168 / 条

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型号：VPS8702 编号：C2846905

封装：SOT-23-6

品牌：VPSC(源特科技)

VPS8702/S 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 3-6V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 3W 的隔离电源。 VPS8702/S 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。

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1+
￥3.01
10+
￥2.41
30+
￥2.15
100+
￥1.82
500+
￥1.57
1000+
￥1.48

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型号：2EDF7275K 编号：C533062

封装：LGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥6.88
10+
￥6.72
30+
￥6.62
100+
￥6.51

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型号：2EDF7275K 编号：C2975252

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动器IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。针对温度和生产分散性进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A适用于低阻功率MOSFET，1 A/2 A适用于较高Ron的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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1+
￥9.46
10+
￥7.78
30+
￥6.86
100+
￥5.81
500+
￥5.35
1000+
￥5.14

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型号：1EDN8550BXTSA1 编号：C19634083

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列的一部分。TDI 系列具有全差分输入电路。真正的差分输入 (TDI) 提供出色的共模抗扰度 (CMR)，并消除误触发风险。小封装尺寸可在低端和高端驱动中实现灵活布局。EiceDRIVER 1EDNx550 是一系列高端和低端非隔离式栅极驱动器，其应用范围涵盖通常为隔离式和电平转换驱动器预留的领域，从而带来显著的成本优势。这得益于独特的真正差分输入 (TDI) 级概念。即使输入差分对上存在共模电压，TDI 输入级也能控制驱动器。接地参考 (GND) 和驱动器输入 (IN+、IN-) 之间的共模电压最高可达 ±200 V DC 和 ±400 V AC 峰值。EiceDRIVER 1EDNx550 适用于驱动器和系统接地之间存在不必要电压偏移的任何应用，以及在允许的静态共模范围（最大 ±200 V）内的高端驱动。利用 TDI 的共模电压处理能力，也可以轻松操作需要双极性驱动电压的开关。

1+
￥3.38
10+
￥3.3
30+
￥3.25
100+
￥3.2

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型号：FSA832L10X 编号：C512962

封装：MicroPak-10

品牌：onsemi(安森美)

FSA832 是一款充电器检测集成电路，带集成隔离开关，适用于 micro/mini USB 端口。FSA832 检测 USB 电池充电器，符合 USB 电池充电规范 Rev 1.2 (BC1.2)。FSA832 还检测专属充电器，将 USB 数据线拉高 (2.7 V / 2.0 V)，浮动数据线和 PS/2 端口。该器件确定是否通过专用充电端口 (DCP) 或充电下游端口 (CDP) 联接了充电器，或者是否联接了常见的 PC 主机、标准下游端口 (SDP)。FSA832 遵守 BC1.2 规范中无电电池条款 (DBP) 的所有约束，包括 BC1.2 规定的 30 分钟计时器不能超过 45 分钟。

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50+
￥11.495343
200+
￥9.645869
500+
￥8.010977
1000+
￥6.743934

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型号：VPS8701 编号：C2846904

封装：SOT-23-6

品牌：VPSC(源特科技)

VPS8701 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率 1~2W 的隔离电源。 VPS8701 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。

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