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封装：ULGA-14

专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计，在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为 1.9×1.5 mm²，最大厚度为 0.6 mm。

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型号：B2424LS-1WR2 编号：C22749806

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：YLPTEC(易川)

应用范围：B_LS-1WR2 系列-----是小体积，高效率的微小功率，定电压范围输入，隔离非稳压单路输出 DC/DC 模块电源；该系列产品是专门针对板上电源系统中需要产生一组与输入电源隔离的电压的应用场合而设计的。该产品适用于： 1）输入电源的电压比较稳定（电压变化范围±10%Vin）； 2）输入输出之间要求隔离（隔离电压≤1500VDC）； 3）对输出电压稳定度要求不高； 4）典型应用：纯数字电路场合，一般低频模拟电路场合，继电器驱动电路，数据交换电路场合等;

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型号：IF0515S-1WR3 编号：C22751335

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：YLPTEC(易川)

IF_S-1WR3系列-----是小体积，高效率的微小功率，定电压输入,隔离稳压单路输出，DC/DC模块电源；该系列产品是专门针对板上电源系统中需要产生一组与输入电源隔离的电压的应用场合而设计的。输入电源的电压比较稳定（电压变化范围±5%Vin）；●输入输出之间要求隔离（隔离电压≤3000VDC）；●对输出电压稳定度和输出纹波噪声要求高；●典型应用：纯数字电路场合，一般低频模拟电路场合，继电器驱动电路，数据交换电路场合等

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型号：H2424S-2W 编号：C22751305

封装：SIP,19.5x9.8mm

品牌：YLPTEC(易川)

国际标准引脚低静态电流和高转换效率低纹波系数和低噪音内置软启动技术输出短路保护，自恢复隔离电压6000VDC可根据客户需求设计特殊规格产品●

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型号：BD7F100EFJ-LBE2 编号：C2071483

封装：SOP-8-EP

品牌：ROHM(罗姆)

BD7F100 是无光耦合器的隔离反激式转换器。传统应用中，为获得由变压器隔离的稳定输出电压所需的光耦合器或第三绕组反馈电路不再需要，因此，部件数量大幅减少，从而产生了小型且高可靠性的应用隔离式电源。此外，通过使用原始适配型导通时间控制技术，无需外部相位补偿部件，因此可以轻松实现高效的隔离式电源应用。

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型号：QPC6324SR 编号：C22398931

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：Qorvo

是一款绝缘体上硅 (SOI) 单刀双掷 (SPDT) 开关，设计用于 4G/5G 无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它具有高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。该设计为非反射式，使得 RFX 端口在关断状态下终端电阻为 50Ω。与 +1.8V 逻辑兼容。采用符合 RoHS 标准的紧凑型 QFN 4×4mm 表面贴装无引脚封装。

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型号：1ED3240MC12HXUMA1 编号：C17229782

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

该系列是一组采用DSO-8 300 mil封装的单通道驱动IC。驱动IC可提供高达18 A的典型峰值输出电流。该系列实现了两级压摆率控制（2L-SRC），此功能允许控制两个独立的栅极电阻，从而优化EMI和开关损耗。该系列包括标准输出配置和具有相同电流额定值的有源米勒钳位输出配置，以防止寄生导通

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型号：1EDI3023ASXUMA1 编号：C17605394

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压IGBT驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动器设计。该器件基于英飞凌的无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V IGBT技术。该器件具有最小12 A峰值电流的高输出级

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型号：1EDI3021ASXUMA1 编号：C17492860

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 1EDI3021AS 是一款高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供电气隔离。该器件旨在支持 400 V、600 V 和 1200 V 的 IGBT 技术

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型号：1EDI3020ASXUMA1 编号：C17228976

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动器设计。基于无芯变压器 (CT) 技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。支持 400 V、600 V 和 1200 V IGBT 技术。

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型号：1ED3431MU12MXUMA1 编号：C17536183

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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型号：1EDI3033ASXUMA1 编号：C17369366

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3033AS是一款高压碳化硅（SiC）-MOSFET驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压区域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术

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型号：BD7F100HFN-LBTR 编号：C2071622

封装：SOP-8-EP

品牌：ROHM(罗姆)

BD7F100 是无光耦合器的隔离反激式转换器。传统应用中，为获得由变压器隔离的稳定输出电压所需的光耦合器或第三绕组反馈电路不再需要，因此，部件数量大幅减少，从而产生了小型且高可靠性的应用隔离式电源。此外，通过使用原始适配型导通时间控制技术，无需外部相位补偿部件，因此可以轻松实现高效的隔离式电源应用。

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型号：HT0440K6-G 编号：C625064

封装：TDFN-10-EP(3x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

一款采用专有 HVCMOS 技术的双路高压隔离式 MOSFET 驱动器。它旨在驱动配置为双向或单向开关的分立 MOSFET。它能够驱动用作高端开关的 N 沟道 MOSFET，最高耐压可达 400V

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型号：1ED3860MC12MXUMA1 编号：C17558509

封装：SOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

由采用小型 PG-DSO-16 封装的单通道栅极驱动 IC 组成，爬电距离和电气间隙达 8mm。栅极驱动 IC 提供 3A、6A 和 9A 的典型峰值输出电流。包含可调控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计。所有参数调整均通过 I2C 接口（引脚 SDA 和 SCL）从输入侧完成。所有逻辑 I/O 引脚与 3.3V 或 5V CMOS 兼容，可直接连接微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电隔离的数据传输。

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型号：ADG936BCPZ 编号：C657705

封装：LFCSP-20(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

ADG936/ADG936-R是宽带模拟开关，包含两个独立可选的SPDT开关，采用CMOS工艺提供高隔离度和低插入损耗。这些器件适用于无线通信和通用高频切换。

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型号：CPC1596GS 编号：C5291403

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

CPC1596 是一款光隔离、负载偏置的栅极驱动器，无需额外的电源来偏置外部 MOSFET 栅极；在关断状态下，它可将从负载（最高 570V）汲取的电压调节至 12.2V 以供内部使用。它专为低占空比开关应用而设计，例如使用单个 MOSFET 的光隔离直流继电器或使用两个 MOSFET 的交流继电器。当向器件的 LED 施加输入控制电流时，CPC1596 通过将存储在外部电容器中的电荷提供给 MOSFET 栅极，实现 MOSFET 的快速导通

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型号：SI8234BC-D-IS1 编号：C17563172

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

将两个独立的隔离驱动器集成到一个封装中，有高侧/低侧驱动和双驱动版本，有0.5A和4.0A峰值输出电流版本。所有驱动器的最大电源电压为24V。采用专有硅隔离技术，每UL1577标准提供高达5kVRMS的耐受电压和快速45ns传播时间。驱动器输出可接地到相同或不同的地，或连接到正电压或负电压。具有>400mV迟滞的TTL电平兼容输入，有单独控制输入或PWM输入配置。高集成度、低传播延迟、小安装尺寸、灵活性和成本效益使其适用于广泛的隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用。某些型号有汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用特定于汽车的流程，以确保汽车应用所需的稳健性和低缺陷率。

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型号：NCV57252DWR2G 编号：C2902153

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCx5725y 是大电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，输入与每个输出之间具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件可接受 3.3V

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型号：VRB4805LD-15WR3 编号：C507749

封装：DIP,50.8x25.4mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：宽2:1输入电压范围。高效率高达90%。空载功耗低至0.12W。 I/O隔离测试电压1.5kV DC。输入欠压保护、输出短路、过流、过压保护。工作环境温度范围：-40°C至+85°C。应用：数据传输设备。电池电源

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型号：URF4848QB-75WR3A5 编号：C19274545

封装：-

品牌：MORNSUN(金升阳)

隔离式75W DC-DC转换器，具有超宽输入电压和稳压单输出。

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型号：URF4848QB-75WR3A6 编号：C19274546

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品牌：MORNSUN(金升阳)

隔离式75W DC-DC转换器，具有超宽输入电压和稳压单输出。

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型号：URF2448QB-100WHR3A5 编号：C19274541

封装：-

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽4:1输入电压范围。高效率达90%。I/O隔离测试电压：2.25kV DC。输入欠压保护、输出短路、过流、过压、过温保护。工作环境温度范围：-40℃至+85℃。五面金属屏蔽封装。应用：电池供电系统。工业控制

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型号：URF4815QB-100WHR3A5 编号：C19274543

封装：DIP,135x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽4:1输入电压范围。高效率达94%。 I/O隔离测试电压：2250VDC。工作环境温度范围：-40℃至+85℃。输入欠压保护、输出过压、过流、短路、过温保护。五面金属屏蔽封装。应用：电池供电系统。工业控制

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型号：URF1D15QB-100WR3A6 编号：C19274534

封装：插件,135x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高效率达90%。低空载功耗。加强绝缘，输入-输出隔离测试电压：3KVAC，输入-外壳隔离测试电压：2.1KVAC。工作环境温度范围：-40℃ 至 +105℃。输入欠压保护，输出短路、过流、过压、过温保护。应用：铁路系统及相关设备

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型号：URF1D15QB-100WR3A5 编号：C19274533

封装：插件,135x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高效率达90%。低空载功耗。加强绝缘，输入-输出隔离测试电压：3KVAC，输入-外壳隔离测试电压：2.1KVAC。工作环境温度范围：-40℃ 至 +105℃。输入欠压保护，输出短路、过流、过压、过温保护。应用：铁路系统及相关设备

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型号：URF1D24QB-100WHR3A6 编号：C19274535

封装：插件,135x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高效率达90%。低空载功耗。加强绝缘，输入-输出隔离测试电压：3KVAC，输入-外壳隔离测试电压：2.1KVAC。工作环境温度范围：-40℃ 至 +105℃。输入欠压保护，输出短路、过流、过压、过温保护。应用：铁路系统及相关设备

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型号：URF1D48QB-100WHR3A6 编号：C19274536

封装：插件,135x70mm

品牌：MORNSUN(金升阳)

特性：超宽输入电压范围：43-160VDC。高效率达90%。低空载功耗。加强绝缘，输入-输出隔离测试电压：3KVAC，输入-外壳隔离测试电压：2.1KVAC。工作环境温度范围：-40℃ 至 +105℃。输入欠压保护，输出短路、过流、过压、过温保护。应用：铁路系统及相关设备

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型号：FM2541S 编号：C2931987

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

FM25XX 是一款低功耗原边反馈（PSR）开关电源芯片，其内部集成了大功率 MOSFET 管，适用于隔离型的高效低功耗便携式设备充电器应用。采用独特具有恒流恒压功能的原边反馈控制技术，以及独特的 PFM+PWM 技术降低轻载下芯片自身功耗实现高效应用。具有输出线损补偿技术，在大电流下保证足够的输出功率。

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型号：FM9920D 编号：C2931999

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

FM9920D 是一款高性能的副边同步整流芯片，集成低导通阻抗的MOS。适用于隔离型的同步整流应用，尤其适用于充电器中对高效率的需求场合。FM9920D 应用在输出为5V 的反激控制的开关电源系统中，以替代次级肖特基。

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