dcdc隔离芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SIP,19.5x6mm

E_ S-1W系列产品是专门应用在分布式电源系统中需要产生两路与输入电源隔离的电源的应用场合而设计。该产品适用于:1)输入电源电压的变化范围在士10%以2)输入输出之间要求隔离(隔离电压3000VDC)3)对输出电压稳定度和输出纹波噪声要求不高的场合。

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￥13.719 ￥16.14
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￥11.543 ￥13.58
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￥8.1515 ￥9.59
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￥7.8795 ￥9.27

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型号：1ED3127MU12FXUMA1 编号：C17649548

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

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￥14.06
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￥11.95
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￥10.63
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￥9.28

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型号：TD341SCAN 编号：C5361367

封装：DFN-20(10x13)

品牌：MORNSUN(金升阳)

超小型、超薄、芯片级DFN封装，符合ISO11898-2标准，集成了3.3V高效电源，高隔离电压达5000VDC (TD341SCAN为3000VDC)，总线引脚ESD保护高达15kV(HBM)，波特率可达1Mbps，支持最大110个节点，工业工作环境温度范围：-40℃至+105℃，符合AEC-Q100标准。

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￥16.01
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￥15.21
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￥14.73

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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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￥18.2
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￥15.46
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￥13.82
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￥12.17

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型号：NCD57001FDWR2G 编号：C899925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCD57001F是NCD57001的一个变体，其软关断时间缩短，适合驱动大型IGBT或功率模块。NCD57001F是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断

数据手册

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￥20.0836 ￥34.04
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￥14.3668 ￥29.32
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￥10.3389 ￥26.51
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￥9.2313 ￥23.67
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￥8.7204 ￥22.36
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￥8.4903 ￥21.77

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型号：1EDI3031ASXUMA1 编号：C17668389

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3031AS是一款高压SiC-MOSFET驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。它支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术

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￥22.32
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￥21.79
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￥21.43

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型号：ADG904BCPZ 编号：C516844

封装：LFCSP-20(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

ADG904是一款宽带模拟4:1多路复用器，使用CMOS工艺提供高达1 GHz的高隔离度和低插入损耗。ADG904是吸收式/匹配多路复用器，带有50Ω端接分流腿；ADG904-R是反射式多路复用器。

数据手册

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￥32.9
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￥28.59
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￥24.1

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型号：URB2448YMD-30WR3 编号：C22391386

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2448YMD-30WR3 DC/DC宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc的高隔离耐压和30W的输出功率。

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￥93.51
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￥89.09
30+
￥81.43

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型号：CSWA2-63DR+ 编号：C7501186

封装：SMD

品牌：Mini-Circuits

CSWA2-63DR+是一款50Ω高隔离度吸收型SPDT射频开关，适用于无线通信应用，覆盖500至6000MHz的宽带频率范围，具有低插入损耗。该开关在非吸收模式下也可使用，工作电压范围为+3V至+5V。内部包含CMOS驱动器，采用低剖面密封小型封装，尺寸为4mmx4mmx1.2mm。预期MTBF为373年，可在振动、加速度、机械冲击和HTOL条件下进行测试。

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￥138.79
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￥132.54
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￥121.7

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型号：MT7842 编号：C216676

封装：SOP-7

品牌：MAXIC(美芯晟)

非隔离高功率因数降压型 LED 驱动芯片

数据手册

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￥0.43419 ￥1.4473
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￥0.22898 ￥1.1449
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￥0.10153 ￥1.0153
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￥0.08536 ￥0.8536

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型号：VPS2703 编号：C7470585

封装：SOT-23-5

品牌：VPSC(源特科技)

整流桥@@内含6V/0.3A 功率管的桥式整流芯片

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￥1.8693
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￥1.4762
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￥1.3077
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￥1.0975
3000+
￥0.9649

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型号：SS6215 编号：C52195063

封装：SMP-7

品牌：orisilicon(矽源)

内置1500V/2A的PSR隔离AC-DC控制器芯片

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￥11.9985 ￥12.63
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￥9.063 ￥9.54
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￥7.9135 ￥8.33
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￥7.391 ￥7.78
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￥7.163 ￥7.54

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型号：2EDB9259YXUMA1 编号：C17432716

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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￥15.88
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￥13.36
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￥10.17

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型号：MP3212DQ-LF-Z 编号：C5675965

封装：QFN-10(3x3)

品牌：MPS(芯源)

DCDC升压，电源输入3V~7V，输出24V以上方案，MP3212是一款高效率、固定频率的电流模式升压转换器,具有输入断开功能、浪涌电流限制、内部软启动和补偿。它支持2.3V至5.5V的输入电压范围,最大输出电压可达28V,典型输出电流为100mA。内置功率MOSFET和输入断开开关,提供完整的输入到输出隔离。在轻载条件下自动进入脉冲频率调制模式,以提高效率。包括欠压锁定、电流限制、过压保护和热关断功能。

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￥17.7187
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￥14.1093
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￥13.7634
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￥10.896
3000+
￥10.437

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型号：SI8261BCD-C-ISR 编号：C2836039

封装：SDIP-6

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用的光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替代升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了芯科实验室（Silicon Laboratories）专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准，可承受高达 5.0 kV_RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准，具备 10 kV 的浪涌保护能力

数据手册

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￥22.66
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￥19.39
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￥17.45
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￥15.49
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￥14.58
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￥14.18

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型号：RD6-24S12W 编号：C19078068

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

RD6-24S12W DC/DC输入范围（18Vdc ~ 36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出1500Vdc的高隔离耐压和6W的输出功率。主要应用于通讯和仪器仪表等领域。

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￥25.45
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￥24.3
30+
￥23.59
80+
￥23

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型号：HMC349ALP4CE 编号：C207982

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC349ALP4CE是一款高隔离度非反射DC至4GHzGaAsMESFETSPDT开关，采用低成本无引脚表面贴装封装。该开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用，提供60到65dB的隔离度，0.9dB的插入损耗和+53dBm的输入IP3。其功率处理能力在3.5GHzWLL频段内表现优秀，压缩点为+31dBm。片上电路允许单个正电压控制（0/+5V）在非常低的直流电流下工作。启用输入（EN）设置为逻辑高电平时，开关将处于“全部关闭”状态。

数据手册

1+
￥26.22
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￥22.59
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￥20.43

有货

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型号：TPSI3052SQDWZRQ1 编号：C20346003

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

1+
￥47.89
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￥41.19
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￥37.11

有货

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型号：HMC194AMS8E 编号：C209369

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

SPDT高隔离开关SMT，DC-3GHz

数据手册

1+
￥54.19
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￥47.75
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￥37.94

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型号：URB2424YMD-30WR3 编号：C22391385

封装：插件,25.4x25.4mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

URB2424YMD-30WR3 DC/DC宽输入范围（9Vdc~36Vdc）工业级电源模块。具有体积小和短路保护等功能，提供输入与输出500Vdc的高隔离耐压和30W的输出功率。

1+
￥79.44
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￥78.34
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￥76.42

有货

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型号：ADUM4166BRIZ-RL 编号：C5581725

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

用于隔离式USB2.0高速（下行时钟输入）的5.7kVrms数字隔离器

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￥100.53
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￥95.68
30+
￥87.27

有货

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型号：ADUM4165BRIZ-RL 编号：C5361362

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

用于隔离式USB2.0高速（上游时钟输入）的5.7kVrms数字隔离器

1+
￥138.03
30+
￥131.61

有货

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型号：SiLM5345TCR-DG 编号：C7421038

封装：SOP6W-T

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM534xT 隔离式驱动器系列是一种光兼容、单通道、隔离式 MOSFET、IGBT 栅极驱动器，具有不同的驱动电流能力和欠压锁定（UVLO）电压电平。峰值输出电流范围为 1.0A 至 4.0A。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性和特点显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计上保持引脚对引脚兼容

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￥3.29
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￥2.64
30+
￥2.32
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￥2
500+
￥1.85

有货

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型号：SS8202E 编号：C49188042

封装：EASOP-7

品牌：orisilicon(矽源)

散热片，内置900V/0.5A高雪崩功率MOS，降压型非隔离AC-DC控制器芯片

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￥4.0945 ￥4.31
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￥3.3155 ￥3.49
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￥2.9165 ￥3.07
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￥2.5365 ￥2.67
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￥2.299 ￥2.42
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￥2.185 ￥2.3

有货

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型号：H3-MACP-010250 编号：C25503621

封装：SMD-5P,5.4x4.2mm

品牌：HenryTech(恒利泰)

适用于CATV宽带应用的表面贴装9dB耦合器，符合RoHS标准，无铅，提供卷带包装。

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￥11.36
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￥9.62
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￥8.52

有货

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型号：2EDB8259YXUMA1 编号：C17294632

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

1+
￥16.28
10+
￥13.7
30+
￥12.08

有货

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型号：QPC6044TR13 编号：C2760025

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Qorvo

QPC6044是一款绝缘体上硅片 (SOI) 单刀四掷 (SP4T) 开关，专为蜂窝、3G、LTE和其他高性能通信系统设计。它具有高隔离度、对称掷端口、出色的线性度和功率处理能力。

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￥17.2
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￥14.61
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￥12.99
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￥11.33

有货

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型号：2EDR8259HXUMA1 编号：C17531538

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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￥18.52
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￥15.8
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￥14.1

有货

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型号：2EDB7259YXUMA1 编号：C17625126

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥19.07
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￥16.27
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￥14.52

有货

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型号：2EDB8259FXUMA1 编号：C17317654

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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￥20.28
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