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Kintex -7 FPGAs 有 -3、-2、-1、-1L 和 -2L 速度等级，-3 性能最高。2L 器件筛选出较低的最大静态功率，与 -2 器件相比，可在较低的核心电压下运行，以降低动态功率。2I 工业温度器件仅在 VCCINT = 0.95V 下运行，-2LE 扩展温度器件可在 VCCINT = 0.9V 或 1.0V 下运行。2LE 器件在 VCCINT = 1.0V 运行时，以及 -2LI 器件在 VCCINT = 0.95V 运行时，除特别说明外，具有与 -2 速度等级相同的速度规格

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型号：UC3842B 编号：C347459

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

3842/43/44/45是固定频率电流模式PWM控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计，所需外部元件极少。内部集成的电路包括用于精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器，以及非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出

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型号：XC7Z020-1CLG484I 编号：C89055

封装：BGA-484

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Zynq -7000全可编程片上系统（SoC）有-3、-2、-1和-1LI速度等级，其中-3具有最高性能。1LI器件可以在两种可编程逻辑（PL）VCCINT/VCCBRAM电压（0.95V和1.0V）下运行，并经过筛选以降低最大静态功耗。1LI器件的速度规格与-1速度等级相同。当在PL VCCINT/VCCBRAM = 0.95V下运行时，-1LI的静态和动态功耗会降低

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型号：EG1163S 编号：C480648

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。

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型号：XC7K325T-2FFG676I 编号：C190346

封装：FFG-676

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Kintex -7 FPGAs有-3、-2、-1、-1L和-2L速度等级，-3性能最高。2L器件经过筛选，最大静态功耗更低，与-2器件相比，可在更低的核心电压下工作，以降低动态功耗。2L工业（I）温度器件仅在VCCINT = 0.95V时工作，-2L扩展（E）温度器件可在VCCINT = 0.9V或1.0V时工作。2LE器件在VCCINT = 1.0V时，以及-2LI器件在VCCINT = 0.95V时，除特别说明外，速度规格与-2速度等级相同

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型号：LTV-354T-A(UMW) 编号：C20417176

封装：SOP-4

品牌：UMW(友台半导体)

该系列交流输入光耦合器由一个光电晶体管和两个砷化镓红外发射二极管组成，采用4引脚迷你扁平封装。

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型号：MP2145GD-Z 编号：C132200

封装：QFN-12(2x3)

品牌：MPS(芯源)

DCDC降压，电源输入7V以内，3A以上(大电流)方案，MP2145是一款单片降压开关模式转换器,具有内部功率MOSFET。它可以在2.8V至5.5V的输入电压范围内提供高达6A的连续输出电流。输出电压可以调节到低至0.6V。该器件采用恒定导通时间控制,具有1.2MHz的固定开关频率,40μA的静态电流,以及多种保护功能,包括逐周期限流和热关断。

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型号：EG1162 编号：C2929082

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1162是一款高压大电流降压型同步整流DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合大电流场合应用,尤其5V输出场合。

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型号：EG1151 编号：C2932109

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：EG(屹晶微)

EG1151是一款四开关降压-升压型DC-DC 电源管理芯片。内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能。能根据输入和输出电压的具体关系和不同负载条件采取相应的控制策略。在输入电压的整个波动范围内提供稳定的电压输出。非常适合宽电压范围大电流需要升降压的,特别是电池供电的电压并不恒定的场合,同时支持对蓄电池充电。

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