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TOPSwitch-HX以高性价比的方式将700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热关断电路、故障保护及其他控制电路集成到单芯片器件中。

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型号：NCP10672BD060R2G 编号：C904374

封装：SO-7

NCP1067X 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1067X 采用 SOIC-7 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。在正常负载运行期间，NCP1067X 可在一个可用频率下开关（60 或 100 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入跳过模式，降低待机功耗。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护。为了提高待机性能，连接辅助绕组或从输出为该集成电路供电会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 15 mW 以下。NCP1067x 可以无缝用于非隔离和隔离拓扑结构中。

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型号：UCC28730QDRQ1 编号：C2865150

封装：SOIC-7

适用于汽车的零功耗待机 PSR 反激式控制器 7-SOIC -40 to 125

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型号：NCP1219AD65R2G 编号：C603515

封装：SOIC-7

NCP1219 是成功的 7 引脚电流模式 NCP12XX 系列的新一代引脚-引脚兼容新产品。该控制器通过使用可调节的跳过模式和集成式高电压启动 FET，实现了出色的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿、基于计时器的故障检测和锁存输入使得此控制器成为耐用性和部件成本为关键限制因素的转换器的绝佳备选。动态自供电 (DSS) 大大简化了变压器的设计，无需使用辅助绕组为 NCP1219 供电。此功能对于输出电压在运行期间会发生变化的应用尤其有用（如电池充电器）。由于其高电压技术，该集成电路直接联接高电压直流轨。

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型号：UCC38C41DR 编号：C2864933

封装：SOIC-8

UCCx8C4x系列是高性能电流模式PWM控制器。UCCx8C4x是一种增强型BiCMOS版本，具有与业界通用UCx84xA系列和UCx84x系列PWM控制器的引脚对引脚兼容性。BiCMOS技术提供更低的功耗以提高效率，并提供更快的电流检测和振荡器频率。

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型号：UCC28720DR 编号：C2861785

封装：SOIC-7

具有初级侧调节功能的恒压、恒流控制器 7-SOIC -40 to 125

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型号：TOP224GN-TL 编号：C394171

封装：SMD-8P

第二代TOPSwitch™-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益，并进行了多项改进。对于100/115/230 VAC输入，TOPSwitch-II系列的功率范围从100W扩展到150W；对于85 - 265 VAC通用输入，功率范围从50W扩展到90W。这使得TOPSwitch技术优势能够应用于许多新的领域，如电视、显示器、音频放大器等。许多重要的电路改进降低了对电路板布局和线路瞬变的敏感性，使设计更加容易。标准的8引脚PDIP封装选项降低了低功率、高效率应用的成本。该封装的内部引线框架使用六个引脚将芯片的热量直接传递到电路板上，无需使用散热片，从而降低了成本。TOPSwitch将开关模式控制系统所需的所有功能集成到一个三端单片IC中：功率MOSFET、PWM控制器、高压启动电路、环路补偿和故障保护电路。

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型号：MIC38C43YM 编号：C637509

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：UC3845ADTR 编号：C702408

封装：SOIC-14

UC3845A 电流模式 PWM 控制器

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型号：ICE5AR0680BZS1XKLA1 编号：C42668049

封装：PG-DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：UCC28712DR 编号：C2878388

封装：SOIC-7

具有一次侧稳压功能的恒压、恒流控制器 7-SOIC -40 to 125

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型号：TOP257PN 编号：C568166

封装：DIP-8

TOPSwitch-HX 以高性价比的方式将 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护及其他控制电路集成到单个芯片上。

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型号：VIPER012XSTR 编号：C3094043

封装：SOP-10

品牌：ST(意法半导体)

VIPerPlus系列：低压节能固定频率高压转换器

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型号：UC2844N 编号：C701459

封装：DIP-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：UCC38C43DGKR 编号：C2863033

封装：VSSOP-8-0.65mm

UCCx8C4x系列是高性能电流模式PWM控制器。UCCx8C4x是一种增强型BiCMOS版本，具有与业界通用UCx84xA系列和UCx84x系列PWM控制器的引脚对引脚兼容性。BiCMOS技术提供更低的功耗以提高效率，并提供更快的电流检测和振荡器频率。

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型号：LNK3696G-TL 编号：C567613

封装：SMD-7P

LinkSwitch™-XT2 在单片 IC 上集成了 725 V/900 V 功率 MOSFET、振荡器、简单的开/关控制方案、高压开关电流源、频率抖动、逐周期电流限制和热关断电路。启动和工作电源直接从漏极引脚获取，无需偏置绕组和相关电路。LinkSwitch-XT2 IC 将高压功率 MOSFET 开关与电源控制器集成在一个器件中。与传统的 PWM（脉冲宽度调制器）控制器不同，LinkSwitch-XT2 IC 使用简单的开/关控制来调节输出电压。LinkSwitch-XT2 控制器由振荡器、反馈（检测和逻辑）电路、5.0 V 稳压器、旁路引脚欠压电路、过温保护、线路和输出过压保护、频率抖动、电流限制电路、前沿消隐和高压功率 MOSFET 组成。LinkSwitch-XT2 集成了用于自动重启的额外电路。

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型号：ZXGD3104N8TC 编号：C177099

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3104 旨在驱动配置为理想二极管替代品的 MOSFET。该器件由差分放大器检测级和大电流驱动器组成。检测级监测 MOSFET 的反向电压，这样，如果发生体二极管导通，就会向 MOSFET 的栅极引脚施加正电压

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型号：VIPER319HDTR 编号：C3093916

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

节能离线高压变换器

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型号：MP175GS-Z 编号：C17233720

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

ACDC电路，输入AC90V~265V，功率10W以内(低)方案，

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型号：UCC3813DTR-5 编号：C702446

封装：SOIC-8

UCC3813-5 低功耗经济型 BiCMOS 电流模式 PWM

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型号：UCC28782CDRTWR 编号：C5219050

封装：WQFN-24(4x4)

是一款适用于USB Type-C PD应用的高密度有源钳位反激式(ACF)控制器，通过在整个负载范围内恢复漏感能量和自适应ZVS跟踪，可实现超过93%的效率。凭借1.5MHz的最大频率，可更大程度减少磁性元件。频率抖动有助于提高EMI裕度。还集成了动态偏置电源管理，用于优化Si或GaN MOSFET的栅极驱动。自适应突发模式(ABM)与低功耗模式(LPM)和待机功耗模式(SBP)相结合，可提高轻载效率，同时降低纹波和可闻噪声。还集成了X电容器放电功能，可在断电时对残余输入电压进行放电。具有多种保护模式和选项，可根据应用需求实现重试或闭锁响应。

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型号：NCP11184A100PG 编号：C3093881

封装：PDIP-7

NCP1118x集成了一个采用mWSaver技术的峰值电流模式PWM控制器和一个高度耐用的800 V超结（SJ）MOSFET，可显著提升反激式转换器的性能。mWSaver技术可在轻载条件下降低控制器的开关频率和工作电流，有助于避免出现声学噪声问题，甚至能满足国际节能标准，如能源之星（Energy Star）。此外，NCP1118x还具备高压启动电路、跳频功能、斜率补偿、恒定输出功率限制以及高度可靠的多种保护功能，便于设计，可减少物料清单（BOM）数量、缩小PCB尺寸并降低离线式电源的设计成本

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型号：UC2842N 编号：C701457

封装：DIP-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：UCC28C52QDRQ1 编号：C20346030

封装：SOIC-8

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。

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型号：NCP1077STBT3G 编号：C603469

封装：SOT-223(TO-261)

NCP1076 / NCP1077 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1076/7 采用 PDIP-7 或 SOT-223 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1076/7 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关的时候（65，100，130 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测。为了提高待机性能，连接辅助绕组会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 50 mW 以下。

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型号：NCP11187A100PG 编号：C3094714

封装：PDIP-7

NCP1118x集成了一个采用mWSaver技术的峰值电流模式PWM控制器和一个高度耐用的800 V超结（SJ）MOSFET，可显著提升反激式转换器的性能。mWSaver技术可在轻载条件下降低控制器的开关频率和工作电流，有助于避免出现声学噪声问题，甚至能满足国际节能标准，如能源之星（Energy Star）。此外，NCP1118x还具备高压启动电路、跳频功能、斜率补偿、恒定输出功率限制以及高度可靠的多种保护功能，便于设计，可减少物料清单（BOM）数量、缩小PCB尺寸并降低离线式电源的设计成本

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型号：UC2845DTR 编号：C2657946

封装：SOIC-14