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LM2735-Q1 符合 AEC-Q100 标准、高空间利用率的 520kHz、1.6MHz 升压和 SEPIC 直流/直流稳压器

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型号：MP174GJ-Z 编号：C5129843

封装：TSOT-23-5

MP174是一款初级侧调节器，无需光耦合器即可提供精确的恒压（CV）调节。它支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它集成了一个700V MOSFET，以简化结构并降低成本。这些特性使其成为离线低功率应用（如家用电器和待机电源）的理想调节器。MP174是一款绿色模式运行的调节器。随着负载的减小，峰值电流和开关频率都会降低。这一特性在轻载时提供了出色的效率，并提高了整体平均效率。MP174具备多种保护功能，包括热关断（OTP）、VCC欠压锁定（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP174采用小型TSOT23 - 5封装和SOIC8封装。

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型号：MP174GS-Z 编号：C17294671

封装：SOIC-8

MP174是一款初级侧调节器，无需光耦合器即可提供精确的恒压（CV）调节。它支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它集成了一个700V MOSFET，以简化结构并降低成本。这些特性使其成为离线低功率应用（如家用电器和待机电源）的理想调节器。MP174是一款绿色模式运行的调节器。随着负载的减小，峰值电流和开关频率都会降低。这一特性在轻载时提供了出色的效率，并提高了整体平均效率。MP174具备多种保护功能，包括热关断（OTP）、VCC欠压锁定（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环保护。MP174采用小型TSOT23 - 5封装和SOIC8封装。

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型号：MP6908LGJ-Z 编号：C17289661

封装：TSOT-23-6

MP6908L是一款低压降二极管仿真IC。与外部开关配合使用时，MP6908L可在高效反激式转换器中替代肖特基二极管。MP6908L将外部同步整流 (SR) MOSFET的正向压降调节至约40mV，一旦电压变为负值则关断。MP6908L可为电池充电应用自行生成电源电压，适用于低输出电压或输出短路情况，以及高端SR配置。可配置的振铃检测电路可防止MP6908L在不连续导通模式 (DCM) 下VDS振荡后或准谐振操作期间误关断。MP6908L采用节省空间的TSOT23 - 6封装。

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型号：ICE3AR2280JZ 编号：C535778

封装：DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

ICE3AR2280JZ（CoolSET®-F3R80）是采用DIP - 7封装的ICE3BRxx65J（CoolSET®-F3R 650V）的增强型800V MOSFET版本。该PWM控制器基于F3R 650V，具备一些新的增强特性

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型号：VIPER22AS-E 编号：C2760766

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

低功耗离线SMPS主切换器

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型号：UCC2813QDR-5Q1 编号：C702425

封装：SOIC-8

UCC2813-5-Q1 汽车类低功率 BiCMOS 电流模式 PWM

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型号：LM51551QDSSTQ1 编号：C2871468

封装：WSON-12-EP(2x3)

LM51551-Q1 2.2MHz 宽输入电压、1.5A MOSFET 驱动器、非同步升压控制器、断续模式保护

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型号：MP6951GJ-Z 编号：C17314101

封装：TSOT-23-6

MP6951是一款采用倒装芯片组装技术的次级同步整流驱动器，适用于高频反激式转换器。该器件可支持频率高达1MHz的反激式转换器。外部同步整流（SR）MOSFET的正向压降被调节至约40mV

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型号：UCC28C50QDRQ1 编号：C20346025

封装：SOIC-8

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型号：TOP222YN 编号：C31114

封装：TO-220

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

第二代TOPSwitch-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益，并进行了多项改进。对于100/115/230 VAC输入，TOPSwitch-II系列的功率范围从100W扩展到150W；对于85 - 265 VAC通用输入，功率范围从50W扩展到90W。这使得TOPSwitch技术优势能够应用于许多新的领域，如电视、显示器、音频放大器等。许多重要的电路改进降低了对电路板布局和线路瞬变的敏感性，使设计更加容易。标准的8引脚PDIP封装选项降低了低功率、高效率应用的成本。该封装的内部引线框架使用六个引脚将芯片的热量直接传递到电路板上，从而省去了散热片的成本。TOPSwitch将开关模式控制系统所需的所有功能集成到一个三端单片IC中：功率MOSFET、PWM控制器、高压启动电路、环路补偿和故障保护电路。

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型号：FSGM0565RBWDTU 编号：C898083

封装：TO-220-6

品牌：onsemi(安森美)

FSGM0565RB是一款集成了脉冲宽度调制（PWM）控制器和检测场效应管（SENSEFET）的器件，专为离线式开关模式电源（SMPS）设计，所需外部元件极少。PWM控制器集成了固定频率振荡器、欠压锁定（UVLO）、前沿消隐（LEB）、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精确电流源以及自保护电路。与分立MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSGM系列可降低总成本、减少元件数量、缩小尺寸和减轻重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。该器件为反激式转换器的低成本设计提供了基础平台。

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型号：LM5160DNTT 编号：C2070709

封装：WSON-12-EP(4x4)

LM5160DNTT是一款具有集成式高侧和低侧MOSFET的65V2A同步降压转换器。自适应恒定导通时间控制方案无需环路补偿,可在快速瞬态响应下支持高降压比。内置反馈放大器保持整体工作温度范围内的±1%输出电压调节度。峰谷电流限制电路可防御过载情况。欠压锁定(EN/UVLO)电路提供可独立调节的输入欠压阈值和迟滞。LM5160DNTT通过FPWM引脚进行编程,以在从空载到满载过程中采用连续传导模式(CCM)或在轻负载时自动切换至断续传导模式(DCM),从而实现更高的效率。强制CCM运行支持使用耦合电感器的多输出隔离式Fly-Buck应用。

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型号：VIPER28HDTR 编号：C2970380

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

VIPerPlus系列：峰值功率固定频率离线高压转换器

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型号：UCC28C51QDRQ1 编号：C20346027

封装：SOIC-8

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器，可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定（UVLO）阈值，可实现可靠的SiC MOSFET操作（UCC28C56 - 59 - Q1），此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET（UCC28C50 - 55 - Q1）。VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V，以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极，同时还可省去外部低压差线性稳压器（LDO）。

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型号：UC3524AN 编号：C1530261

封装：PDIP-16

UC1524A 系列调节型 PWM 集成电路在设计上保留了行业标准 UC1524（SG1524）高度通用的架构，同时对其诸多局限性进行了大幅改进。UC1524A 与“非 A”型号引脚兼容，在大多数现有应用中可直接互换，且不会影响电源性能

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型号：UCC28C55QDRQ1 编号：C20346039

封装：SOIC-8

高性能电流模式PWM控制器，可用于驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外，还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V，便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极，同时可无需使用外部LDO。器件性能也有所改进，如52kHz时的电源电流从2.3mA降至1.3mA，启动电流上限值从100μA降至75μA，基准电压精度从±2%提升至±1%等。

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型号：UC3842N 编号：C1530277

封装：PDIP-8

提供了实现离线式或直流/直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，并使用了最少的外部元件。内部实现的电路包括欠压锁定 (UVLO)，其特点是启动电流小于 1mA，且精密基准用于调整误差放大器处的准度性。其它内部电路包括用于提供锁存操作的逻辑、提供电流限制控制的脉宽调制 (PWM) 比较器以及设计用于拉取或灌入高峰值电流的图腾柱输出级。当输出级处于关闭状态时，设计用于驱动 N 沟道 MOSFET 的输出级为低电平。提供了多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选择、导通和关断阈值以及迟滞范围选择。具有较高导通或关断迟滞的器件是离线电源的不错选择，而具有较窄迟滞范围的器件则是为直流/直流应用而设计。

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型号：UCC2893DR 编号：C702431

封装：SOIC-16

UCC2893 电流模式有源钳位 PWM 控制器

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型号：LM3488QMMX/NOPB 编号：C1848481

封装：VSSOP-8-0.65mm

LM3488Q-Q1 适用于开关稳压器且具有 5μA 关断电流的 40V 宽输入电压、低侧 N 沟道控制器

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型号：HF920GSE-Z 编号：C3094012

封装：SOIC-7

HF920是一款集成900V MOSFET的反激式稳压器。在智能电表、大型家电、工业控制以及由劣质交流电网供电的产品等高可靠性要求的AC/DC应用中，HF920可实现出色的电源稳压。HF920所需的外部元件数量极少

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型号：LM5002MA/NOPB 编号：C1355701

封装：SOIC-8

LM5002 3.1V 至 75V 宽输入电压、0.5A 电流模式升压、反激式、Sepic 转换器

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型号：HFC0310GS-Z 编号：C5375730

封装：SOIC-8

是一款具有可编程固定频率操作的反激式控制器。使用峰值电流模式，提供出色的瞬态响应并简化环路补偿。当输出功率低于给定水平时，控制器进入突发模式以降低待机功耗。一个连接在FSET引脚和GND之间的外部电容对开关频率进行编程。采用频率整形功能，可大幅降低噪声水平，降低EMI滤波器成本。提供各种保护，如热关断、VCC欠压锁定、过载保护、过压保护和短路保护。采用SOIC8封装

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￥23.3486
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型号：TOP221YN 编号：C394168

封装：TO-220

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

第二代TOPSwitch™-II系列比第一代TOPSwitch系列更具成本效益，并进行了多项改进。对于100/115/230 VAC输入，TOPSwitch-II系列的功率范围从100W扩展到150W；对于85 - 265 VAC通用输入，功率范围从50W扩展到90W。这使得TOPSwitch技术优势能够应用于许多新的领域，如电视、显示器、音频放大器等。许多重要的电路改进降低了对电路板布局和线路瞬变的敏感性，使设计更加容易。标准的8引脚PDIP封装选项降低了低功率、高效率应用的成本。该封装的内部引线框架使用六个引脚将芯片的热量直接传递到电路板上，无需使用散热片，从而降低了成本。TOPSwitch将开关模式控制系统所需的所有功能集成到一个三端单片IC中：功率MOSFET、PWM控制器、高压启动电路、环路补偿和故障保护电路。

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型号：LT3757HMSE#TRPBF 编号：C671477

封装：MSOP-10-EP

LT3757/LT3757A 是宽输入范围、电流模式的 DC/DC 控制器，能够产生正或负输出电压。它们可配置为升压、反激、SEPIC 或反相转换器。LT3757/LT3757A 由内部稳压 7.2V 电源驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET

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￥25.0134 ￥26.61
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￥24.4024 ￥25.96
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￥23.5846 ￥25.09

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型号：LT8301HS5#WTRMPBF 编号：C42712728

封装：TSOT-23-5

LT8301是一款微功耗隔离式反激式转换器。该器件通过直接从初级侧反激波形中采样隔离输出电压，无需使用第三绕组或光隔离器进行稳压。输出电压可通过单个外部电阻进行编程设置

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￥27.6642 ￥29.43
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￥26.9874 ￥28.71
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￥26.5362 ￥28.23
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￥26.085 ￥27.75

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型号：LTC3803IS6#TRPBF 编号：C686054

封装：TSOT-23-6

TC3803是一款固定频率电流模式反激式控制器，针对高输入电压应用中驱动N沟道MOSFET进行了优化。该控制器在轻负载条件下仍能保持固定频率工作，从而在宽负载电流范围内减少低频噪声的产生。可通过外部电阻对斜率补偿进行编程。LTC3803的输出电压精度为±1.5%，静态电流仅为240μA。基于地的电流检测使基于LTC3803的转换器能够接受超出LTC3803绝对最大VCC的输入电源。微功耗迟滞启动特性可实现高输入电压下的高效运行。为简化设计，由于其内部并联稳压器，LTC3803也可通过电阻由高VIN供电。当输入电压过低，无法为外部MOSFET提供足够的栅极驱动时，内部欠压锁定功能会使LTC3803关断。LTC3803采用低外形（1mm）6引脚SOT - 23（ThinSOT）封装。

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￥24.11
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￥16.8452 ￥18.31
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￥16.3944 ￥17.82

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型号：LT3757HMSE#PBF 编号：C671476

封装：MSOP-10-EP

LT3757/LT3757A 是宽输入范围、电流模式的 DC/DC 控制器，能够产生正或负输出电压。它们可配置为升压、反激、SEPIC 或反相转换器。LT3757/LT3757A 由内部稳压 7.2V 电源驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET

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￥28.6313 ￥32.17
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￥27.9638 ￥31.42
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￥27.0738 ￥30.42

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型号：LTC3873ETS8#TRMPBF 编号：C671956

封装：TSOT-23-8