反激式开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：MSOP-10

LTC1871是一款宽输入范围、电流模式的升压、反激或SEPIC控制器，可驱动N沟道功率MOSFET，且所需外部元件极少。该器件适用于中低功率应用，通过利用功率MOSFET的导通电阻，无需使用电流检测电阻，从而实现效率最大化。该IC的工作频率可通过外部电阻在50kHz至1MHz范围内进行设置，还可使用MODE/SYNC引脚与外部时钟同步

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1+
￥79.4112 ￥82.72
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￥75.4944 ￥78.64
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￥68.7072 ￥71.57
100+
￥62.784 ￥65.4

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型号：LT1076IQ#TRPBF 编号：C662415

封装：DDPAK-5

品牌：ADI(亚德诺)

LT1074是一款5A的单片双极型开关稳压器（LT1076额定电流为2A），正常工作仅需少量外部元件。功率开关、所有振荡器和控制电路以及所有限流元件均集成在芯片上。其拓扑结构为经典的正“降压”配置，但多项设计创新使该器件可作为正到负转换器、负升压转换器和反激式转换器使用

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1+
￥80.3616 ￥91.32
10+
￥69.069 ￥88.55
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￥60.214 ￥88.55

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型号：UC2823ADWTR 编号：C2658798

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

PWM 控制器是标准系列的改进版本，其中几个电路块的性能得到了提升。误差放大器增益带宽积为 12MHz，而输入失调电压为 2mV。电流限制阈值经验证为耐受的 5%。为实现精准死区时间控制，振荡器放电电流额定值为 10mA。频率精度被提升至 6%。典型值为 100μA 的启动电源电流非常适合于脱机应用

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1+
￥83.79
10+
￥82.63
30+
￥80.63

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型号：UC2825AN 编号：C1529975

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

PWM 控制器是标准系列的改进版本，其中几个电路块的性能得到了提升。误差放大器增益带宽积为 12MHz，而输入失调电压为 2mV。电流限制阈值经验证为耐受的 5%。为实现精准死区时间控制，振荡器放电电流额定值为 10mA。频率精度被提升至 6%。典型值为 100μA 的启动电源电流非常适合于脱机应用

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1+
￥110.1
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￥100.89
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￥97.55

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型号：UC3823ADWTR 编号：C2658804

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

PWM 控制器是标准系列的改进版本，其中几个电路块的性能得到了提升。误差放大器增益带宽积为 12MHz，而输入失调电压为 2mV。电流限制阈值经验证为耐受的 5%。为实现精准死区时间控制，振荡器放电电流额定值为 10mA。频率精度被提升至 6%。典型值为 100μA 的启动电源电流非常适合于脱机应用

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1+
￥119.37
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￥113.76
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￥104.06

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型号：GP8891C 编号：C47117416

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

GP8891X是一款自供电恒压、恒流的原边反馈控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置启动电路，无需外围启动电阻，内置FB下偏电阻及CS采样电阻，外围更简洁。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，输出短路保护，次级肖特基短路等功能。采用独特的单周期最大电流关断机制，可避免三极管过流导致的各种失效。采用SOP7封装。

10+
￥0.3539
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￥0.2819
300+
￥0.2459
1000+
￥0.2189
4000+
￥0.1973
8000+
￥0.1865

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型号：GP8612E 编号：C47117408

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

GP8612X是一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片，系统工作于断续模式，适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。

5+
￥0.4377
50+
￥0.3857
150+
￥0.3597
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￥0.3402
2500+
￥0.3246
4000+
￥0.3168

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型号：GP8672b 编号：C49420390

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

一款恒压、恒流的原边反馈控制芯片，系统工作于断续模式，适用于充电器和适配器以及其它辅助类电源。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。采用SOP7封装。

10+
￥0.4483
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￥0.3571
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￥0.3115
1000+
￥0.2773
4000+
￥0.2499
8000+
￥0.2362

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型号：GP8612EA 编号：C49420381

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。采用SOP7封装

10+
￥0.4669
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￥0.3709
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￥0.3229
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￥0.2869
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￥0.2581
8000+
￥0.2437

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型号：GP8616F 编号：C47117412

封装：SOP-8

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。采用SOP8封装。

5+
￥0.5259
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￥0.4599
150+
￥0.4269
500+
￥0.4022
2500+
￥0.3824
4000+
￥0.3725

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型号：GP7596B 编号：C47117419

封装：SOP-8

品牌：HaloChip(华众芯)

GP7596XX是一款用于替代反激变换器副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，同时支持DCM,QR及CCM工作模式。内置VCC高压供电模块，无需VCC供电绕组，降低了系统成本。内部集成有VCC欠压保护功能，采用SOP8封装。

5+
￥0.5892
50+
￥0.5192
150+
￥0.4842
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￥0.4579
2500+
￥0.4369
4000+
￥0.4264

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型号：GP8675E 编号：C49420392

封装：SOP-8

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款恒压、恒流的原边反馈谷底导通控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。

5+
￥0.6069
50+
￥0.4821
150+
￥0.4197
500+
￥0.3729
2500+
￥0.3355
4000+
￥0.3168

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型号：GP8672E 编号：C49420391

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。

5+
￥0.6069
50+
￥0.4821
150+
￥0.4197
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￥0.3729
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￥0.3355
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￥0.3168

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型号：GC4532 编号：C18184957

封装：SOT23-6

品牌：Gcore(扬州国芯)

GC4532是一个高精度恒压/恒流PWM控制电路集成芯片，主要应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器中，该芯片是基于原边检测和调整的控制器，因此在应用时无需TL431和光耦。芯片内置了恒流/恒压两种控制方式。在恒流控制时，恒流值和输出功率可以通过CS引脚的限流电阻Rs设定。

5+
￥0.663
50+
￥0.579
150+
￥0.543
500+
￥0.498

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型号：OB2263M6/TR 编号：C42421641

封装：SOT-23-6

品牌：HGSEMI(华冠)

高性能电流模式 PWM 控制器

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

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型号：GC2263 编号：C5157693

封装：SOT-23-6

品牌：Gcore(扬州国芯)

GC2263是高精度PWM控制电路集成芯片，主要应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器中。正常工作频率可根据外部调节，在轻载或空载条件下，芯片进入间歇工作模式，可降低开关损耗，具有较低的待机功耗和较高的转换效率。VDD端较低的启动电流和工作电流对启动设计有较大弹性，大阻值电阻应用在启动电路设计中可有效降低待机功耗。

数据手册

5+
￥0.7054
50+
￥0.5614
150+
￥0.4894
500+
￥0.4354
3000+
￥0.3742

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型号：GP1200QLGT 编号：C19626937

封装：SOT-23-6

品牌：HaloChip(华众芯)

GP1200Q是一款高度集成的隔离型适配器和充电器的PSR驱动控制芯片，MOSFET外置。GP1200Q工作在QR导通模式，具有效率高，EMI特性好等优点。其待机功耗低于70mW，可以轻松满足欧洲能源之星6级能效标准。输出线损补偿可以调，可以实现良好的空满载输出电压曲线。GP1200Q集成了输出短路，过压保护，逐周期过流保护, 软启动，Vdd脚过压欠压保护及钳位，Gate脚钳位保护后级MOSFET。GP1200Q采用SOT23-6封装。

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452
3000+
￥0.3991
6000+
￥0.376

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型号：MST1694KC-B49 编号：C22395105

封装：SOP-8

品牌：MST(迈尔斯通)

MST1694KC-B是一款用于反激变换器的快速关断智能整流器，其内部集成60V MOSFET。它可以提供比二极管整流器更高的效率。可将内部开关管的正向电压压降调节至40mV，并在漏源电压反向之前，将开关管关断。

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

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型号：U3012F 编号：C49196401

封装：SOP-8

品牌：Silicore(芯谷)

U3012 是一款高性能、高精度和低成本 PWM 电源开关电路，适用于非隔离降压型和反激式应用场合。

5+
￥0.7584
50+
￥0.7414
200+
￥0.7301

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型号：GP8671F 编号：C49420389

封装：SOP-7

品牌：HaloChip(华众芯)

是一款恒压、恒流的原边反馈QR导通控制芯片，适用于充电器和适配器。采用特有的输出线损补偿技术，可以有效的补偿输出电流在输出线上的损耗压降。内置环路补偿电路，无需外围补偿电路，系统具有良好的稳定性。可以实现良好的恒压、恒流特性，满足待机功耗小于75mW。具有多重保护功能，包括开路保护，过压保护，短路保护等功能。

5+
￥0.7703
50+
￥0.6119
150+
￥0.5327
500+
￥0.4733
2500+
￥0.4258
4000+
￥0.4021

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型号：ME8204CM6G 编号：C2983854

封装：SOT-23-6

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME8204是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，针对40W~60W范围内的高性能、低待机功耗（<100mW）且具成本效益的离线反激式转换器应用进行了优化。ME8204提供全面的保护功能，并具备自动自恢复特性，包括逐周期电流限制（OCP）、CS短路保护、过载保护（OLP），以及VDD欠压锁定（UVLO）；还具备锁存特性，包括过温保护（OTP）、过压（固定或可调）保护（OVP）。通过频率混洗技术，结合图腾柱栅极驱动输出端的软开关控制，可实现出色的EMI性能

数据手册

5+
￥0.9493
50+
￥0.7621
150+
￥0.6685
500+
￥0.5983

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型号：OB2263N 编号：C30170083

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

OB2263 是应用于中小功率反激式开关电源的高度集成电流模式 PWM 控制器，针对高性能和低待机进行了优化，使得效率和待机满足六级能效标准。 OB2263 频率可通过外接电阻调节，满载工作时，PWM 开关频率固定；降低负载后，进入绿色模式，开关频率降低；在空载和轻载时，进入间歇模式，以降低开关损耗。该产品先进的控制模式可以降低开关损耗并提高效率。