非隔离开关电源芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TEA2206T/1J 编号：C5191680

封装：SOT-96-1

TEA2206T是一款有源桥式整流控制器，用于以MOSFET取代传统二极管桥中的两个低边二极管。将TEA2206T与低电阻高压外部MOSFET配合使用，可使典型整流器二极管正向传导损耗降低 50%，从而显著提高功率转换器的效率。在90 V(AC)电源电压下，效率可以提高约 0.7%。TEA2206T采用绝缘硅片(SOI)工艺制成。

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型号：UC2852DTR 编号：C3093759

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

提供了一种低成本的有源功率因数校正 (PFC) 解决方案，适用于那些原本会从交流电源线汲取高峰值电流脉冲的系统。该电路实现了零电流开关升压转换，使用最少的外部组件产生正弦输入电流，同时使峰值电流远低于完全不连续转换器的峰值电流。提供受控的开关导通时间来调节输出大容量直流电压，关断时间由升压电感定义，并设有零电流检测电路以重新启动开关周期。尽管开关频率会随负载和瞬时线电压变化，但可保持在合理范围内以减少噪声产生

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型号：GP82410 编号：C19626938

封装：SOT-23-5

品牌：HaloChip(华众芯)

GP82410是一款高性能的AC/DC功率控制器，可应用于充电器和适配器。芯片采用原边反馈和控制，无需光耦和TL431即可实现4%的恒压恒流精度。 GP82410在恒流工作中采用PFM控制，在恒压工作中采用PFM/PWM多种模式复合控制。

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型号：SS8200E 编号：C49188043

封装：EASOP-7

品牌：orisilicon(矽源)

散热片，内置650V/1A 超结功率MOS 降压型非隔离AC-DC控制器芯片

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型号：AP3983CMTR-G1 编号：C780765

封装：SOIC-7

品牌：DIODES(美台)

AP3983B/C/D 是一系列用于电源的高频功率开关，具有更高的转换效率、更优的电压和电流精度，以及增强的保护功能。典型应用包括充电器、ADSL 适配器、家电电源、LED 照明电源和 PC 辅助电源。AP3983B/C/D 内置 MOSFET，在不连续导通模式（DCM）下通过分段脉冲频率调制（p - PFM）在初级侧调节输出电压和电流

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型号：SS8201E 编号：C49188044

封装：EASOP-7

品牌：orisilicon(矽源)

散热片，内置800V/1A 高雪崩功率MOS，降压型非隔离AC-DC控制器芯片

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型号：NCP12400BBHAA1DR2G 编号：C904410

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：LNK3204P 编号：C127839

封装：DIP-8C

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LinkSwitch™-TN2 系列非隔离离线式电源 IC 与传统线性或阻容降压解决方案相比，性能显著提升。采用高度集成的 LinkSwitch-TN2 IC 的设计更具灵活性，具备更高的效率、全面的系统级保护和更高的可靠性。该器件系列支持降压、升降压和反激式转换器拓扑。每个器件在单片 IC 上集成了一个 725 V 功率 MOSFET、振荡器、用于轻载时实现最高效率的开/关控制、用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、快速（逐周期）电流限制、迟滞热关断以及输出和输入过压保护电路。LinkSwitch-TN2 IC 在待机状态下消耗的电流非常小，使得电源设计能够满足全球所有无负载和待机规范。可以通过旁路引脚电容值选择 MOSFET 电流限制模式。高电流限制水平可提供最大连续输出电流，而低电流限制水平则允许使用非常低成本的小型表面贴装电感器。全套保护功能可实现安全可靠的电源，保护器件和系统免受输入和输出过压故障、器件过热故障、调节失控以及电源输出过载或短路故障的影响。该器件系列提供三种不同的封装形式：PDIP-8C、SO-8C 和 SMD-8C。

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型号：LNK632DG-TL 编号：C74527

封装：SO-7

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LNK632DG通过省去光耦合器和次级控制电路，极大地简化了低功率恒压/恒流（CV/CC）充电器设计。该器件采用开/关控制技术，除了具备非常适合电池充电应用的输出电流控制功能外，还能实现极其精确的输出电压调节。当使用外部偏置电路时，专有的IC微调技术与E - Shield变压器构造技术相结合，使LNK632DG能够实现无钳位设计

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型号：VIPER113LSTR 编号：C3093991

封装：SSOP-10

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款高压转换器，巧妙地将一个具备 800 V 雪崩耐量的功率 MOSFET 与 PWM 电流模式控制集成在一起。击穿电压为 800 V 的功率 MOSFET 可拓宽输入电压范围，并减小漏极缓冲电路的尺寸。这款 IC 功耗极低，且在轻载条件下以脉冲频率调制方式工作，能够满足最严格的节能标准

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型号：TOP267EG 编号：C102623

封装：SIP-7

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

TOPSwitch-JX 在单片器件上经济高效地集成了 725 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、多模式 PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。

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型号：LNK3206GQ-TL 编号：C17237156

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

用于汽车电源的LinkSwitchTM - TN2系列IC与传统分立解决方案相比，显著减少了元件数量，使其具有高可靠性。该器件系列支持降压、升降压和反激式转换器拓扑。每个器件在单片IC上集成了一个750 V功率MOSFET、振荡器、开/关控制、用于自偏置的高压开关电流源、频率抖动、快速（逐周期）电流限制、迟滞热关断以及输出和过压保护电路

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型号：MP174AGS-Z 编号：C17329146

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP174A是一款初级侧调节器，无需光耦合器即可提供精确的恒压（CV）调节。它支持降压、升降压、升压和反激拓扑。它集成了一个700V MOSFET，以简化结构并降低成本。这些特性使其成为离线低功率应用（如家用电器和待机电源）的理想调节器。MP174A是一款绿色模式运行的调节器。随着负载的减小，峰值电流和开关频率都会降低。这一特性在轻载时提供了出色的效率，并提高了整体平均效率。MP174A具有多种保护功能，包括热关断（OTP）、VCC欠压锁定（UVLO）、过载保护（OLP）、短路保护（SCP）和开环检测。MP174A提供小型TSOT23 - 5封装和SOIC8封装。

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型号：ICE5GR2280AGXUMA1 编号：C3093859

封装：SOIC-12

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：VIPER53EDIP-E 编号：C2802547

封装：DIP-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPer53E在同一封装内集成了一个增强型电流模式PWM控制器和一个高压MDMesh功率MOSFET。典型应用涵盖离线电源，在宽范围输入电压下，二次侧功率能力最高可达30W；在单一欧洲电压范围且采用DIP - 8封装时，可达50W；在宽范围输入电压下，采用PowerSO - 10封装时可达40W；在单一欧洲电压范围且采用PowerSO - 10封装时，可达65W，具备以下优势：

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型号：LNK3209G-TL 编号：C17316677

封装：SMD-7P

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

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型号：MIN1072M-TL 编号：C1518771

封装：MinSOP-16A

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

MinE-CAP™ 集成电路可显著缩小输入大容量电容器的尺寸，同时不影响输出纹波、运行效率，也无需重新设计变压器。与非常高开关频率运行等传统技术相比，MinE-CAP 在实现相同或更大程度的整体电源尺寸缩减的同时，避免了复杂 EMI 滤波的难题以及与高频设计相关的变压器/钳位损耗增加的问题。MinE-CAP 还能精确管理交流接通时的浪涌电流，无需使用耗能的 NTC 热敏电阻或大型慢熔保险丝。MinE-CAP 还可用于需要宽范围输入（90 VAC 至 350+ VAC）的应用，同样，大部分输入电容额定电压为 160 V，同时搭配额定电压为 400 V 的堆叠电容或额定电压为 500 - 600 V、但值比通常所需小得多的电容。在稳态运行期间，当需要最大输入电容时，MinE-CAP 会在低交流线路电压下将 Cuv 引入电路。为此，MinE-CAP 会监测输入轨和 Cuv 两端的电压，在每个交流线路周期内根据需要动态接入和断开该电容，以确保电源在整个指定输入电压范围内平稳运行。MinE-CAP 集成电路设计为直接与 InnoSwitch 系列电源集成电路配合使用，只需最少的外部元件。现有的 InnoSwitch V 引脚电阻连接到 MinE-CAP 的 VTOP 引脚，而连接到 VBOT 引脚的电阻则可实现对 Cuv 电压的监测。输入电压和故障信息从 MinE-CAP 的 LINE (L) 引脚传输到 InnoSwitch 的 V 引脚，无需额外元件。MinE-CAP 集成电路还直接从 InnoSwitch 的 BPP 引脚获取偏置电源。

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型号：SR086SG-G 编号：C624740

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SR086/SR087是无电感开关稳压器，设计用于直接由整流后的交流线路供电。其工作原理是，当整流后的交流电压低于输出电压时，导通通晶体管；当输出电压达到特定水平时，关断通晶体管。这些IC的主输出电压可调，范围为9V至50V，此外，SR086有一个3.3V的固定输出，SR087有一个5V的固定输出。在120VAC应用中，对于高达1W的负载，效率可达约55%；在230VAC应用中，对于高达800mW的负载，效率约为50%。逻辑电平使能输入可禁用SR086/SR087，在将它们用作持续供电电源时非常有用。

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型号：FD5001MNTXG 编号：C5206769

封装：QFN-40(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：VIPER318LDTR 编号：C3093815

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

节能离线高压变换器

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型号：NCV1077CSTBT3G 编号：C603855

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

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型号：IDP2303A 编号：C535919

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

IDP2303A是一款多模式PFC和LLC控制器，集成了浮动高端驱动器和启动单元。数字引擎为多模式运行提供先进算法，以支持在整个负载范围内实现最高效率

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型号：VIPER317HDTR 编号：C3093848

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

节能离线高压变换器

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型号：ICE5QR2270AZ 编号：C535822

封装：DIP-7

品牌：Infineon(英飞凌)

准谐振CoolSET™（ICE5QRxxxxAx）是第五代准谐振集成功率IC，针对共源共栅配置的离线式开关电源进行了优化。它采用单封装形式，包含两颗独立芯片；一颗是控制芯片，另一颗是高压MOSFET芯片。通过专有的新型准谐振操作，该IC可实现更低的电磁干扰（EMI）和更高的效率，并改善数字频率降低效果

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型号：UCC3818N 编号：C2872473

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

BiCMOS 功率因子前置稳压器 16-PDIP 0 to 70

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型号：GP85210 编号：C19626939

封装：SOT-23-6

品牌：HaloChip(华众芯)

GP85210是一款带过温保护可编程功能的高性能AC/DC电流型PWM功率控制芯片，可应用于充电器和适配器。工作频率在65kHz并且以±4%的幅度抖动，当输出功率下降时，IC会基于β平衡控制降低开关频率来提高轻载效率，当功率下降到一定限值后，IC会进入间歇模式降低待机功耗，使整机空载功耗小于75mW。具有OCP/OPP无缝芯片具有OCP补偿噪音消除技术，输入电压90VAC时重载无噪音。

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型号：TC7340 编号：C2931994

封装：DIP-8

品牌：FM(富满)

TC7340是内置高压功率MOSFET的电流模式PWM控制芯片，适用于24W以内的全电压范围离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。为保证芯片正常工作，针对各种故障设计了一系列完善的具有可恢复功能的保护措施，包括软启动、VDD欠压锁定保护（UVLO）、过压保护（OVP）及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对音频噪声和FM干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的EMI性能。

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型号：TC7358 编号：C255566

封装：DIP-8

品牌：FM(富满)

TC7358是内置高压功率MOSFET的电流模式反激PWM控制芯片，适用于12W以内的全电压范围离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。为保证芯片正常工作，TC7358针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能的保护措施，包括软启动、VDD欠压锁定保护（UVLO）、过压保护（OVP）及箝位、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）和图腾柱输出驱动高箝位等，特别对音频噪声进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的EMI性能。

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