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首页 > 热门关键词 > 7533稳压芯片
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      ¥14.58
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      ¥13.85
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      ¥16.19
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      ¥15.38
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      ¥44.08
    • 200+

      ¥17.59
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      ¥21.69
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      ¥20.97
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      ¥20.61
  • 订货
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      ¥57.9
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      ¥23.11
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      ¥22.34
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      ¥23.17
    • 1000+

      ¥22.77
  • 订货
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      ¥67.5
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      ¥26.94
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      ¥26.04
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      ¥25.59
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      ¥27.57
    • 500+

      ¥26.65
    • 1000+

      ¥26.19
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      ¥73.93
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      ¥29.5
    • 500+

      ¥28.52
    • 1000+

      ¥28.03
  • 订货
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      ¥76.94
    • 200+

      ¥30.7
    • 500+

      ¥29.68
    • 1000+

      ¥29.17
  • 订货
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      ¥83.29
    • 200+

      ¥33.24
    • 500+

      ¥32.13
    • 1000+

      ¥31.58
  • 订货
    • 1+

      ¥86.01
    • 200+

      ¥34.32
    • 500+

      ¥33.17
    • 1000+

      ¥32.61
  • 订货
    • 1+

      ¥92.5
    • 200+

      ¥36.91
    • 500+

      ¥35.68
    • 1000+

      ¥35.07
  • 订货
    • 1+

      ¥43.87
    • 200+

      ¥17.51
    • 500+

      ¥16.92
    • 1000+

      ¥16.63
  • 订货
  • UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关。UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案。UCC2753x系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.61
    • 10+

      ¥7.22
    • 30+

      ¥6.45
  • 有货
  • 本款N沟道场效应管(MOSFET)具备以下关键参数:最大漏极电流ID为60A,漏源击穿电压VDSS为60V,导通电阻RDON仅为17mΩ,栅源电压VGS支持最高20V。该器件适用于多种高功率密度电路设计,如电源管理、电机驱动、开关电源及电池管理系统,具备快速开关响应和低导通损耗特性,满足高频应用场景对稳定性和效率的严苛要求,是构建高性能电子系统的关键元件。
    • 1+

      ¥4.1325 ¥4.35
    • 10+

      ¥3.3535 ¥3.53
    • 50+

      ¥2.964 ¥3.12
    • 100+

      ¥2.5745 ¥2.71
    • 500+

      ¥2.3465 ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.2325 ¥2.35
  • 有货
  • TO220;N—Channel沟道,60V;60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    • 1+

      ¥4.655 ¥4.9
    • 10+

      ¥3.7525 ¥3.95
    • 50+

      ¥3.2965 ¥3.47
    • 100+

      ¥2.85 ¥3
    • 500+

      ¥2.5745 ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.4415 ¥2.57
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    • 1+

      ¥5.202 ¥6.12
    • 10+

      ¥4.2245 ¥4.97
    • 50+

      ¥3.74 ¥4.4
    • 100+

      ¥3.2555 ¥3.83
    • 500+

      ¥2.9665 ¥3.49
    • 1000+

      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
    • 1+

      ¥5.586 ¥5.88
    • 10+

      ¥4.4935 ¥4.73
    • 50+

      ¥3.952 ¥4.16
    • 100+

      ¥3.4105 ¥3.59
    • 500+

      ¥3.0875 ¥3.25
    • 1000+

      ¥2.926 ¥3.08
  • 有货
  • 国产化 工作温度:-40℃~+85℃ 消费、工业、车载、通讯
    数据手册
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.88
  • 有货
  • ADV7533是一款多功能视频接口芯片,提供MIPI/DSI输入端口和HDMI数据输出。支持高达800 Mbps的数据速率,兼容HDCP 1.3协议。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.1942 ¥67.31
    • 10+

      ¥46.7208 ¥64.89
    • 12+

      ¥40.2318 ¥64.89
  • 有货
  • 低成本10位乘法DAC,具有全四象限乘法功能,可替代AD7520。
    数据手册
    • 1+

      ¥103.86
    • 10+

      ¥99.27
    • 30+

      ¥91.32
    • 100+

      ¥84.38
  • 订货
  • 采用8引脚DSO、TSSOP和WSON封装,以及小型通用的6引脚SOT23封装。高输出电流能力,结合有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥2.06
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.94
  • 有货
  • 此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻,从而产生出色的性能。此器件可承受雪崩模式下的高能量,二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。它适用于功率能效非常重要的应用,如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关,以及便携式和电池运行产品中的功率管理。之前开发型号 TA75339。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.84
    • 10+

      ¥12.68
    • 50+

      ¥11.34
  • 有货
  • 低成本10位乘法DAC,具有全四象限乘法功能,可替代AD7520。
    数据手册
    • 单价:

      ¥131.89 / 个
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型多功能 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥6.22
    • 30+

      ¥6.13
  • 有货
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.67
    • 30+

      ¥7.7
    • 100+

      ¥6.72
  • 有货
  • 是用于红外遥控系统的双透镜小型化接收器模块。每个透镜一个PIN二极管和一个前置放大器组装在引线框架上,环氧透镜盖包含一个红外滤光片。优化以抑制来自节能灯具(如CFL)的几乎所有杂散脉冲。如果连续传输,AGC3也可能抑制一些数据信号。包含非常强大的AGC5。该系列仅适用于严重嘈杂的环境。此组件未根据汽车规格进行鉴定。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.78
    • 10+

      ¥10.92
    • 30+

      ¥9.76
    • 100+

      ¥8.57
  • 有货
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