6V线性稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

是CMOS工艺的低Iq线性稳压器，具有使能控制功能。支持最大200 mA输出电流，典型静态电流仅1.4 μA。使用2.2 μF至10 μF的低ESR小型陶瓷输出电容时性能稳定。负载电流动态下降或上升时具有快速响应性能，特别是重负载下的负载电流动态变化。具有电流限制和热保护功能，可靠性高。固定输出电压范围为1 V至3.6 V，室温下输出电压精度、线性调整率和负载调整率为±1%。保证在-40°C至+125°C的结温范围内工作。提供SOT23-3、SOT23-5和DFN1x1-4封装。

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型号：TPL710F30-5TR 编号：C2961139

封装：SOT-23-5

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型号：TPL710F25-5TR 编号：C38389841

封装：SOT-23-5

是CMOS工艺的低Iq线性稳压器，具有使能控制功能。支持最大200 mA输出电流，典型静态电流仅1.4 μA。使用2.2 μF至10 μF的低ESR小型陶瓷输出电容时性能稳定。负载电流动态下降或上升时具有快速响应性能，特别是重负载下的负载电流动态变化。具有电流限制和热保护功能，可靠性高。固定输出电压范围为1 V至3.6 V，室温下输出电压精度、线性调整率和负载调整率为±1%。保证在-40°C至+125°C的结温范围内工作。提供SOT23-3、SOT23-5和DFN1x1-4封装。

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型号：TPL710F18-FR 编号：C37875324

封装：DFN-4(1x1)

是CMOS工艺的低Iq线性稳压器，具有使能控制功能。支持最大200 mA输出电流，典型静态电流仅1.4 μA。使用2.2 μF至10 μF的低ESR小型陶瓷输出电容时性能稳定。负载电流动态下降或上升时具有快速响应性能，特别是重负载下的负载电流动态变化。具有电流限制和热保护功能，可靠性高。固定输出电压范围为1 V至3.6 V，室温下输出电压精度、线性调整率和负载调整率为±1%。保证在-40°C至+125°C的结温范围内工作。提供SOT23-3、SOT23-5和DFN1x1-4封装。

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型号：AP2138N-3.6TRG1 编号：C5329414

封装：SOT-23-3

基于CMOS的正电压调节器IC，由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络和用于电流保护的限流电路组成。AP2139具有带快速放电功能的使能电路。这些IC具有高输出电压精度、极低的静态电流和低压差电压，适用于各种便携式应用的电源。有1.2V、1.4V、1.5V、1.8V、2.1V、2.2V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V和4.0V固定输出电压版本。AP2138系列采用SOT-23-3和SOT-89封装，AP2139系列采用SOT-23-5封装。

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型号：HT7560-2 编号：C259503

封装：SOT-89-3

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

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型号：AP7366EA-18W5-7 编号：C6124431

封装：SOT-25

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型号：NCP699SN33T1G 编号：C145536

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：AIC1747-25GU3TR 编号：C238237

封装：SOT-23

品牌：AIC(沛亨半导体)

针对使用陶瓷电容的操作进行优化，可提供 300mA 连续电流。专为对性能和空间有严苛要求的便携式射频和无线应用而设计。提供高精度输出电压，容差为 ±2%

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型号：HT7560-7 编号：C259530

封装：SOT-89-3

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

HT75xx-7 系列是一组 CMOS 技术实现的低功耗高电压稳压器。CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性。输入电压可高达 30V，且具有几个固定的输出电压，范围从 2.1V 到 12.0V。

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型号：AP7365-25EG-13 编号：C507886

封装：SOT-223

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

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型号：TLV751120280PDSQR 编号：C2860957

封装：WSON-10-EP(2x2)

TLV751 500mA、低 IQ、高 PSRR、双通道低压降 (LDO) 稳压器

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型号：NCP699SN50T1G 编号：C892679

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP699系列固定输出低压差线性稳压器（LDO）专为手持通信设备和需要低静态电流的便携式电池供电应用而设计。NCP699系列的特点是接地电流极低，仅为40 μA，且与负载电流无关。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的内部电阻、限流和温度限制保护电路。 NCP699设计用于搭配低成本电容器。该器件采用微型TSOP - 5表面贴装封装。标准电压版本有1.3、1.4、1.5、1.8、2.5、2.8、2.9、3.0、3.1、3.3、3.4、4.5和5.0 V。其他电压以100 mV为步进可选。

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型号：TPS7A0313PDBVR 编号：C2864827

封装：SOT-23-5

TPS7A03 是一款超小型、超低静态电流低压降线性稳压器 (LDO)，可提供 200mA 的电流以及出色的瞬态性能。 TPS7A03 具有超低 IQ（200nA），专为将超低静态电流作为关键参数的应用而设计。此器件即使在压降模式下也能保持低 IQ 消耗，从而进一步延长电池寿命。

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型号：LP3985IM5X-2.8/NOPB 编号：C2860706

封装：SOT-23-5

LP3985 具有旁路和使能功能的 150mA、低压降稳压器

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型号：TPS7A2018PDQNR 编号：C2878130

封装：X2-SON-4-EP(1x1)

TPS7A20 是一款超小型低压降 (LDO) 线性稳压器，可提供 300 mA 的输出电流。TPS7A20 旨在提供符合射频和其他敏感模拟电路要求的低噪声、高 PSRR 和出色的负载和线路瞬态性能。TPS7A20 采用创新的设计技术，无需噪声旁路电容便可提供超低的噪声性能。

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￥0.750197 / 个

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型号：AP2112R5-3.3TRG1 编号：C5564063

封装：SOT-89-5

是CMOS工艺的低压差线性稳压器，具有使能功能，可提供保证的600mA（最小值）连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%，具有非常快速的环路响应，可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能，当设备禁用时，通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性，提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。

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型号：AP7335-28WG-7 编号：C5553125

封装：SOT-25

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型号：TLV751180280PDSQR 编号：C2868032

封装：WSON-10-EP(2x2)

TLV751 500mA、低 IQ、高 PSRR、双通道低压降 (LDO) 稳压器

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型号：AP7366EA-39W5-7 编号：C21597561

封装：SOT-25

是一款600mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，如电池供电设备。典型静态电流约为60μA。内置电流限制和热关断功能可防止IC在故障条件下损坏。该设备输出电压可调范围为0.8V至5.0V，还有1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V和3.9V的固定输出版本。

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型号：TC1014-3.3VCT713 编号：C626340

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高精度（典型值为 +0.5%）的 CMOS 低压差稳压器（LDO），专为电池供电系统设计。CMOS 结构消除了浪费的接地电流，显著延长了电池寿命。总电源电流在满载时典型值为 50 μA（比双极稳压器低 20 至 60 倍）。具有超低噪声运行（可选旁路输入）、对负载阶跃变化的快速响应和非常低的压差电压，满载时典型值分别为 85 mV（TC1014）、180 mV（TC1015）和 270 mV（TC1185）

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￥3.01

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型号：NCV663SQ33T1G 编号：C464245

封装：SC-82AB

品牌：onsemi(安森美)

此系列低静态电流低漏 (LDO) 线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用，也可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应用作后级调节器件，因为该产品没有汽车电池运行内在的高输入瞬变电压保护。此系列具有 2.5?A 超低静态电流。每个器件都包含电压参考单元、误差放大器、PMOS 功率晶体管、用于设置输出电压的电阻，以及电流限值和温度限值电路等保护功能。NCV663 适用于低成本的陶瓷电容器，需要的最小输出电容为 0.1 ?F。该器件采用微型 SC82-AB 表面贴装封装。提供无铅电镀选件。标准电压版本为 1.5、1.8、2.5、2.7、2.8、3.0、3.3 和 5.0 V。

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￥3.18
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￥2.48
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￥2.18

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型号：TPS78450QWDRBRQ1 编号：C5220152

封装：SON-8(3x3)

TPS784-Q1 超低压降稳压器 (LDO) 是一款小型低静态电流 LDO，可提供 300mA 电流，具有出色的线路和负载瞬态性能。凭借低输出噪声和出色的 PSRR 性能，该器件适合为敏感型模拟负载供电。TPS784-Q1 具有 1.65V 至 6.0V 的输入电压范围和 1.2V 至 5.5V 的可调节输出电压范围，是一款灵活的后置稳压器件。

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1+
￥3.2
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￥3.12
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型号：TPS7A0323PDQNR 编号：C2867879

封装：X2-SON-4-EP(1x1)

TPS7A03 是一款超小型、超低静态电流低压降线性稳压器 (LDO)，可提供 200mA 的电流以及出色的瞬态性能。 TPS7A03 具有超低 IQ（200nA），专为将超低静态电流作为关键参数的应用而设计。此器件即使在压降模式下也能保持低 IQ 消耗，从而进一步延长电池寿命。

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￥3.23
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￥3.15
30+
￥3.09

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型号：TPS7A0328PDQNR 编号：C2864440

封装：X2-SON-4-EP(1x1)

TPS7A03 是一款超小型、超低静态电流低压降线性稳压器 (LDO)，可提供 200mA 的电流以及出色的瞬态性能。 TPS7A03 具有超低 IQ（200nA），专为将超低静态电流作为关键参数的应用而设计。此器件即使在压降模式下也能保持低 IQ 消耗，从而进一步延长电池寿命。

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1+
￥3.28
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￥3.2
30+
￥3.14

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型号：TC1014-1.8VCT713 编号：C626334

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高精度（典型值为 +0.5%）的 CMOS 低压差稳压器（LDO），专为电池供电系统设计。CMOS 结构消除了浪费的接地电流，显著延长了电池寿命。总电源电流在满载时典型值为 50 μA（比双极稳压器低 20 至 60 倍）。具有超低噪声运行（可选旁路输入）、对负载阶跃变化的快速响应和非常低的压差电压，满载时典型值分别为 85 mV（TC1014）、180 mV（TC1015）和 270 mV（TC1185）

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￥3.4
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型号：AP7365-20WG-7 编号：C7214735

封装：SOT-25

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型号：MIC5353-2.5YMT-TR 编号：C622364

封装：MLF-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高性能、单输出、超低LDO稳压器，提供低至30μVRMS的总输出噪声。能够提供500 mA输出电流，具有高PSRR和低输出噪声，适用于RF应用。提供2%的精度，极低的压差电压（500 mA时为160 mV）和低接地电流（典型值为90 μA），适用于电池供电应用。禁用时，进入零关断模式电流状态，几乎不消耗电流。采用1.6mm×1.6mm薄型UDFN封装，仅占用2.56mm²的PCB面积，与SC-70和2mm×2mm薄型UDFN封装相比，板面积减少36%。工作结温范围为-40℃至 + 125℃，有固定和可调输出电压版本，采用无铅（符合RoHS标准）薄型UDFN封装。

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1+
￥4.05
10+
￥3.97
30+
￥3.91

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型号：TPS74613PQWDRBRQ1 编号：C2878101

封装：SON-8-EP(3x3)