5.5V线性稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

ADP150是一款超低噪声（9 μV）、低压差线性稳压器，工作电压范围为2.2 V至5.5 V，最大输出电流可达150 mA。在150 mA负载下，其低压差仅为105 mV，可提高效率，并允许在较宽的输入电压范围内工作。ADP150采用创新的电路拓扑结构，无需额外的噪声旁路电容即可实现超低噪声性能，非常适合对噪声敏感的模拟和射频应用

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型号：TPS76901DBVR 编号：C2867141

封装：SOT-23-5

10V、100mA、低 Iq、低压降线性稳压器 5-SOT-23 -40 to 125

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型号：TPS73733DCQ 编号：C5220270

封装：SOT-223-6

TPS737xx 系列线性低压降(LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用了NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻(ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与1μF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。

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型号：GM1500ACPZ-0.8-R7 编号：C42389599

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1500ACPZ-0.8-R7是一款超小型、超低压差、低静态电流(LDO)。该器件能够实现 700mA 的拉电流并具有出色的交流性能（负载和线路瞬态响应）。该器件具有 0.75V 至 5.5V 的输入范围以及 0.5V 至 3.7V 的输出范围，并在负载、线路和温度上具有 1.5% 的极高精度。此性能非常适合于为更低的现代微控制器 (MCU) 内核电压和模拟传感器供电。可用于区块链矿机摄像头模块、可穿戴设备、便携式医疗设备、固态硬盘等。

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型号：ST1L05BPUR 编号：C155640

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

是一种低压降线性稳压器，可提供高达 1.3 A 的输出电流。输出电压固定为 1.8 V、2.5 V、3.3 V，并且可调节。有三种不同引脚排列的版本。由于采用 BiCMOS 技术，在整个允许的结温范围内，静态电流可控制并保持在 650 μA 以下。使用低 ESR 输出陶瓷电容时稳定。内部保护电路包括带迟滞的热保护和过流限制。适用于数据存储应用，如硬盘驱动器，可为读取通道和存储芯片提供 3.3 V 电压。有小型薄型 DFN6 (3×3mm) 和 DFN8 (4×4mm) 封装。

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型号：LP3878MRX-ADJ/NOPB 编号：C411875

封装：SO-8-EP

LP3878-ADJ 具有使能功能的 800mA、16V、可调节低压降稳压器

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型号：MP20051DN-LF-Z 编号：C3745227

封装：SOIC-8-EP

品牌：MPS(芯源)

MP20051是一款低压差线性稳压器，可提供高达1A的电流，压差电压为140mV。在2.5V至5.5V的输入电压下，其外部可调输出电压范围为0.8V至5V。内部PMOS传输元件使接地电流低至110μA，这使得MP20051适用于电池供电设备

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型号：ADP323ACPZ-R7 编号：C143893

封装：LFCSP-16(3x3)

ADP322/ADP323 200 mA 三输出低压差线性稳压器（LDO）集高电源抑制比（PSRR）、低噪声、低静态电流和低压差电压等特性于一身，可延长便携式设备的电池续航时间，非常适合对性能和电路板空间有严格要求的无线应用。在低裕量电压下工作时，ADP322/ADP323 在高达 100 kHz 的频率下电源抑制比大于 60 dB。与同类 LDO 相比，ADP322/ADP323 无需使用噪声旁路电容即可实现更低的噪声性能

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型号：TPS79225DBVR 编号：C2872871

封装：SOT-23-5

超低噪声、高 PSRR、快速、射频、100mA 的低压降线性稳压器 5-SOT-23 -40 to 125

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型号：LP38513TJ-ADJ/NOPB 编号：C201606

封装：TO-263-5

LP38513-ADJ 具有低噪声和使能功能的 3A、可调节超低压降稳压器

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型号：TPS7A9601DSCR 编号：C22015929

封装：WSON-10(3x3)

TPS7A96 是一款超低噪声 (0.5 μV_RMS)、低压降 (LDO) 稳压器，能够以仅 200mV 的压降提供 2A 电流。低压降与宽带宽误差放大器相结合，可在低工作裕量 (500mV) 和高输出电流 (1.75 A) 下实现非常高的 PSRR (1kHz 时为 104dB，1MHz 时为 48dB)。

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型号：TPS75801KTTR 编号：C182329

封装：TO-263-5

TPS758 快速瞬态响应 3A 低压降稳压器

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型号：ADP7156ACPZ-2.0-R7 编号：C659369

封装：LFCSP-10

线性稳压器工作电压范围为2.3V至5.5V，可提供高达1.2A的输出电流。采用先进的专有架构，具有高电源抑制比和超低噪声，仅需一个10μF陶瓷输出电容即可实现出色的线路和负载瞬态响应。有16种标准输出电压可供选择，现货提供的电压有1.2V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V和3.3V，特殊订单可提供1.3V、1.5V、1.6V、2.2V、2.6V、2.7V、2.9V、3.1V和3.2V。典型输出噪声在100Hz至100kHz范围内为0.9μV rms，10kHz至1MHz的噪声谱密度为1.7nV/√Hz

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型号：ADP7156ACPZ-2.5-R7 编号：C659370

封装：LFCSP-10(3x3)

线性稳压器工作电压范围为2.3V至5.5V，可提供高达1.2A的输出电流。采用先进的专有架构，具有高电源抑制比和超低噪声，仅需一个10μF陶瓷输出电容即可实现出色的线路和负载瞬态响应。有16种标准输出电压可供选择，现货提供的电压有1.2V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V和3.3V，特殊订单可提供1.3V、1.5V、1.6V、2.2V、2.6V、2.7V、2.9V、3.1V和3.2V。典型输出噪声在100Hz至100kHz范围内为0.9μV rms，10kHz至1MHz的噪声谱密度为1.7nV/√Hz

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型号：MG6226T3-18 编号：C22396249

封装：SOT-23-3

MG6226 是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有短路保护的CMOS 电压稳压器。它在空载时的静态电流低至0.5uA，能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA 的输出电流，并且仍能保持良好的调整率，非常适用于便携式电池供电类产品、语音和图像设备类产品等。MG6226 保留了低压差稳压器的所有常见特性，包括低压差 PMOS 通路器件、短路保护和热关断。

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￥0.1741
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型号：MG6226T3B-18 编号：C22396250

封装：SOT-23-3

MG6226 是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有短路保护的CMOS 电压稳压器。它在空载时的静态电流低至0.5uA，能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA 的输出电流，并且仍能保持良好的调整率，非常适用于便携式电池供电类产品、语音和图像设备类产品等。MG6226 保留了低压差稳压器的所有常见特性，包括低压差 PMOS 通路器件、短路保护和热关断。

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型号：MG6226T3B-33 编号：C42411000

封装：SOT-23-3

MG6226是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有短路保护的CMOS电压稳压器。它在空载时的静态电流低至0.5uA，能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA的输出电流，并且仍能保持良好的调整率，非常适用于便携式电池供电类产品、语音和图像设备类产品等。MG6226保留了低压差稳压器的所有常见特性，包括低压差PMOS通路器件、短路保护和热关断。

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型号：MG6226T3B-30 编号：C48678134

封装：SOT-23-3

输出类型:固定输入电压:5.5V 输出电压:3V 输出电流:300mA 纹波抑制比PSRR:45(dB@1KHz) 压差(mv):150@100mA 待机电流:0.5uA 工作温度:-40℃~ +125℃ 输出极性：正极输出通道数:1

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型号：MG6226D4-18 编号：C22396246

封装：DFN-4L(1x1)

MG6226 是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有短路保护的CMOS 电压稳压器。它在空载时的静态电流低至0.5uA，能在输入、输出电压差极小的情况下提供300mA 的输出电流，并且仍能保持良好的调整率，非常适用于便携式电池供电类产品、语音和图像设备类产品等。MG6226 保留了低压差稳压器的所有常见特性，包括低压差 PMOS 通路器件、短路保护和热关断。

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￥0.2261
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￥0.1721
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型号：DS8561-12D4 编号：C5884105

封装：DFN1x1-4L

高PSRR，低功耗

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型号：DS8562-18S5 编号：C5884111

封装：SOT-23-5

DS8562系列是一组低压差（LDO）电压稳压器，具备输入电压范围宽（1.2V至5.5V）、压差低、功耗低以及封装小型化等优势。

10+
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型号：DS8561-28S5 编号：C5795636

封装：SOT23-5

高PSRR，低功耗 DS8561 系列是一组低压差（LDO）转换器，具有1.2V 至5.5V 宽电压输入范围、低压差、低功耗和小型化封装的等特性。 DS8561 低至2uA 低静态电流特性，特别适合用于电池供电、长时间待机系统设备应用，能帮助降低系统设备的待机功耗，有效延长待机时间和电池使用寿命。 DS8561有带EN 使能引脚的版本可选，将EN 脚拉低可进入关断模式，此关断模式下静态电流可降至仅100nA（典型值）。

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型号：DS8561-18D4 编号：C5795639

封装：DFN1x1-4L

高PSRR，低功耗 DS8561 系列是一组低压差（LDO）转换器，具有1.2V 至5.5V 宽电压输入范围、低压差、低功耗和小型化封装的等特性。 DS8561 低至2uA 低静态电流特性，特别适合用于电池供电、长时间待机系统设备应用，能帮助降低系统设备的待机功耗，有效延长待机时间和电池使用寿命。 DS8561有带EN 使能引脚的版本可选，将EN 脚拉低可进入关断模式，此关断模式下静态电流可降至仅100nA（典型值）。

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型号：DS8561-33D4 编号：C5795642

封装：DFN1x1-4L