KIA半导体线性稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LF120ABDT-TR 编号：C222115

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

LFXX是一款极低压差稳压器，提供TO - 220、TO - 220FP、DPAK和PPAK封装，输出电压范围广泛。其低压差（0.45 V）和低静态电流特性使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其适用于电池供电系统。

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型号：LE33CZ-TR 编号：C2970701

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

是一款非常低压差稳压器，有SO-8、TO-92封装，输出电压范围广。非常低压差（0.2 V）和低静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用以及电池供电系统。该器件与L78L系列引脚兼容。此外，在8引脚配置（SO-8）中，它使用关断逻辑控制（引脚5，与TTL兼容），这意味着当该器件用作局部稳压器时，电路板的一部分可以进入待机状态，从而降低总功耗。在三端配置（TO-92）中，该器件始终处于导通状态。它需要一个2.2 μF的电容来保证稳定性，可减小元件尺寸和成本。

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￥3.23
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型号：LF25CDT-TR 编号：C2857851

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

LFXX是一款极低压差稳压器，提供TO - 220、TO - 220FP、DPAK和PPAK封装，输出电压范围广泛。其低压差（0.45 V）和低静态电流特性使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其适用于电池供电系统。

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￥4.02
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型号：L7912CD2T-TR 编号：C57134

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用 TO-220、TO-220FP 和 D²PAK 封装，有多种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些调节器可提供板载本地稳压，消除单点稳压带来的分配问题；此外，由于与 L78 正电压标准系列具有相同的电压选项，它们特别适用于正负电源。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1.5A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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型号：KF50BD-TR 编号：C222151

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

该产品为非常低压差稳压器，有SO-8和DPAK封装，输出电压范围广。非常低的压差电压（0.4 V）和极低的静态电流使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其是电池供电系统。具备关断逻辑控制功能（5引脚，TTL兼容），这意味着当该器件用作局部稳压器时，可以使部分电路板进入待机状态，降低总功耗。仅需一个2.2 μF的电容来保证稳定性，节省空间和成本。

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￥5.27
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型号：LD1086D2M33TR 编号：C262918

封装：D2PAK-A

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降电压调节器，能够提供高达1.5A的输出电流。在最大输出电流下，压降保证最大为1.2V，在较低负载时会降低。与旧的三端可调稳压器引脚兼容，但在压降和输出容差方面性能更好。与PNP稳压器不同，其静态电流流入负载，提高了效率

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型号：ST1L05APU33R 编号：C283488

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

是一种低压降线性稳压器，可提供高达 1.3 A 的输出电流。输出电压固定为 1.8 V、2.5 V、3.3 V，并且可调节。有三种不同引脚排列的版本。由于采用 BiCMOS 技术，在整个允许的结温范围内，静态电流可控制并保持在 650 μA 以下。使用低 ESR 输出陶瓷电容时稳定。内部保护电路包括带迟滞的热保护和过流限制。适用于数据存储应用，如硬盘驱动器，可为读取通道和存储芯片提供 3.3 V 电压。有小型薄型 DFN6 (3×3mm) 和 DFN8 (4×4mm) 封装。

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￥6.86
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型号：LD1085D2M-R 编号：C2961010

封装：D2PAK-3

品牌：ST(意法半导体)

LD1085是一款低压差稳压器，能够提供高达3 A的输出电流。在最大输出电流下，压差保证最大为1.2 V，在较低负载时压差会减小。

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￥7.53
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￥6.24
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￥5.54
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型号：IBSP3032ADJST5R00 编号：C18164956

封装：SOT23-5

品牌：Inbisen(英彼森半导体)

宽压高PSRR低噪声LDO,20V,300mA,可调输出

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￥9.8
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型号：GM1207AUJZ-R7 编号：C22358801

封装：SOT-23

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1207AUJZ是一款CMOS、高压、低功耗、高 PSRR 、低噪声低压差的（LDO）线性稳压器，最大输出电流为 300 mA，低噪声：8.5uVRMS。该器件采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流，出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域,适应噪声敏感应用.

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型号：GM1207AUJZ-1-R7 编号：C22358804

封装：SOT-23

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1207AUJZ-1是一款CMOS、高压、低功耗、高 PSRR 、低噪声、低压差的（LDO）线性稳压器，最大输出电流为 300 mA，低噪声：8.5uVRMS。该器件采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流，出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域，适应噪声敏感应用。

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型号：GM1400ARHZ-R7 编号：C22358803

封装：MSOP-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1400ARHZ-R7是一款高压、低噪声、高精度、低压差、低功耗的线性稳压器（LDO)，采用 1.9V 至 40V 电源供电，最大输出电流为300mA，低噪声：8.5uVRMS。这款高输入电压 LDO 适用于调节 36V 至1.22V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该器件采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流且具有出色的散热性能，适应噪声敏感应用ADC 和 DAC 电路，精密放大器和 VCO 控制供电、通信和基础设施、医疗和保健、工业与仪器仪表、汽车电子，用户可编程软启动。

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型号：GM1400AUJZ-5-R7 编号：C21882468

封装：SOT-23

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1400 AUJZ-5是一款高压、低噪声、高精度、低压差线性稳压器，能够为 300mA 供电，压差典型值为 266mV，，适应噪声敏感应用，ADC 和 DAC 电路，精密放大器和 VCO 控制供电通信和基础设施，医疗和保、健工业仪器仪表、汽车电子

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型号：GM12046ACPZ-5-R7 编号：C41380354

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM12046ACPZ -5是一款高电流、低噪声、高精度、低压差线性稳压器，专为快速瞬态响应而优化。该装置能够提供 2A 的输出电流，典型压降为 220mV。该器件非常适合服务器、数据计算和对噪声敏感的医疗影像应用。低噪声：9μVRMS（10Hz 至 100kHz）电源抑制比：75dB/62dB（100Hz/100kHz）工作温度：−40°C 至 +125°C

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￥16.04
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型号：GM12041ARDZ-3.3-R7 编号：C19272621

封装：SOIC-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM12041ARDZ-3.3-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO)，可提供1.5A的输出电流。压差：160mV。超低噪声：9.8μVRMS（10Hz 至 100kHz）。PSSR（电源抑制比）：75dB/62dB（100Hz/100kHz）。

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￥19.97
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￥14.94
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型号：GM1203BACPZ-3-R7 编号：C20421905

封装：QFN-20(3.5x3.5)

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM1203BACPZ-3-R7是一款高精度低噪声、低压差线性稳压器 (LDO)，可提供 4A的输出电流。压差：250mV。超低噪声：3µVRMS/0.8VOUT。PSSR（电源抑制比）：42dB/500kHz。工作温度：−40°C to +125°C。

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￥23.62
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￥19.88
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￥17.67
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￥15.43

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型号：XC6206P302MR 编号：C22466435

封装：SOT-23-3

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

XC6206系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流（6.5uATyp.），它们能在输入、输出电压差极小的情况下提供200mA的输出电流，并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和静态偏置电流很小，这些器件特别适用于希望延长电池寿命的电池供电类产品，如计算机、消费类产品和工业设备等。