KIA半导体线性稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HE2021A40HPR 编号：C5123367

封装：SOT-89-3

品牌：HEERMICR(赫尔半导体)

PSRR:60db@1KHZ,低压差：400mV@100mA

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￥0.7614
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￥0.6078
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￥0.376

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型号：HE6236MPR 编号：C711939

封装：SOT-89-3

品牌：HEERMICR(赫尔半导体)

是一组正电压输出的三引脚稳压器，即使输入/输出电压差较小时也能提供高电流。通过CMOS和激光微调技术实现了低功耗和高精度。由高精度电压基准、误差放大电路和限流输出驱动器组成。与现有系列相比，对负载变化的瞬态响应有所改善。提供SOT89-3、SOT89-5、SOT23-3和SOT23-5封装。

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￥0.8248
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￥0.652
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￥0.449
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型号：LD501PCSOT-33 编号：C5359424

封装：SOT23-5

品牌：analogysemi(类比半导体)

电源抑制比(dB) 70 均方根噪声(?Vrms) 15.5

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￥1.24
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￥1.21
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￥1.19
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￥1.17

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型号：LDK220U50R 编号：C2970879

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压差电压调节器，可从2.5V至13.2V的输入电压提供最大200mA的输出电流，典型压差为100mV。输出端使用陶瓷电容器进行稳定。极低的压差、低静态电流和低噪声使其适用于电池供电应用。使能逻辑控制功能可将其置于关断模式，使总电流消耗低于1μA。该器件还包括短路恒流限制和热保护。

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1+
￥1.78
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￥1.71
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￥1.66

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型号：LD59030DTPU18R 编号：C2970789

封装：DFN-4(1x1)

品牌：ST(意法半导体)

LD59030高精度电压调节器可在1.5 V至5.5 V的输入电压范围内提供最高300 mA的电流，在VOUT = 3.3 V时，典型压差为135 mV。它采用DFN4 1x1封装，可最大程度节省空间。

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1+
￥1.82
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￥1.78
30+
￥1.75

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型号：LDLN025M45R 编号：C5268028

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

LDLN025 是一款 250 mA 的低压差稳压器，能够在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作。在 250 mA 负载下，典型压差为 120 mV。

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￥2.04
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￥2
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￥1.97

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型号：LD1117DTC-R 编号：C672206

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

是一种低压差电压调节器，能够提供高达 800 mA 的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V 和 5.0V。采用 SOT-223、DPAK、SO-8 和 TO-220 封装。SOT-223 和 DPAK 表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间

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￥2.62
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￥2.06
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￥1.82
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型号：LD56050DPU120R 编号：C2971137

封装：DFN-4(1.2x1.2)

品牌：ST(意法半导体)

是高精度电压调节器，可提供 0.5 A 电流。配备 NMOS 传输晶体管，其栅极由专用引脚偏置，即使在非常低的输入电压下也能实现超低压降性能。采用 DFN4 1.2 x 1.2 封装，可最大程度节省空间。该器件通过输出端的小型陶瓷电容器实现稳定。超低压降、低静态电流和短路电流折返特性使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能可将其置于关断模式，使总电流消耗低于 0.1μA，还具备热保护功能。

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1+
￥2.69
10+
￥2.63
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￥2.59

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型号：LDK320AM25R 编号：C2965407

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

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￥2.99
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￥2.92
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￥2.87

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型号：LD39020DTPU25R 编号：C3751314

封装：DFN-4(1x1)

品牌：ST(意法半导体)

高精度电压调节器可从1.5V至5.5V的输入电压提供200mA的最大电流，典型压差为200mV。它采用DFN4 1x1和SOT23-5L封装，可最大程度节省空间。该器件通过输出端的陶瓷电容实现稳定。超低的压差、低静态电流和低噪声特性，以及内部软启动电路，使该调节器适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能可将调节器置于关断模式，使总电流消耗低于0.1μA。还提供恒流和热保护。

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￥3
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￥2.92
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￥2.87
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￥2.82

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型号：STLQ50C50R 编号：C2965233

封装：SOT-323-5L

品牌：ST(意法半导体)

50mA，3 μA供电电流低压降线性调压器

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￥3.17
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￥3.1
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￥3.05

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型号：LDK130M10R 编号：C5267910

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

提供最大300 mA的电流，输入电源电压范围为1.9 V至5.5 V，典型压差为100 mV。输出端采用陶瓷电容进行稳定。极低的压差、低静态电流和低噪声特性使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能可将其置于关断模式，使总电流消耗低于1 μA。该器件还包括短路恒流限制和热保护。

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￥3.21
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￥3.12
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￥3.07

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型号：L79L05ACZ-TR 编号：C3749639

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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￥3.23
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￥2.56
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￥2.28

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型号：LDK130M33RY 编号：C2970155

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

提供最大300 mA的电流，输入电源电压范围为1.9 V至5.5 V，典型压差为100 mV。输出端采用陶瓷电容进行稳定。极低的压差、低静态电流和低噪声特性使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能可将其置于关断模式，使总电流消耗低于1 μA。该器件还包括短路恒流限制和热保护。

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￥3.34
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￥3.26
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￥3.21

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型号：LD1117V50C 编号：C3750448

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

是一种低压差电压调节器，能够提供高达 800 mA 的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V 和 5.0V。采用 SOT-223、DPAK、SO-8 和 TO-220 封装。SOT-223 和 DPAK 表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间

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￥3.42
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￥2.73
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￥2.39
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型号：LDFM33PVR 编号：C2965389

封装：DFN-6(2x2)

品牌：ST(意法半导体)

是一款快速、极低压降的线性稳压器，工作输入电源电压范围为 2.5V 至 16V。有固定和可调输出电压版本，范围从 0.8V 到 12V。具有高输出精度、极低的压降、低噪声和低静态电流，适用于低电压微处理器和内存应用。PPAK/DFN 封装具有使能逻辑控制引脚和电源正常输出。提供电流和热保护。

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1+
￥3.43
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￥3.35
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￥3.29

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型号：LDK120M30R 编号：C2892867

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

该低压差电压调节器可从1.9V至5.5V的输入电源电压提供最大200mA的电流，典型压差电压为100mV。它通过输出端的陶瓷电容器实现稳定。极低的压差电压、低静态电流和低噪声特性使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能可将其置于关断模式，使总电流消耗低于1μA。该器件还包括短路恒流限制和热保护。

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￥3.49
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￥2.73
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￥2.41
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￥2.01

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型号：LDFM33PUR 编号：C2969767

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

是一款快速、极低压降的线性稳压器，工作输入电源电压范围为 2.5V 至 16V。有固定和可调输出电压版本，范围从 0.8V 到 12V。具有高输出精度、极低的压降、低噪声和低静态电流，适用于低电压微处理器和内存应用。PPAK/DFN 封装具有使能逻辑控制引脚和电源正常输出。提供电流和热保护。

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￥3.7
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￥3.6
30+
￥3.54

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型号：LD3985M25R 编号：C5267947

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

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￥3.81
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型号：LDK320AU50R 编号：C2971360

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降稳压器，可在2.5V至18V的输入电压范围内提供最大200mA的输出电流，典型压降为100mV。它通过输出端的陶瓷电容实现稳定。良好的动态特性，结合低压降和低静态电流，使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能允许该稳压器在关机模式下消耗的总电流低于1μA。该器件还包括短路电流限制、热保护和SOA保护。

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1+
￥3.95
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￥3.86
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￥3.8

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型号：LK112M80TR 编号：C2798215

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

是一款带有内置电子开关的低压差线性稳压器。内部开关可由 TTL 或 CMOS 逻辑电平控制。当控制引脚拉至逻辑高电平时，设备处于导通状态。可在噪声旁路引脚连接外部电容，将输出噪声水平降低至 30 μVrms。采用内部 PNP 传输晶体管实现低压差。在导通模式下静态电流非常低，而在关断模式下，Iq 最大可降至 100 nA 以下。内部热关断电路将结温限制在 150°C 以下。内部监控负载电流，当输出端出现短路或过流情况时，设备会关断。

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1+
￥4.22
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￥3.43
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￥3.03
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￥2.64

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型号：L7815ACD2T-TR 编号：C2798208

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

该系列三端正电压调节器有 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装以及几种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载局部调节，消除了单点调节带来的分配问题。每种类型都内置了内部电流限制、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件也可以与外部组件一起使用，以获得可调电压和电流。

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1+
￥4.23
10+
￥3.43
30+
￥3.03

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型号：LDBL20D-18R 编号：C5268014

封装：STSTAMP-4(0.5x0.5)

品牌：ST(意法半导体)

200 mA超低静态电流线性稳压器IC，（0.47x0.47）mm2 ST STAMP 封装

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￥4.75
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￥4.63
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￥4.56
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￥4.48

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型号：IBSP3032ADJST5AR00 编号：C18164957

封装：SOT23-5

品牌：Inbisen(英彼森半导体)

宽压高PSRR低噪声LDO,20V,300mA,可调输出,不带EN

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￥6.09
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￥5.95
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￥5.85
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型号：LDK715M33R 编号：C2688674

封装：SOT-23-5L

品牌：ST(意法半导体)

是一款高压、超低静态电流和低压降线性稳压器，能够提供超过 85 mA 的输出电流。该器件的输入电压范围为 4.3 V 至 24 V，使用输出陶瓷电容时稳定。故障条件保护包括短路电流限制。满载时 5 μA 的超低静态电流使其非常适合低功耗应用和电池供电系统。较宽的输入电压范围使该产品成为低功耗工业应用的理想解决方案。有 SOT23-5 或 DFN8 3x3-8 引脚封装。

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1+
￥6.19
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￥4.95
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￥4.32

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型号：LF50CPT-TR 编号：C2970955

封装：TO-252-5

品牌：ST(意法半导体)

LFXX是一款极低压差稳压器，提供TO - 220、TO - 220FP、DPAK和PPAK封装，输出电压范围广泛。其低压差（0.45 V）和低静态电流特性使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其适用于电池供电系统。

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1+
￥6.27
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￥5.15
30+
￥4.54
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￥3.84

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型号：STLQ020C33R 编号：C2970558

封装：SOT-323-5

品牌：ST(意法半导体)

是一款200 mA低压差稳压器，能够在2 V至5.5 V的输入电压范围内工作。最大负载时的典型压差为160 mV。超低静态电流，无负载时仅为0.3 μA，可延长需要很长待机时间的应用的电池寿命。即使器件本身的功耗超低，由于其自适应偏置电路，仍能够提供快速瞬态响应和良好的PSRR性能。使能引脚可将其置于关断模式，将总电流消耗降至5 nA。设计用于在压差操作期间也能控制并保持低静态电流，有助于进一步延长电池供电设备的工作时间。还包括短路恒流限制和热保护。有多种小型封装选项可供选择。

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1+
￥6.68
10+
￥5.43
30+
￥4.8

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型号：LDFPUR 编号：C2970115

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

LDF是一款快速、超低压降线性稳压器，其输入电源电压范围为2.6 V至16 V。它有固定输出电压和可调输出电压两种版本，输出电压范围为0.8 V至12 V。

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1+
￥6.82
10+
￥6.65
30+
￥6.54

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型号：LD39100PU18RY 编号：C2970612

封装：DFN-6(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

LD39100可提供最高1 A的电流，输入电压范围为1.5 V至5.5 V，典型压差为200 mV。该器件在输入和输出端使用陶瓷电容时能保持稳定。超低的压差、低静态电流和低噪声特性使其适用于低功耗电池供电应用

1+
￥6.99
10+
￥6.82
30+
￥6.7

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型号：L4931CD33-TR 编号：C2688688

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

是一款低压降稳压器，有 SO-8、DPAK、PPAK 和 TO-92 等封装形式，输出电压范围广。极低的压降（0.4 V）和极低的静态电流，使其特别适用于低噪声、低功耗应用，尤其是电池供电系统。PPAK 和 SO-8 封装具备 TTL 兼容的关断逻辑控制功能，作为本地稳压器使用时，可使电路板部分进入待机模式，降低总功耗。仅需 2.2 μF 电容即可保证稳定性，节省空间和成本。仅 SO-8 封装有汽车级版本，该器件符合汽车市场 AEC-Q100 规范，工作温度范围为-40℃ 至 125℃，并进行了 PAT、SYL、SBL 统计测试。

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