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首页 > 热门关键词 > 南京微盟线性稳压芯片
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P型,3.3V固定输出,Iout=300mA,Vin=6V(Max) ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流(8.0μA Typ.),它们能在输入、输出电压差极小的情况下提 300mA 的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、消费类产品和工业设备等。
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    ¥0.3375
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  • ME6206B系列是采用CMOS和激光微调技术制造的高精度、低功耗、高电压正电压稳压器。该系列能够在极低的压差下提供大电流。该系列与低ESR陶瓷电容兼容
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  • 是高精度、低噪声的LDO稳压器,能够提供超过1A的输出电流,在1A时最大压差电压为1.3V(ME6118A33)。该系列包含1.2V、1.8V、2.5V和3.3V四种固定输出电压,无需最小负载即可保持稳压。片上调谐可将参考/输出电压调整到±2%的精度范围内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达18V的输入电压下工作。
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  • ME6239系列是低压差线性稳压器,内置电压基准模块、误差放大器模块和反馈电阻网络。ME6239可提供250mA的输出电流,允许高达30V的输入电压。该系列具备从1开始的内部反馈电阻设置功能
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  • 高准确度的CMOS LDO电压调节器,提供低功耗、高纹波抑制比和低压差,非常适合当今前沿的手机。内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、限流器和相位补偿器。限流器的折返电路还可作为输出限流器和输出引脚的短路保护。还与低ESR陶瓷电容器完全兼容,可降低成本并提高输出稳定性。即使在频繁的负载波动期间,也能保持高水平的输出稳定性,这得益于在很宽的频率范围内实现了出色的瞬态响应性能和高PSRR。CE功能允许关闭稳压器的输出,从而大大降低功耗。
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  • ME6228是一款采用CMOS工艺制作的低压差、低功耗线性稳压器,内置基准电路、误差放大器以及反馈电阻网络。ME6228输入电压最高达到30V,输出电流最大150mA。内部反馈电压可以设置固定输出电压,电压范围从1.5V到12V。
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  • ME6214 系列是以 CMOS 工艺制造的超低静态功耗、低压差线性稳压器。稳压器消耗电流约 0.7μA ,使能关断后功耗为 0.01μA(典型)。内置使能控制,限流电路以及折返短路保护,并有使能控制输出电容自动放电功能。
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  • 高精度、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。与低ESR陶瓷电容器兼容。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
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  • ME6212 系列是以 CMOS 工艺制造的高精度,高纹波抑制比,低噪音,超快响应低压差线性稳压器。ME6212 系列稳压器内置固定的参考电压源,误差修正电路,限流电路,相位补偿电路以及低内阻的 MOSFET,达到高纹波抑制,低输出噪音,超快响应低压差的性能。
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  • ME6231系列是以CMOS工艺制造的18V耐压、低功耗、高PSRR,高精度低压差线性稳压器。ME6231系列稳压器内置固定电压基准,温度保护,限流电路,相位补偿电路以及低内阻的MOSFET,达到高纹波抑制,高精度低压差的性能。 ME6231系列兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容,而且不需使用0.1μF的By-pass电容,更能节省空间。
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  • ME6215系列是采用CMOS和激光微调技术制造的高精度、低功耗、高电压正电压调节器。该系列能以极低的压差提供大电流。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护
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  • 超低功耗LDO ME6214 系列是以 CMOS 工艺制造的超低静态功耗、低压差线性稳压器。稳压器消耗电流约 0.7uA ,使能关断后功耗为 0.01uA(典型)。内置使能控制,限流电路以及折返短路保护,并有使能控制输出电容自动放电功能。
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  • 是低dropout线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于CMOS工艺,允许高电压输入和低静态电流。具有内部反馈电阻设置功能,输出电压范围为3.0V至5.0V,输出精度为±2%。
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  • 高精度、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。与低ESR陶瓷电容器兼容。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
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  • 是高精度、低噪声的LDO稳压器,采用CMOS技术制造,输入电压超过30V。该系列包含3.0V、3.3V和5.0V三种固定输出电压,无需最小负载即可保持稳压。片上调谐可将输出电压调整到±2.5%的精度范围内。由输出电流限制、驱动晶体管、精密参考电压和误差放大器组成。输出电压可在1.5V至6.0V之间以100mV的步长选择。器件采用SOT-89封装(500mW)。
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  • 是低dropout线性稳压器,内置电压参考模块、误差校正模块和相位补偿模块。基于CMOS工艺,允许高电压输入和低静态电流。具有内部反馈电阻设置功能,输出电压范围为3.0V至5.0V,输出精度为±2%。
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  • 是正电压输出的三引脚稳压器,即使输入输出电压差较小时也能提供高电流。通过CMOS技术实现低功耗和高精度。允许高达18V的输入电压。
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      ¥0.3673
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  • ME6228是一款采用CMOS工艺制作的低压差、低功耗线性稳压器,内置基准电路、误差放大器以及反馈电阻网络。ME6228输入电压最高达到30V,输出电流最大150mA。内部反馈电压可以设置固定输出电压,电压范围从1.5V到12V。
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      ¥0.3673
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  • 输入电压高达30V,输出电流250mA,抑制上电时输出电压过冲,超低静态电流功耗,低温系数,精度1% ME6239是一款采用CMOS工艺制作的低压差、低功耗线性稳压器,内置基准电路、误差放大器以及反馈电阻网络。ME6239输入电压最高达到30V,输出电流最大250mA。内部反馈电压可以设置固定输出电压,电压范围从1.5V到12V。
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    • 10+

      ¥0.4154
    • 100+

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  • 低压差线性稳压(LDO)/5V 400mA , 最高18V输入, SOT-89封装
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  • 有货
  • 高精度、低噪声的CMOS LDO稳压器。具有低输出噪声、高纹波抑制比、低压差和极快的开启时间,非常适合当今的前沿手机。内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限制器和相位补偿器。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。与低ESR陶瓷电容器完全兼容,可降低成本并提高输出稳定性。即使在频繁的负载波动期间,由于在很宽的频率范围内具有出色的瞬态响应性能和高PSRR,也能保持高水平的输出稳定性。CE功能允许关闭稳压器的输出,从而大大降低功耗。
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    • 10+

      ¥0.3426
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  • ME6231系列是以CMOS工艺制造的18V耐压、低功耗、高PSRR,高精度低压差线性稳压器。ME6231系列稳压器内置固定电压基准,温度保护,限流电路,相位补偿电路以及低内阻的MOSFET,达到高纹波抑制,高精度低压差的性能。 ME6231系列兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容,而且不需使用0.1μF的By-pass电容,更能节省空间。
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    • 10+

      ¥0.4134
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      ¥0.2426
  • 有货
  • 是高精度、低噪声的LDO稳压器,能够提供超过1A的输出电流,在1A时最大压差电压为1.3V(ME6118A33)。该系列包含1.2V、1.8V、2.5V和3.3V四种固定输出电压,无需最小负载即可保持稳压。片上调谐可将参考/输出电压调整到±2%的精度范围内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达18V的输入电压下工作。
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    • 5+

      ¥0.5344
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      ¥0.3337
    • 2000+

      ¥0.3047
  • 有货
  • 高精度、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。与低ESR陶瓷电容器兼容。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。
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  • 有货
  • 是一组正电压输出的三引脚稳压器,即使在输入/输出电压差较小时也能提供大电流。通过CMOS技术实现低功耗和高精度,允许高达18V的输入电压。
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      ¥0.2033
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  • 高精度、低噪声的CMOS LDO稳压器。具有低输出噪声、高纹波抑制比、低压差和极快的开启时间,非常适合当今的前沿手机。内部包括参考电压源、误差放大器、驱动晶体管、电流限制器和相位补偿器。电流限制器的折返电路还可作为输出电流限制器和输出引脚的短路保护。与低ESR陶瓷电容器完全兼容,可降低成本并提高输出稳定性。即使在频繁的负载波动期间,由于在很宽的频率范围内具有出色的瞬态响应性能和高PSRR,也能保持高水平的输出稳定性。CE功能允许关闭稳压器的输出,从而大大降低功耗。
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  • ME6228是一款采用CMOS工艺制作的低压差、低功耗线性稳压器,内置基准电路、误差放大器以及反馈电阻网络。ME6228输入电压最高达到30V,输出电流最大150mA。内部反馈电压可以设置固定输出电压,电压范围从1.5V到12V。
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    • 10+

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  • ME1117系列是高精度、低噪声的低压差(LDO)电压调节器,能够提供超过1.0A的输出电流,在1A时的最大压差为1.3V。
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