安森美线性稳压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP115AMX180TBG 编号：C892043

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：MC78L18ACPRPG 编号：C903149

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP115ASN120T2G 编号：C892048

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP170BXV150T2G 编号：C603674

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

NCP170系列CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。典型值为500 nA的超低功耗可确保电池长寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用中器件的瞬态响应。

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型号：NCP110AMX120TBG 编号：C892011

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP170AXV330T2G 编号：C464043

封装：SOT-563-6

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低 dropout 稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。典型值为 500 nA 的超低功耗可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该器件有 1×1 mm XDFN4、SOT-563 和 TSOP-5 小封装可供选择。

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型号：NCP163AMX120TBG 编号：C892196

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP718ASN250T1G 编号：C892788

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP718是一款300 mA的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，具有超低静态电流消耗（在全温度范围内典型值为4 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达24 V）。

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型号：NCP133AMXADJTCG 编号：C457672

封装：XDFN-6(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP133是一款500 mA的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS通晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件能提供非常稳定、精确且低噪声的输出电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为优化电池供电便携式应用的性能，NCP133具有低静态电流（IQ）消耗的特点

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型号：NCP170BMX330TCG 编号：C892250

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。超低功耗（典型值为500nA）可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该设备有1×1mm XDFN4、SOT-563和TSOP-5等小型封装。

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型号：MC78L15ABPG 编号：C415862

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器价格便宜、易于使用，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的MC7800和MC78M00系列类似，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，MC78L00器件无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些器件具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

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型号：MC78L05ABPRAG 编号：C233395

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器价格便宜、易于使用，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的MC7800和MC78M00系列类似，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，MC78L00器件无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些器件具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

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型号：NCP718ASN300T1G 编号：C892789

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP718是一款300 mA的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，具有超低静态电流消耗（在全温度范围内典型值为4 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达24 V）。

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型号：NCV8711BMTWADJTBG 编号：C893289

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

基于独特的特性组合——极低的静态电流、快速的瞬态响应以及高输入和输出电压范围。是一款CMOS LDO稳压器，设计用于最高18 V的输入电压和100 mA的输出电流。仅1 μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。版本B实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压处于稳压状态。该信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止设备在过载条件下损坏。

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型号：NCV8160AMX250TBG 编号：C604026

封装：XDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一款线性稳压器，能够提供250 mA输出电流。旨在满足射频和模拟电路的要求，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流和出色的负载/线路瞬态响应。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容工作。

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型号：NCP508SQ18T1G 编号：C892522

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NCP508是一款50 mA的低噪声电压调节器，旨在实现快速开启时间和高纹波抑制能力。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、电流限制和温度限制保护电路。NCP508专为与陶瓷电容配合使用而设计

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型号：NCP170ASN250T2G 编号：C892240

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。超低功耗（典型值为500nA）可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该设备有1×1mm XDFN4、SOT-563和TSOP-5等小型封装。

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型号：NCV8170AMX330TCG 编号：C604042

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

专为需要超低静态电流的连续电池供电应用而设计。超低功耗（典型值为500 nA）可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该设备采用小型1×1 mm xDFN4和SOT-563封装。

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型号：NCV8187AMT180TAG 编号：C893189

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是 1.2 A LDO 线性稳压器。是非常稳定和精确的设备，具有低静态电流消耗（全温度范围内典型值为 30μA）、低压差、低输出噪声和非常好的 PSRR。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断、软启动、限流，还有用于轻松实现 MCU 接口的 Power Good 输出信号。

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型号：NCP133AMX120TCG 编号：C232431

封装：XDFN-6(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP133 是一款配备了 NMOS 通晶体管和单独的偏置电源电压 (VBIAS) 的 500 mA VLDO。该器件提供了非常稳定准确的电压，且噪音很低，适用于空间受限的噪音敏感性应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，NCP133 具有低 IQ 耗量。XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm 封装适用于空间受限的应用。

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型号：MC78L15ACPRAG 编号：C232659

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格低廉、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。这些设备比传统的齐纳二极管-电阻组合具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

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型号：NCP177BMX330TCG 编号：C892280

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是CMOS LDO稳压器，具有500 mA输出电流。输入电压低至1.6 V，输出电压可从0.7 V设置。

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型号：NCP167AMX280TBG 编号：C892223

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一个线性稳压器，能够提供700 mA输出电流。旨在满足RF和模拟电路的要求，提供低噪声、高PSRR、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态性能。该器件设计用于与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。有两种厚度的超小型0.35P、0.65mm×0.65mm芯片级封装（CSP）和XDFN4 0.65P、1mm×1mm封装。

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型号：NCP716MT30TBG 编号：C892753

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP716是一款80 mA的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，具有超低接地电流消耗（在整个输出负载范围内为4.7 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达24 V）。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断和限流保护。

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型号：NCV8711BMTW500TBG 编号：C893288

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8711器件具有独特的特性组合——极低的静态电流、快速的瞬态响应以及较宽的输入和输出电压范围。NCV8711是一款CMOS LDO稳压器，设计用于最高18 V的输入电压和100 mA的输出电流。仅1 μA的静态电流使该器件成为电池供电、常开系统的理想解决方案

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型号：NCV8164AMTWADJTAG 编号：C5209202

封装：WDFNW-6

品牌：onsemi(安森美)

是一款300 mA的LDO，具有高PSRR、超低噪声和低压差特性，带有Power Good开集电极输出。旨在满足RF和敏感模拟电路的要求，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流，还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用，有行业标准的TSOP-5、WDFNW6 0.65P 2mm×2mm和DFNW8 0.65P 3mm×3mm封装。

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型号：NCV8160AMX300TBG 编号：C604027

封装：XDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一款线性稳压器，能够提供250 mA输出电流。旨在满足射频和模拟电路的要求，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流和出色的负载/线路瞬态响应。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容工作。

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￥2.32
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￥2.07

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型号：NCV8623MN-50R2G 编号：C893259

封装：DFN-6(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP623/NCV8623低压差线性稳压器可提供高达150 mA的输出电流，典型压差为180 mV。这种低压差特性有助于在电池使用寿命缩短时，更长时间地维持稳定的输出电压。对于便携式应用等对噪声性能和空间要求较高的噪声敏感环境而言，它是理想之选

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1+
￥2.94
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￥2.87
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￥2.82

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型号：NCP110AMX100TBG 编号：C606300

封装：XDFN4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一种线性稳压器，能够从 1.1V 输入电压提供 200mA 输出电流。该器件提供从 0.6V 到 4.0V 的宽输出范围，具有极低的噪声和高电源抑制比（PSRR）。由于静态电流低，适合用于智能手机和平板电脑等电池供电设备。该器件设计为与 1μF 输入和 1μF 输出陶瓷电容器配合使用。有超小型 0.35P、0.64mm×0.64mm 芯片级封装（CSP）和 XDFN4 0.65P、1mm×1mm 封装可供选择。

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￥2.37
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型号：NCP51200MNTXG 编号：C457677

封装：DFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

3A 源/汲 VTT 端接稳压器，用于 DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4

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