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首页 > 热门关键词 > RF衰减器
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F1912是一款6位数字步进衰减器,具有31.5 dB的控制范围,0.5 dB的步进,适用于基站(BTS)无线电卡和其他非BTS应用。该设备提供低插入损耗和低失真,具有Glitch-FreeTM技术,确保在MSB转换期间无过冲和振铃。
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    ¥15.605451
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    ¥14.364108
是一款GaAs pHEMT四位宽带数字衰减器,具有1dB的最低有效位(LSB)。该衰减器具有低插入损耗、出色的衰减精度、15dB的衰减范围和高线性度性能,是各种蜂窝3G和4G基础设施应用的理想选择。衰减由四个直流控制引脚(V1、V2、V3和V4)控制。根据控制偏置,RF1和RF2引脚之间的衰减状态可以在低插入损耗状态或高达15dB之间变化。该器件采用3×3mm、16引脚方形扁平无引脚(QFN)封装。
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    ¥43.29
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
    数据手册
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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      ¥0.2148
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  • EXB系列片式衰减器,具有不平衡n型衰减电路,减少安装面积,符合RoHS标准。
    数据手册
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      ¥0.633
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      ¥0.245
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      ¥0.2364
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      ¥0.2321
  • 订货
  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
    数据手册
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    • 500+

      ¥0.2384
    • 1000+

      ¥0.2341
  • 订货
  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
    数据手册
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      ¥0.6384
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      ¥0.2471
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      ¥0.2384
    • 1000+

      ¥0.2341
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.6384
    • 200+

      ¥0.2471
    • 500+

      ¥0.2384
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      ¥0.327
  • 订货
  • EXB系列射频衰减器采用不平衡T型电路设计,集成在一个芯片中,具有减少安装面积的特点。
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      ¥0.393
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      ¥0.3733
  • 订货
  • 单芯片不平衡T型衰减器电路,减少了安装面积,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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      ¥0.9875
    • 200+

      ¥0.3941
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      ¥0.3809
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  • 订货
  • 单芯片不平衡T型RF衰减器,具有减少安装面积的特点,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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      ¥0.9875
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      ¥0.3941
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      ¥0.3809
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      ¥0.3744
  • 订货
  • 单芯片不平衡T型衰减器电路,减少了安装面积,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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  • 不平衡π型射频衰减器,集成在一个芯片中,具有较小的安装面积和成本降低的优势。
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      ¥0.9875
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      ¥0.3941
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    • 200+

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