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  • 是高性能氮化铝 (AlN) 芯片衰减器,作为氧化铍 (BeO) 的低成本替代方案。专为 LTE 和 5G 无线通信频段设计。高功率处理能力使其适用于级间匹配、定向耦合器和隔离器。该衰减器也符合 RoHS 标准。
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  • 是一款GaAs pHEMT四位宽带数字衰减器,具有1dB的最低有效位(LSB)。该衰减器具有低插入损耗、出色的衰减精度、15dB的衰减范围和高线性度性能,是各种蜂窝3G和4G基础设施应用的理想选择。衰减由四个直流控制引脚(V1、V2、V3和V4)控制。根据控制偏置,RF1和RF2引脚之间的衰减状态可以在低插入损耗状态或高达15dB之间变化。该器件采用3×3mm、16引脚方形扁平无引脚(QFN)封装。
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  • 单个组件减少了电路板空间和组件数量,取代了三个或更多组件。具有优于单独组件的公差匹配和温度跟踪能力。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • EXB系列片式衰减器,具有不平衡n型衰减电路,减少安装面积,符合RoHS标准。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • 平衡O型射频衰减器电路集成在一个1.0 mm x 1.0 mm的芯片中,具有减少安装面积和成本的特点。
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  • EXB系列射频衰减器采用不平衡T型电路设计,集成在一个芯片中,具有减少安装面积的特点。
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  • 单芯片不平衡T型衰减器电路,减少了安装面积,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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  • 单芯片不平衡T型衰减器电路,减少了安装面积,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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  • 单芯片不平衡T型RF衰减器,具有减少安装面积的特点,适用于高频信号的衰减、电平控制和阻抗匹配。
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  • 不平衡π型射频衰减器,集成在一个芯片中,具有较小的安装面积和成本降低的优势。
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  • 1dB DC-2GHz铝基芯片衰减器,具有对称设计和可焊终端,支持带盘或华夫包装
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    • 500+

      ¥16.89
    • 1000+

      ¥16.6
  • 订货
  • 铝氧化物材料,频率范围从DC到18GHz,输入功率0.1瓦,最大散热温度100°C
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      ¥18.85
    • 1000+

      ¥18.53
  • 订货
  • ATC2525CT-1000JN-94 是一种10 dB铝氧化物表面贴装芯片衰减器,频率范围从DC到2 GHz,最大功率为15瓦,散热片温度可达100°C。
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      ¥52.57
    • 200+

      ¥20.98
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