RF衰减器_厂家_价格_品牌_库存

封装：VDFN-6-EP

固定值、吸收式衰减器，采用高度重复的MMIC工艺制造，包括在GaAs衬底上的薄膜电阻。包含贯穿晶圆的金属化过孔，以实现低热阻和宽带操作。提供标称衰减值为0至10 dB（以1 dB为步长），以及12、15、20和30 dB。采用2 mm x 2 mm的MCLP™封装，适合安装在狭小空间。

1+
￥21.77
10+
￥18.47
30+
￥16.5
100+
￥14.52

有货

立即购买

型号：MAAD-007084-000100 编号：C7459769

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MACOM

MAAD-007084-000100 是一款 GaAs FET 5 位数字衰减器，内置 TTL 驱动器。步进大小为 0.5 dB，总衰减范围为 15.5 dB。该器件采用 SOW-16 塑料表面贴装封装。

1+
￥183.34
30+
￥174.94

有货

立即购买

型号：HMC629ALP4E 编号：C579562

封装：QFN-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC629ALP4E 是一款宽带 4 位 GaAs IC 数字衰减器，采用低成本无引脚 SMT 封装。该器件集成了外部接地电容器，适用于近直流操作，适合各种射频和中频应用。双模式控制接口兼容 CMOS/TTL，并接受三线串行输入或 4 位并行字。

数据手册

1+
￥185.8142 ￥208.78
30+
￥176.7451 ￥198.59

有货

立即购买

型号：PE43711B-Z 编号：C470929

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器，具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进，最大衰减范围为31.75dB。支持串行和并行编程接口，适用于3G/4G无线基础设施、陆地移动无线电系统和点对点通信系统。

数据手册

1+
￥18.37
10+
￥15.46
30+
￥13.64

有货

立即购买

型号：HMC346AMS8GE 编号：C579540

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

HMC346AMS8GE是一款吸收式电压可变衰减器，工作频率范围为DC至8GHz。它具有片上参考衰减器，可通过外部运放提供简单的单电压控制，0到-5V。该器件适用于需要模拟控制信号在30dB幅度范围内控制RF信号电平的设计。

数据手册

1+
￥47.09
10+
￥45.96
30+
￥45.21

有货

立即购买

型号：HMC652LP2ETR 编号：C662394

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

固定无源SMT衰减器，DC-25GHz

数据手册

1+
￥54.68
10+
￥53.57
30+
￥45.28
100+
￥41.877 ￥44.55

有货

立即购买

型号：KAT-10+ 编号：C5744476

封装：TDFN-6-EP

品牌：Mini-Circuits

1+
￥84.52
10+
￥83.27
30+
￥81.09

有货

立即购买

型号：HMC792ALP4E 编号：C706730

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC792ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。该数字衰减器集成了外部AC接地电容器，适用于多种RF和IF应用。

数据手册

1+
￥122.5
30+
￥116.27

有货

立即购买

型号：HMC629ALP4ETR 编号：C579563

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

3dBLSBGaAsMMIC4位数字衰减器，DC-10GHz

数据手册

1+
￥222.32
10+
￥201.6

有货

立即购买

型号：HMC472ALP4E 编号：C209364

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引线表面贴装封装。每个位有一个单独的正控制线，适用于多种RF和IF应用。工作频率范围为DC至3.8GHz，插入损耗小于2.0dB（典型值）。衰减器位值为0.5dB（LSB）、1dB、2dB、4dB、8dB和16dB，总衰减范围为31.5dB。衰减精度优秀，典型步进误差为±0.25dB，具有+54dBm的三阶交调截点。六个TTL/CMOS控制输入用于选择每个衰减状态。单个+5V电源供电。

数据手册

1+
￥23.11
10+
￥19.78
50+
￥17.8

有货

立即购买

型号：SKY12325-350LF 编号：C2151314

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS

SKY12325-350LF 是一种三位数字衰减器，衰减位为二进制加权，最小有效位 (LSB) 为 1 dB。状态由三个正电压控制输入 (V1, V2, 和 V3) 选择。每个 RF 端口都需要外部 47 pF 的直流阻断电容器。两个 RF 端口都是吸收性的。

1+
￥40.51
10+
￥34.91
30+
￥31.5
100+
￥28.3536 ￥28.64

有货

立即购买

型号：HMC655LP2E 编号：C1525850

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

固定无源SMT衰减器，DC-25GHz

数据手册

1+
￥49.13
10+
￥42.08
30+
￥37.79
100+
￥33.1643 ￥34.19

有货

立即购买

型号：F1956NBGI8 编号：C1511898

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该设备采用紧凑的5×5mm 32引脚封装，输入和输出阻抗为50Ω，便于集成到无线电或RF系统中。具有高可靠性，插入损耗低、失真小，衰减水平精确，能提高系统SNR和/或ACLR，并行模式下建立时间快，在整个衰减范围内无干扰。具备最低插入损耗以实现最佳SNR，采用无干扰技术，可在衰减状态转换期间保护PA或ADC，衰减水平极其精确，超低失真，达到MSL1和2000V HBM ESD标准。

数据手册

1+
￥106.46
10+
￥101.57
30+
￥93.09

有货

立即购买

型号：BW-S20W2+ 编号：C6755756

封装：SMA

品牌：Mini-Circuits

1+
￥295.44
10+
￥285.89

有货

立即购买

型号：YAT-3A+ 编号：C5205332

封装：SMD-6P

品牌：Mini-Circuits

YAT-3A+ (RoHS合规) 是一种固定值吸收式MMIC衰减器，使用高度重复的IPD工艺技术在GaAs基板上制造，具有薄膜电阻。设计中通过晶圆通孔金属化实现低热阻和宽带操作，同时在整个工作带宽内保持稳定的衰减精度和平坦度。YAT-A系列衰减器提供0到10dB（1dB步进）以及12、15、20和30dB的标称衰减值。封装在小巧的2 x 2 mm MCLP™封装中，适用于紧凑的板布局。也可提供裸片形式。

数据手册

1+
￥20.88
10+
￥17.85
30+
￥16.05

有货

立即购买

型号：YAT-20A+ 编号：C5181338

封装：VDFN-6-EP

品牌：Mini-Circuits

YAT-20A+是一款固定值吸收式MMIC衰减器，采用高度重复的IPD工艺技术制造，具有薄膜电阻器和GaAs基板。设计中采用了贯穿晶圆的金属化通孔，实现了低热阻和宽带操作，同时在整个工作带宽内保持了出色的衰减精度和平坦度。YAT-A系列衰减器提供0到10 dB（每1 dB步进）和12、15、20、30 dB的标称衰减值。封装在2 x 2 mm的MCLPTM封装中，适用于空间有限的电路布局。也可提供裸片形式。

1+
￥22.97
10+
￥19.48
30+
￥17.41
100+
￥15.32

有货

立即购买

型号：HMC653LP2E 编号：C7459482

封装：TDFN-6-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC652LP2E / 653LP2E / 654LP2E / 655LP2E 是一系列宽带固定值 SMT 50 欧姆匹配衰减器，其衰减值分别为 2 dB、3 dB、4 dB 和 6 dB。这些无源衰减器非常适合测试设备以及其他需要极平坦衰减和出色电压驻波比（VSWR）频率特性的宽带应用。这些宽带衰减器可处理高达 +25 dBm 的输入功率，并且适用于大批量表面贴装制造工艺