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型号：HMC218BMS8GE 编号：C207985

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC218BMS8GE 是一款超微型双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装封装（MSOP）。这款无源MMIC混频器由GaAs肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦组成。该设备可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。

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单价：
￥49.1724 / 个

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型号：ADMV4630BCPZN 编号：C7453526

封装：LFCSP-40(6x6)

品牌：ADI(亚德诺)

ADMV4630是一款Ku波段上变频器，适用于各种卫星通信（SATCOM）用户终端，工作频率范围为14.0 GHz至14.5 GHz。内部集成的整数N合成器生成本地振荡器（LO）信号，覆盖8.7 GHz至10.7 GHz的频率范围。该芯片包括数字步进衰减器、内置ADC和功率检测器等功能。

1+
￥354.2
10+
￥344.96
50+
￥338.8

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型号：AD607ARSZ 编号：C208243

封装：SSOP-20-208mil

品牌：ADI(亚德诺)

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100+
￥133.87
200+
￥130.219

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型号：LTC5549IUDB#TRMPBF 编号：C580929

封装：QFN-12-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5549是一款通用的被动双平衡混频器，可用于上变频或下变频。RF端口设计用于2GHz到14GHz频段，IF端口优化用于500MHz到6GHz操作。集成的LO缓冲放大器支持1GHz到12GHz的LO频率，仅需0dBm LO功率。LTC5549提供高IIP3和输入P1dB，同时功耗较低。

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￥394.55
30+
￥375.16

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型号：HMC1056LP4BE 编号：C579527

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC1056LP4BE 是一款紧凑型 I/Q MMIC 混频器，采用无铅 SMT 封装，可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。该混频器利用两个标准的 Hittite 双平衡混频器单元和一个 90 度混合器，采用 GaAs Schottky 二极管工艺制造。

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￥460.29
30+
￥437.29

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型号：ADL5801ACPZ 编号：C967400

封装：LFCSP-24

品牌：ADI(亚德诺)

ADL5801集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振(LO)缓冲放大器，可提供10 MHz至6 GHz的宽动态范围频率转换。专有的线性化架构使混频器能在高输入电平下提供增强的IP3性能。偏置调整特性可通过单一控制引脚实现输入线性度、单边带(SSB)噪声系数以及直流电流的最优化。

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1+
￥58.8
10+
￥51.46
30+
￥40.61
100+
￥36.86

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型号：HMC558ALC3B 编号：C605529

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC558A是一款通用双平衡混频器，封装在无引脚RoHS合规的SMT封装中，可用作5.5 GHz至14 GHz之间的上变频器或下变频器。该混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC558A由于优化的巴伦结构，提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离，并可在低至9 dBm的LO驱动电平下工作。RoHS合规的HMC558A消除了键合线的需求，兼容高容量表面贴装制造技术。

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1+
￥346.66
30+
￥330.17

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型号：ADL5367ACPZ-R7 编号：C579149

封装：LFCSP-20(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

ADL5367是一款高性能的平衡混频器，适用于500 MHz至1700 MHz的RF频率范围。它集成了RF和LO平衡电路，支持单端操作。ADL5367还提供了两个可切换的LO路径，适用于TDD应用。

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1+
￥5.68
10+
￥4.66
30+
￥4.15
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1500+
￥3.18

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型号：HMC686LP4ETR 编号：C514401

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC686LP4ETR是一款高动态范围的无源MMIC混频器，具有集成的LO放大器，适用于0.7到1.1 GHz的RF频段。在0 dBm的LO驱动下，输入IP3为+34 dBm，转换损耗为7.5 dB。

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1+
￥22.46
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￥21.88

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型号：LTC5567IUF#PBF 编号：C580932

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC5567是一款优化用于需要宽IF带宽的RF下变频混频器应用的高性能器件。它具有高线性度、低噪声系数、低功耗和紧凑的解决方案尺寸。

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单价：
￥111.991 / 个

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型号：HMC218BMS8GETR 编号：C207711

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC218BMS8GE 是一款超微型双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装封装（MSOP）。这款无源MMIC混频器由GaAs肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦组成。该设备可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。

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单价：
￥49.1724 / 个

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型号：LT5512EUF#TRPBF 编号：C672589

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LT5512是一款双平衡主动混频器IC，适用于高线性度HF、VHF和UHF应用。该IC集成了LO缓冲放大器以驱动混频器，并具有RF缓冲放大器以提高LO-RF隔离度。内部偏置电路消除了对外部精密电阻的需求，并允许设备通过启用控制引脚（EN）进行关断。

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1+
￥85.22
10+
￥81.27
30+
￥74.44
100+
￥68.48

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型号：HMC412BMS8GETR 编号：C579543

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

Double-BalancedMixer8-16GHz

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1+
￥62.2322
10+
￥61.212
50+
￥58.6615
100+
￥57.1312
200+
￥56.111

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型号：LTC5551IUF#PBF 编号：C470822

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

300MHz至3.5GHz超高动态范围下变频混频器

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单价：
￥124.905 / 个

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型号：ADL5365ACPZ-R7 编号：C514334

封装：QFN-20-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

ADL5365是一款高性能的双平衡被动混频器，集成了RF和LO平衡电路，适用于单端操作。它具有1200 MHz至2500 MHz的RF输入频率范围，支持低侧和高侧LO注入，提供良好的LO泄漏和出色的互调性能。

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1+
￥103.08
10+
￥97.92
30+
￥88.99
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￥81.19

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型号：AD831APZ-REEL 编号：C652693

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：ADI(亚德诺)

AD831是一款低失真、宽动态范围的单片混频器，适用于射频到中频的下变频、直接到基带转换、四象限调制和解调等应用。该混频器包括LO驱动器和低噪声输出放大器，提供用户可编程的功耗和三阶截点。

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￥160.875 / 个

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型号：AD608ARZ-RL 编号：C650345

封装：SOIC-16-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

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单价：
￥52.6068 / 个

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型号：AD831APZ-REEL7 编号：C652694

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：ADI(亚德诺)

高性能、低失真500MHz混频器

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1+
￥128.45
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￥124.09

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型号：AD9857ASTZ 编号：C514306

封装：LQFP-80(14x14)

品牌：ADI(亚德诺)

AD9857集成了高速直接数字合成器、数模转换器、时钟倍频电路、数字滤波器和其他DSP功能，形成完整的正交数字上变频器设备。AD9857旨在作为通用I/Q调制器和灵活的上变频器，单音DDS或插值DAC，适用于通信应用，其中成本、尺寸、功耗和动态性能是关键属性。

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单价：
￥140.3 / 个

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型号：HMC557ALC4 编号：C605258

封装：LCC-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC557A是一款通用的双平衡混频器，采用24端子陶瓷无引脚芯片载体封装。该设备可用作上变频器或下变频器，频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。此混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部组件或匹配电路。

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￥280.65
10+
￥242.06

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型号：HMC553ALC3BTR 编号：C662383

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC553ALC3B 是一款通用的双平衡混频器，可在6 GHz到14 GHz范围内用作上变频器或下变频器。它采用无铅陶瓷LCC封装，无需外部匹配电路。

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1+
￥291.56
30+
￥278.9

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型号：HMC264LC3B 编号：C605570

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC264LC3B是一款21-31GHz次谐波混频器，具有集成的LO放大器，采用无铅SMT封装。该混频器具有30dB的2LO/RF隔离度，消除了对额外滤波的需求。LO放大器设计为单偏置（+3V到+4V），仅需-4到+4dBm的驱动要求。RF和LO端口阻抗匹配到50欧姆，IF覆盖DC到6GHz。HMC264LC3B无需引线键合，允许使用表面贴装制造技术。

1+
￥322.55
30+
￥306.96

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型号：HMC525ALC4TR-R5 编号：C2654516

封装：QFN-24-EP(3.9x3.9)

品牌：ADI(亚德诺)

紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，具有两个标准双平衡混频单元和一个90°混合器，采用24引脚无引线陶瓷芯片载体 (LCC) 封装。该设备可以用作图像抑制混频器或单边带 (SSB) 上变频器。

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1+
￥331.83
30+
￥314.59

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型号：HMC557ALC4TR 编号：C662357

封装：QFN-24-EP(3.9x3.9)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC557A是一款通用的双平衡混频器，采用24端子陶瓷无引脚芯片载体封装。该设备可用作上变频器或下变频器，频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。此混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部组件或匹配电路。

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1+
￥338.34
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￥286.81

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型号：HMC553ALC3B 编号：C605256

封装：LCC-12(2.9x2.9)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC553ALC3B 是一款通用的双平衡混频器，可在6 GHz到14 GHz范围内用作上变频器或下变频器。它采用无铅陶瓷LCC封装，无需外部匹配电路。

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1+
￥388.35
30+
￥369.27

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型号：HMC554ALC3BTR 编号：C661760

封装：QFN-12-EP(2.9x2.9)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC554ALC3B是一款通用的双平衡混频器，适用于上变频和下变频。工作频率范围为10 GHz至20 GHz，具有优异的本地振荡器（LO）到射频（RF）和LO到中频（IF）隔离度。该混频器采用无引脚的RoHS合规陶瓷芯片载体（LCC）封装，无需外部组件即可使用。

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1+
￥409.02
3+
￥378.26
30+
￥357.72

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型号：HMC521ALC4TR 编号：C662355

封装：QFN-24-EP(3.9x3.9)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC521ALC4 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 混频器，采用 GaAs 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造。该设备可作为图像抑制混频器或单边带上变频器使用。

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1+
￥410.58
10+
￥346.98

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型号：HMC553ALC3BTR-R5 编号：C662384

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

6GHz至14GHz、GaAs、MMIC、双平衡混频器

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1+
￥451.39
30+
￥429.2

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型号：HMC773ALC3BTR-R5 编号：C662742

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC773ALC3B是一款通用的双平衡混频器，采用无引脚陶瓷LCC封装，可在6 GHz到26 GHz的频率范围内用作上变频器或下变频器。该混频器在LO驱动电平为13 dBm或更高时表现出色，并提供了出色的LO到RF和LO到IF抑制性能。

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1+
￥565.1
30+
￥536.13

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型号：HMC8193LC4TR 编号：C662757

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

被动I/Q混频器，RF和LO范围为2.5 GHz至8.5 GHz，宽IF范围为DC至4 GHz，单端RF、LO和IF，转换损耗（下变频）为9 dB（典型值），图像抑制（下变频）为25 dBc（典型值），单边带噪声系数（下变频）为11.5 dB（典型值），输入IP3（下变频）为20 dBm（典型值），输入P1dB压缩点（下变频）为13 dBm（典型值），输入IP2（下变频）为58 dBm（典型值），RF到IF隔离（下变频）为22 dB（典型值），LO到RF隔离（下变频）为48 dB（典型值），LO到IF隔离（下变频）为38 dB（典型值），幅度平衡（下变频）为±0.5 dB（典型值），相位平衡（下变频）为±5°（典型值），RF回波损耗为13 dB（典型值），LO回波损耗为13 dB（典型值），IF回波损耗为17 dB（典型值），暴露焊盘，4 mm × 4 mm，24引脚陶瓷LCC封装

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