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  • 这些变压器将LO和RF路径转换为平衡线路,连接到中等屏障的肖特基二极管环四重。这些变压器提供了端口之间的良好隔离。转换损耗较低。IF端口直接连接到二极管环四重,使这些混频器可以用作相位检测器和双相调制器。
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  • 该混频器具有低VSWR,转换损耗典型值为6 dB,LO-RF隔离度为35 dB。IF端口电流最大为50 mA。
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  • 该混频器采用表面贴装封装,频率范围为200 KHz至200 MHz。内置变压器将LO和RF路径转换为平衡线路,连接到介质屏障,再连接到肖特基二极管环四重结构。这些变压器提供了各端口之间的良好隔离,转换损耗低。IF端口直接连接到二极管四重结构,使得该混频器可用作相位检测器和双相调制器。
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  • 表面贴装双平衡混频器,适用于10至500 MHz的频率范围。具有低转换损耗和高隔离度的特点。
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  • MACOM的34.0-46.0 GHz GaAs MMIC基本图像抑制混频器可用作上变频或下变频器。该设备具有7.0 dB的转换损耗和20.0 dB的图像抑制。I和Q混频器输出提供,并需要外部90度混合器来选择所需的边带。此MMIC使用MACOM Tech的GaAs PHEMT器件模型技术,并基于电子束光刻技术以确保高重复性和均匀性。芯片表面钝化以保护并提供坚固的部件,背面有通孔和金金属化,允许使用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片粘接过程。
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  • 商业和测试设备应用的三平衡混频器,设计利用高温焊接和内部工艺,使其适合手动和半自动装配。环境筛选可达到MIL-STD-883、MIL-STD-202或MIL-DTL-28837标准。
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