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首页 > 热门关键词 > ST驱动芯片
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300 V,30 A超高速二极管
数据手册
  • 1+

    ¥11.3259 ¥19.87
  • 10+

    ¥8.8313 ¥18.79
  • 30+

    ¥6.7155 ¥18.15
  • 100+

    ¥6.475 ¥17.5
  • 500+

    ¥6.364 ¥17.2
  • 1000+

    ¥6.3159 ¥17.07
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.35μA停止模式(16个唤醒线)。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
    • 1+

      ¥11.56
    • 10+

      ¥10.62
    • 30+

      ¥10.03
    • 100+

      ¥9.43
    • 500+

      ¥9.15
    • 1000+

      ¥9.04
  • 有货
  • 1-Mbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
    数据手册
    • 1+

      ¥11.69
    • 10+

      ¥9.63 ¥10.7
    • 30+

      ¥8.064 ¥10.08
    • 100+

      ¥7.56 ¥9.45
    • 500+

      ¥7.336 ¥9.17
    • 1000+

      ¥7.232 ¥9.04
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.7392 ¥12.76
    • 10+

      ¥9.6104 ¥11.72
    • 30+

      ¥7.9704 ¥11.07
    • 250+

      ¥7.488 ¥10.4
    • 500+

      ¥7.272 ¥10.1
    • 1000+

      ¥7.1784 ¥9.97
  • 有货
  • 2.25 V低电压本地数字温度传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.01
    • 10+

      ¥10.28
    • 30+

      ¥9.19
    • 100+

      ¥8.08
    • 500+

      ¥7.24
    • 1000+

      ¥7.02
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB SRAM,带硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.41
    • 10+

      ¥10.75
    • 30+

      ¥9.83
    • 100+

      ¥8.52
    • 500+

      ¥8.07
    • 1000+

      ¥7.86
  • 有货
  • IO-Link通信收发器器件IC
    数据手册
    • 1+

      ¥12.93
    • 10+

      ¥12.25
    • 30+

      ¥11.84
    • 100+

      ¥11.43
    • 500+

      ¥11.24
    • 1000+

      ¥11.15
  • 有货
  • 支持电容器可调设置延迟的双按钮智能复位
    数据手册
    • 1+

      ¥13.29
    • 10+

      ¥11.2
    • 30+

      ¥9.88
    • 100+

      ¥8.54
    • 500+

      ¥7.93
  • 有货
    • 1+

      ¥14.45
    • 10+

      ¥12.22
    • 30+

      ¥10.83
    • 74+

      ¥9.4
    • 518+

      ¥8.75
    • 1036+

      ¥8.47
  • 有货
  • 650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥14.48
    • 10+

      ¥12.37
    • 50+

      ¥11.05
    • 100+

      ¥9.7
    • 500+

      ¥9.09
  • 有货
  • VN820 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件。VN820 - E旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响
    数据手册
    • 1+

      ¥14.64
    • 10+

      ¥12.47
    • 30+

      ¥11.11
    • 100+

      ¥9.71
    • 500+

      ¥9.09
    • 1000+

      ¥8.81
  • 有货
  • 独立式USB PD控制器(具有VBUS短路保护)
    数据手册
    • 1+

      ¥15.32
    • 10+

      ¥12.89
    • 30+

      ¥11.37
    • 100+

      ¥9.81
    • 500+

      ¥9.11
    • 1000+

      ¥8.8
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:具备上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)、可编程电压检测器(PVD)、低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机)、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC可选PLL(±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥15.82
    • 10+

      ¥13.76
    • 30+

      ¥12.3
    • 260+

      ¥10.97
    • 520+

      ¥10.36
    • 1040+

      ¥10.11
  • 订货
  • 基于 ARM 的 32 位 MCU,高达 256 KB 闪存,具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口,工作电压 2.0-3.6V。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.85
    • 10+

      ¥14.29
    • 30+

      ¥12.69
    • 100+

      ¥11.05
    • 500+

      ¥10.31
    • 1000+

      ¥9.99
  • 有货
  • 汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM,带高速时钟
    数据手册
    • 1+

      ¥17.87
    • 10+

      ¥15.19
    • 30+

      ¥13.59
    • 100+

      ¥11.98
    • 500+

      ¥11.24
    • 1000+

      ¥10.9
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,具备TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行;4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达512 Kbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取,每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期)用于数据闪存。 2 Kbyte OTP(一次性可编程)。 272 Kbyte SRAM(80 Kbyte SRAM2带ECC)
    • 1+

      ¥18.11
    • 10+

      ¥15.4
    • 30+

      ¥13.71
    • 100+

      ¥11.97
    • 500+

      ¥11.18
  • 有货
  • 具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥18.16
    • 10+

      ¥15.44
    • 30+

      ¥13.82
    • 100+

      ¥12.18
    • 500+

      ¥11.43
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.24
    • 10+

      ¥15.51
    • 30+

      ¥13.06
    • 90+

      ¥11.31
    • 540+

      ¥10.52
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥18.37
    • 10+

      ¥15.49
    • 30+

      ¥13.12
    • 100+

      ¥11.28
    • 500+

      ¥10.44
  • 有货
  • N沟道,600V,44A,70mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥20.89
    • 10+

      ¥17.74
    • 30+

      ¥15.77
    • 100+

      ¥13.75
  • 有货
  • 特性:动态效率线,带批量采集模式(BAM)。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心:带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程(OTP)内存。高达64 KB的静态随机存取存储器(SRAM)。时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR、PVD和BOR,4至26 MHz晶体振荡器,内部16 MHz工厂校准RC,带校准的32 kHz RTC振荡器,带校准的内部32 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥22.45
    • 10+

      ¥19.38
    • 30+

      ¥17.55
    • 260+

      ¥15.24
  • 有货
  • 5 W + 5 W双桥放大器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.49
    • 10+

      ¥19.27
    • 30+

      ¥17.36
    • 100+

      ¥15.43
  • 有货
  • N沟道600 V、0.031 Ohm典型值、68 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥23.1
    • 10+

      ¥20.12
    • 30+

      ¥16.91
    • 100+

      ¥15.11
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存,128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.74
    • 10+

      ¥20.21
    • 30+

      ¥18.1
  • 有货
  • N沟道,1500V,4A,5Ω@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥23.9
    • 10+

      ¥20.67
    • 50+

      ¥18.65
    • 100+

      ¥16.58
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V至3.6V电源。 -40至125°C温度范围。 0.29μA待机模式(3个唤醒引脚)。 0.43μA停止模式(16个唤醒线)。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留
    数据手册
    • 1+

      ¥23.91
    • 10+

      ¥20.2
    • 30+

      ¥18.01
    • 100+

      ¥15.78
    • 500+

      ¥14.75
  • 有货
  • N沟道600 V、37 mOhm典型值、66 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装
    数据手册
    • 1+

      ¥24.06
    • 10+

      ¥20.57
    • 30+

      ¥18.5
    • 100+

      ¥16.41
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式电流为280nA。 停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥28.89
    • 10+

      ¥24.7
    • 30+

      ¥22.21
    • 100+

      ¥19.69
    • 500+

      ¥18.53
    • 1000+

      ¥18
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令。 高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 常规增强器:4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM,位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。 复位和电源管理。 低功耗模式:睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围:2.0 至 3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥29.76
    • 10+

      ¥28.27
    • 30+

      ¥27.36
    • 100+

      ¥26.6
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式下1.1μA,带RTC时1.4μA
    数据手册
    • 1+

      ¥30.25
    • 10+

      ¥25.88
    • 30+

      ¥23.28
    • 90+

      ¥20.65
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