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首页 > 热门关键词 > ST驱动芯片
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  • 先进的IGBT/MOSFET驱动器
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      ¥26.5
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  • DMOS双全桥驱动器
    数据手册
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      ¥27.75
    • 10+

      ¥27.14
    • 30+

      ¥26.73
  • 有货
  • STSPIN32G0是一系列高度集成的系统级封装产品,提供适用于采用不同驱动模式驱动三相无刷电机的解决方案,可大幅减少物料清单(BOM)和占用面积。该系列包含四个产品型号,可在用于电流检测的运算放大器、通用输入输出引脚(GPIO)以及诸如为模数转换器(ADC)提供精确参考等特定专用功能之间灵活配置资源。
    • 1+

      ¥37.37
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      ¥32.37
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      ¥29.32
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      ¥33.79
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      ¥30.68
  • 有货
  • 是一款集成式八通道半桥预驱动器,可控制多达16个N沟道MOSFET。用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制等。使用24位串行外设接口(SPI)配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息,如电源电压监控、电荷泵电压监控、温度警告和过温关断
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      ¥42.43
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      ¥41.49
    • 30+

      ¥40.86
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  • VN808 E和VN808 32 E是采用VIPower M0 3技术实现的单片器件,旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,可保护器件免受过载影响。在过载条件下,通道会自动关断并再次开启,以使结温保持在TJSD和TR之间
    数据手册
    • 1+

      ¥44.45
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      ¥42.35
    • 31+

      ¥41.07
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  • 汽车级3相电机栅极驱动装置
    • 1+

      ¥55.52
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      ¥47.4
    • 30+

      ¥42.45
  • 有货
  • 双极步进电机的L6208 DMOS驱动
    数据手册
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      ¥58.66
    • 10+

      ¥50.73
    • 30+

      ¥45.91
  • 有货
  • DMOS双全桥驱动器
    数据手册
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      ¥60.14
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      ¥52.09
    • 30+

      ¥47.18
  • 有货
  • SPI控制的H桥
    数据手册
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      ¥76.22
    • 10+

      ¥73.81
  • 有货
  • L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨
    • 1+

      ¥7.34
    • 10+

      ¥7.15
    • 30+

      ¥7.03
  • 有货
  • 低电压双刷直流电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥11.65
    • 30+

      ¥11.47
  • 有货
  • 带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.45
    • 10+

      ¥12.17
    • 30+

      ¥11.98
  • 有货
  • 带振荡器的高压半桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥20.11
    • 10+

      ¥17.32
    • 30+

      ¥15.66
  • 有货
  • 紧凑型双直流有刷电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥20.88
    • 10+

      ¥20.42
    • 30+

      ¥20.11
  • 有货
  • 三半桥高压栅极驱动器
    • 1+

      ¥21.26
    • 10+

      ¥17.43
    • 30+

      ¥15.16
  • 有货
  • 是一个系统级封装,为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器,能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器,可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管,以及上下驱动部分的防交叉导通(互锁)、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护,可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 64 MHz,并具有内存保护单元 (MPU),可增强应用程序的安全性
    • 1+

      ¥30.86
    • 10+

      ¥30.18
    • 30+

      ¥29.72
  • 有货
  • L6506/D是一款线性集成电路,旨在感应和控制步进电机及类似设备中的电流。当与L293、L298、L7150、L6114/L6115配合使用时,该芯片组可为感性负载形成恒流驱动,并执行从控制逻辑到功率级的所有接口功能。 可使用同步引脚对两个或多个器件进行同步。在这种工作模式下,主芯片中的振荡器会设定所有芯片的工作频率。 L6506适用于与双桥驱动器(如L298)、四达林顿阵列(如L7150)、四DMOS阵列(如L6114 - L6115)或分立功率晶体管配合使用,以驱动步进电机和其他类似负载。该器件的主要功能是感应和控制每个负载绕组中的电流。 一个片上通用振荡器驱动双斩波器,并为脉宽调制驱动设定工作频率。1号引脚上的RC网络设定工作频率,该频率由公式torand Vref给出。由于为每个斩波器提供了独立的输入,因此每个负载都可以独立编程,从而使该器件可用于实现电机的微步进。L6506振荡器的下限阈值为1/3Vcc,上限阈值为2/3Vcc,内部放电电阻为1 KΩ ± 30%。 通过同步振荡器,可以避免多配置中的接地噪声问题。这可以通过将每个器件的同步引脚与主器件的振荡器输出相连,并将未使用振荡器的R/C引脚接地来实现。 振荡器提供脉冲来置位两个触发器,进而使输出激活驱动器。当负载绕组中的电流达到编程的峰值时,感测电阻(Rsense)两端的电压等于Vref,相应的比较器会复位其触发器,中断驱动电流,直到下一个振荡器脉冲出现。每个绕组中的峰值电流通过选择感测电阻的值来编程。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥28.75
    • 30+

      ¥26
  • 有货
  • L293B和L293E是四通道推挽式驱动器,每个通道的输出电流可达1A。每个通道由一个与TTL兼容的逻辑输入控制,每对驱动器(一个全桥)都配备一个禁止输入,用于关闭所有四个晶体管。逻辑电路有单独的电源输入,因此可以使用较低电压供电以降低功耗
    数据手册
    • 1+

      ¥33.89
    • 10+

      ¥29.19
    • 30+

      ¥26.39
  • 有货
  • 采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥37.75
    • 10+

      ¥36.89
    • 50+

      ¥33
  • 有货
  • DMOS双全桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥43.93
    • 10+

      ¥42.9
    • 30+

      ¥42.21
  • 有货
  • PWM控制的大电流DMOS通用电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥53.66
    • 10+

      ¥52.47
    • 30+

      ¥51.68
  • 有货
  • 用于三相无刷直流电机的DMOS驱动器
    • 1+

      ¥57.94
    • 10+

      ¥56.58
    • 31+

      ¥55.67
  • 有货
  • L297步进电机控制器IC可为微机控制应用中的两相双极和四相单极步进电机生成四相驱动信号。该电机可在半步、正常和波形驱动模式下运行,片上PWM斩波电路允许对绕组电流进行开关模式控制。该器件的一个特点是仅需时钟、方向和模式输入信号。由于相位是内部生成的,因此大大减轻了微处理器和程序员的负担。L297采用DIP20和SO20封装,可与L298N或L293E等单片桥式驱动器配合使用,也可与分立晶体管和达林顿管配合使用。
    数据手册
    • 1+

      ¥136.86
    • 10+

      ¥130.75
    • 30+

      ¥120.17
  • 有货
  • 高压高侧和低侧4 A栅极驱动器
    数据手册
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      ¥9.69
    • 10+

      ¥9.47
    • 30+

      ¥9.32
  • 有货
  • 高压高侧和低侧2 A栅极驱动器
    数据手册
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      ¥15.16
    • 10+

      ¥14.8
    • 30+

      ¥14.57
  • 有货
  • L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨
    数据手册
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      ¥13.53
    • 30+

      ¥12.07
  • 有货
  • 高达16微步的步进电机驱动器,具有SPI和高级电流控制
    数据手册
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      ¥18.04
    • 10+

      ¥17.58
    • 30+

      ¥17.27
  • 有货
  • L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计用于承受高达600 V的电压轨
    数据手册
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