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首页 > 热门关键词 > ST驱动芯片
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三半桥高压栅极驱动器
数据手册
  • 1+

    ¥21.33
  • 10+

    ¥18.44
  • 50+

    ¥16.73
  • 有货
  • STSPIN32G0是一系列高度集成的系统级封装产品,提供适用于采用不同驱动模式驱动三相无刷电机的解决方案,可大幅减少物料清单(BOM)和占用面积。该系列包含四个产品型号,可在用于电流检测的运算放大器、通用输入输出引脚(GPIO)以及诸如为模数转换器(ADC)提供精确参考等特定专用功能之间灵活配置资源。
    • 1+

      ¥27.07
    • 10+

      ¥23.31
    • 30+

      ¥21.08
  • 有货
  • 提供了单栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间的电流隔离。该平台包括具有 10A 和 6A 电流能力的不同选项,每个选项都有适用于 SiC MOSFET 和 IGBT 的专用欠压锁定 (UVLO) 变体。还提供超快速去饱和保护,具有不同的干预阈值和可调节的软关断功能。米勒钳位和可选负驱动功能的存在可实现最佳驱动性能。
    • 1+

      ¥33.03
    • 10+

      ¥32.3
    • 30+

      ¥31.82
  • 有货
  • 具有二极管的推挽四通道驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.37
    • 10+

      ¥28.52
    • 30+

      ¥25.57
    • 100+

      ¥23.1
  • 有货
  • 带电流感应的三IGBT/MOS驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥35.14
    • 10+

      ¥30.27
    • 30+

      ¥27.3
  • 有货
  • 是一个系统级封装,为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器,能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器,可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管,以及上下驱动部分的防交叉导通(互锁)、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护,可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核,工作频率高达 64 MHz,并具有内存保护单元 (MPU),可增强应用程序的安全性
    • 1+

      ¥35.79
    • 10+

      ¥34.95
    • 30+

      ¥34.39
  • 有货
  • 是一款集成式八通道半桥预驱动器,可控制多达16个N沟道MOSFET。用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制等。使用24位串行外设接口(SPI)配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息,如电源电压监控、电荷泵电压监控、温度警告和过温关断
    • 1+

      ¥42.43
    • 10+

      ¥41.49
    • 30+

      ¥40.86
  • 有货
  • VN808 E和VN808 32 E是采用VIPower M0 3技术实现的单片器件,旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,可保护器件免受过载影响。在过载条件下,通道会自动关断并再次开启,以使结温保持在TJSD和TR之间
    数据手册
    • 1+

      ¥43.31
    • 10+

      ¥41.21
    • 31+

      ¥39.94
  • 有货
  • 一款先进的功率系统级封装产品,集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压,嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能,防止功率开关在低效率或危险条件下运行,联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。
    • 1+

      ¥43.81
    • 10+

      ¥42.84
    • 30+

      ¥42.2
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥47.63
    • 10+

      ¥40.73
    • 30+

      ¥36.53
  • 有货
  • 是一款用于IGBT和SiC MOSFET的电流隔离式单栅极驱动器,具有先进的保护、配置和诊断功能。通过真正的电流隔离,将通道栅极驱动与控制和低压接口电路隔离开来。独特的输出架构允许使用外部MOSFET推挽级,在电流能力确定方面具有灵活性,并便于并联使用多个功率开关。2个预驱动器输出的特点是针对该拓扑优化了电流能力和输出电压摆幅,并允许使用负栅极驱动电源
    • 1+

      ¥50.32
    • 10+

      ¥49.2
    • 30+

      ¥48.46
  • 有货
  • 三相电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥58.44
    • 10+

      ¥45.558 ¥50.62
    • 30+

      ¥36.68 ¥45.85
    • 100+

      ¥33.488 ¥41.86
  • 有货
  • DMOS驱动器,用于三相无刷DC电机
    数据手册
    • 1+

      ¥60.97
    • 10+

      ¥51.98
    • 31+

      ¥46.5
  • 有货
  • 采用运动引擎和SPI的完全集成微步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥72.86
    • 10+

      ¥63.11
    • 30+

      ¥57.16
  • 有货
  • 高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥97.46
    • 10+

      ¥92.93
    • 30+

      ¥85.07
  • 有货
  • L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥7.08
  • 有货
  • 低电压双刷直流电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥11.65
    • 30+

      ¥11.47
  • 有货
  • 带振荡器的高压半桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.87
    • 10+

      ¥12.59
    • 30+

      ¥12.4
  • 有货
  • L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧(浮动)部分设计为可承受高达600 V的电压轨
    数据手册
    • 1+

      ¥15.85
    • 10+

      ¥13.53
    • 30+

      ¥12.07
  • 有货
  • 带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.35
    • 10+

      ¥15.66
    • 30+

      ¥13.97
  • 有货
  • L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端(浮动)部分设计用于承受高达600 V的电压轨
    数据手册
    • 1+

      ¥18.91
    • 10+

      ¥18.47
    • 30+

      ¥18.18
  • 有货
  • 适用于 SiC MOSFET 的电隔离 4 A 单栅极驱动器
    • 1+

      ¥20.7
    • 10+

      ¥17.88
    • 30+

      ¥15.05
  • 有货
  • 三半桥高压栅极驱动器
    • 1+

      ¥21.26
    • 10+

      ¥17.43
    • 30+

      ¥15.16
  • 有货
  • 汽车级全集成H桥电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥25.06
    • 10+

      ¥24.51
    • 30+

      ¥24.14
  • 有货
  • 步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥29.32
    • 10+

      ¥25.17
    • 25+

      ¥22.71
  • 有货
  • 双极步进电机的L6208 DMOS驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥36.84
    • 10+

      ¥35.98
    • 30+

      ¥35.41
  • 有货
  • 具有二极管的推挽四通道驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.9
    • 10+

      ¥34
    • 40+

      ¥30.66
  • 有货
  • L6206器件是一款专为电机控制应用设计的DMOS双全桥器件,采用BCD技术制造,该技术可将隔离式DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206器件有PowerSO36和SO24(20 + 2 + 2)两种封装形式,其特点包括热关断功能、高端功率MOSFET非耗散过流检测功能,以及一个可轻松用于实现过流保护的诊断输出端。
    数据手册
    • 1+

      ¥49.5
    • 10+

      ¥48.41
    • 30+

      ¥47.68
  • 有货
  • 高压高侧和低侧4 A栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.69
    • 10+

      ¥9.47
    • 30+

      ¥9.32
  • 有货
  • 带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.45
    • 10+

      ¥12.17
    • 30+

      ¥11.98
  • 有货
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