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特性:额定电流:3A。介电耐压:1000V AC/分钟。接触电阻:最大20毫欧。绝缘电阻:在500V DC时最小5000兆欧。工作温度:-55°C ~ +125°C。插入力:每对最大0.4Kgf。拔出力:每对最大0.25Kgf。绝缘体:PBT+G.F.(UL94V 0)。触点:黄铜或磷青铜。接触区域镀金。焊尾镀锡,镀镍打底。符合RoHS标准
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  • 特性:额定电流:3A。介电耐压:1000V AC/分钟。接触电阻:最大20毫欧。绝缘电阻:在500V DC时最小5000兆欧。工作温度:-55°C ~ +125°C。插入力:每对最大0.4Kgf。拔出力:每对最大0.25Kgf。绝缘体:PBT+G.F.(UL94V 0)。触点:黄铜或磷青铜。接触区域镀金。焊尾镀锡,镀镍打底。符合RoHS标准
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  • 双倍数据速率(DDR)2,堆叠高度5.2毫米[0.205英寸],直角模块方向,200针,DDR2小外形双列直插式内存模块(SO DIMM),SO DIMM插座
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