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首页 > 热门关键词 > 850红外线发射管
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合金一体成型电感,8.5x8.0x5.0mm
  • 5+

    ¥1.361
  • 50+

    ¥1.0687
  • 150+

    ¥0.9434
  • 1000+

    ¥0.7871
  • 2000+

    ¥0.7175
  • 5000+

    ¥0.6757
  • 有货
  • 低内阻,大电流,屏蔽效果好,主在用DC-DC转换电路
    • 5+

      ¥1.408
    • 50+

      ¥1.1056
    • 150+

      ¥0.976
    • 1000+

      ¥0.8143
  • 有货
  • 低内阻,大电流,屏蔽效果好,主在用DC-DC转换电路
    • 5+

      ¥1.408
    • 50+

      ¥1.1056
    • 150+

      ¥0.976
    • 1000+

      ¥0.8143
  • 有货
  • 1206 球头发射管侧面红
    • 5+

      ¥1.408
    • 50+

      ¥1.1056
    • 150+

      ¥0.976
    • 1000+

      ¥0.8143
    • 2000+

      ¥0.7423
    • 5000+

      ¥0.699
  • 有货
  • 板上高度3.2MM;3.0x8.5尾部2.0x5.3;镀金1u,1.2钢珠镀金2u;散装
    • 1+

      ¥1.4535 ¥1.53
    • 10+

      ¥1.425 ¥1.5
    • 30+

      ¥1.3965 ¥1.47
    • 100+

      ¥1.3775 ¥1.45
  • 有货
  • 4040侧贴红外940 功率 495mW;正向电流 60mA ;电压1.2-1.4V; 波长940-960NM 工作温度 -40℃~+85℃
    • 5+

      ¥1.519
    • 50+

      ¥1.1864
    • 150+

      ¥1.0438
  • 有货
  • 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备30A的连续漏极电流(ID)和60V的最大漏源电压(VDSS),适用于广泛的电路设计需求。其导通电阻(RDS(on))为20mΩ,在20V的栅源电压(VGS)下操作,保证了低损耗和高效的性能。该元件特别适合应用于电源管理、电池充电电路以及各种消费电子产品中,作为开关或放大元件,能够实现精确控制和稳定运行。
    • 1+

      ¥1.576 ¥1.97
    • 10+

      ¥1.536 ¥1.92
    • 30+

      ¥1.512 ¥1.89
    • 100+

      ¥1.488 ¥1.86
  • 有货
  • 8080晶元28mil-D球头红外灯源120度845-860nm
    • 5+

      ¥1.7599
    • 50+

      ¥1.3819
    • 150+

      ¥1.2199
    • 1000+

      ¥1.0178
    • 2000+

      ¥0.9278
    • 5000+

      ¥0.8738
  • 有货
    • 1+

      ¥1.8335 ¥1.93
    • 10+

      ¥1.7195 ¥1.81
    • 200+

      ¥1.425 ¥1.5
    • 1000+

      ¥1.368 ¥1.44
  • 有货
    • 5+

      ¥1.8442
    • 50+

      ¥1.4481
    • 150+

      ¥1.2784
  • 有货
  • 3535IR,3.5x3.5mm;TOP带球头大功率红外LED;本产品主要应用于红外摄像、机械设备的可视系统,监视设备等。
    • 1+

      ¥2.16 ¥2.4
    • 10+

      ¥1.701 ¥1.89
    • 30+

      ¥1.512 ¥1.68
    • 100+

      ¥1.269 ¥1.41
    • 500+

      ¥1.161 ¥1.29
    • 1000+

      ¥1.089 ¥1.21
  • 有货
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.73
  • 有货
  • 产品尺寸:3.5*3.5*H2.1
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.56
  • 有货
  • 发光二极管/LED 3535陶瓷封装红外贴片灯珠
    • 1+

      ¥2.9
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.66
    • 500+

      ¥1.51
    • 800+

      ¥1.42
  • 有货
  • SI7850DP-T1-GE3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管,具有出色的60V漏源电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力,特别适用于高功率应用场合。其导通电阻RD(on)仅为20mR,显著提高了电路效率并降低了功耗。这款MOS管广泛应用于开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域,是实现高效、节能设计的理想半导体器件。
    • 1+

      ¥3.0378 ¥3.66
    • 10+

      ¥2.9714 ¥3.58
    • 30+

      ¥2.9216 ¥3.52
    • 100+

      ¥2.8718 ¥3.46
  • 有货
    • 1+

      ¥3.1065 ¥3.27
    • 10+

      ¥2.9165 ¥3.07
    • 160+

      ¥2.4605 ¥2.59
    • 960+

      ¥2.3655 ¥2.49
  • 有货
  • 特性:操作温度范围:-40°C ~ +1°C。瞬时温度:+250°C, 5s。接触电阻:20mΩ Max。扭矩:0.8Nm (7.02Lb.in)。线径范围:14~22AWG。抗电强度:AC2000V/1 Minute。绝缘电阻:1000MΩ Min
    数据手册
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.17
  • 有货
  • 产品尺寸:3.5*3.5*H2.1
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.61
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.96
    • 500+

      ¥1.77
  • 有货
  • 3535/30度/红外805nm堆叠/1W/ATC
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥3.42
    • 30+

      ¥3.36
    • 100+

      ¥3.3
  • 有货
  • VSMB2943SLX01是一款采用GaAlAs多量子阱(MQW)技术的940 nm红外侧视发光二极管,具备高辐射功率和高速度特性,采用透明、无着色的塑料封装(带透镜)进行表面贴装(SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥3.44
    • 30+

      ¥3.39
  • 有货
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥2.76
  • 有货
  • 特性:无铅端子。 标记内容:型号、制造商标志、参考温度(单位:℃)和日期代码YYYWW(B59880C0130*和B59890C*除外)。 响应时间短。 UL认证:参考温度为130℃,最大电压为220V,额定电压为220V(文件编号E69802)。 UL认证:参考温度为120℃,最大电压为230V,额定电压为220V(文件编号E69802)。 UL认证:参考温度为80℃,最大电压为165V,额定电压为145V(文件编号E69802)。应用:过流保护。 短路保护
    数据手册
    • 1+

      ¥3.98
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥2.81
  • 有货
  • 特性:封装:黑色环氧树脂。 ESD:根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(HBM,2类)标准为2 kV。 波长:950 nm。 窄半角:±10°。 短开关时间。 有UL版本(订购代码和测试条件可按需提供)。应用:电子设备。 工业自动化(机器控制、光栅、视觉控制)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.47
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.69
    • 500+

      ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
    • 1+

      ¥4.49
    • 10+

      ¥3.64
    • 30+

      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.8
    • 500+

      ¥2.55
  • 有货
  • 产品尺寸mm:3.5*3.5*H1.67
    • 1+

      ¥4.93
    • 10+

      ¥4.45
    • 30+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.76
    • 1000+

      ¥3.7
  • 有货
  • 铁氧体鼓形磁芯结构。磁屏蔽。尺寸:长×宽×高:10.5×10.3×4.0 mm(最大)。产品重量:1.5g(参考值)。湿度敏感度等级:1。符合AEC Q200标准
    数据手册
    • 1+

      ¥5.4
    • 10+

      ¥4.42
    • 30+

      ¥3.94
    • 100+

      ¥3.45
  • 有货
  • 该N沟道场效应管具有60V漏源电压(VDSS)和30A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻为20mΩ,适用于中等功率开关应用。器件具备良好的栅极控制特性和开关响应速度,有助于降低开关损耗,提升系统能效。采用标准封装,利于散热与电路集成,适合用于电源管理模块、电池供电系统、直流电机驱动及各类功率调节电路。其性能表现满足多种电子设备对稳定性和效率的需求,适用于对空间与功耗有兼顾要求的设计方案。
    • 1+

      ¥5.5385 ¥5.83
    • 10+

      ¥5.415 ¥5.7
    • 30+

      ¥5.3295 ¥5.61
    • 100+

      ¥5.244 ¥5.52
  • 有货
  • TPS628502 采用 SOT583 封装的 2.7V 至 6V、2A 可调频率降压转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.34
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.38
    • 100+

      ¥4.59
  • 有货
  • 产品是双高速双向保护组件,采用MOSFET半导体技术,旨在防止由短路、交流电源交叉、感应和雷电浪涌引起的故障。TBUQ高速保护器作为MOSFET的一个功能触发,可阻挡浪涌,并在浪涌事件期间为敏感电子设备提供有效屏障,使其免受大电压或电流的影响。该设备采用表面贴装DFN封装,符合行业标准要求,如RoHS和无铅回流焊规范。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.45
    • 10+

      ¥6.1
    • 30+

      ¥5.36
    • 100+

      ¥4.52
    • 500+

      ¥4.15
  • 有货
  • 转接线 11牙SMA弯母头转一代IPEX RG178线
    • 1+

      ¥7.8
    • 10+

      ¥6.45
    • 30+

      ¥5.71
    • 100+

      ¥4.87
    • 500+

      ¥4.5
    • 1000+

      ¥4.33
  • 有货
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