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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-60035-SMT-TR 编号：C603293

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥178.51
30+
￥168.99

有货

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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-10035-SMT-TR 编号：C891563

封装：SMD

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥127.05
10+
￥121.22
30+
￥111.11

有货

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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-60035-SMT-TR1 编号：C905854

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥584.45
10+
￥564.38

有货

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塑料硅 PIN 光电二极管940nm 反向电压32V

型号：QSE773E3R0 编号：C513063

封装：插件,L=5.5mm

品牌：onsemi(安森美)

QSE773 是采用红外，透明，黑色塑料 sidelooker 封装的硅 PIN 光电二极管。

数据手册

1+
￥5.66
10+
￥4.61
30+
￥4.09

有货

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730nm~1100nm 32V

型号：QSB34GR 编号：C900003

封装：SMD,3x3mm

品牌：onsemi(安森美)

特性：日光滤镜（仅适用于QSB34GR和QSB34ZR）。表面贴装封装。QSB34GR / QSB34CGR用于上安装板。QSB34ZR / QSB34CZR用于下安装板。快速PIN光电二极管。宽接收角：120°。大芯片尺寸：3mm × 3mm。敏感区域：2.55mm × 2.55mm。高灵敏度。低电容。可提供0.470英寸（12mm）宽的胶带，缠绕在7英寸（178mm）直径的卷轴上，每卷1000个单元

数据手册

1+
￥10.04
10+
￥8.36
30+
￥7.44

有货

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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

数据手册

1+
￥213.43
30+
￥203.36

订货

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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-40035-TSV-TR 编号：C891568

封装：WBGA-14

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥241.21
30+
￥229.67

有货

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MICROFC-30035-SMT-TR1

型号：MICROFC-30035-SMT-TR1 编号：C905852

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥383.47
30+
￥365.12

有货

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32V

型号：QSE773 编号：C900007

封装：插件,L=5.5mm

品牌：onsemi(安森美)

QSE773 是采用红外，透明，黑色塑料 sidelooker 封装的硅 PIN 光电二极管。

数据手册

1+
￥6.26
10+
￥5.1
30+
￥4.52

有货

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300nm~950nm 24.7V

型号：MICROFC-30035-SMT-TR 编号：C556414

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥143.43
30+
￥136.66

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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-30035-TSV-TR 编号：C891567

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

数据手册

1+
￥179.8
30+
￥170.5

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塑料硅 PIN 光电二极管880nm 频谱范围400nm~1100nm 反向电压50V

型号：QSD2030 编号：C184368

封装：插件,D=5mm

品牌：onsemi(安森美)

QSD2030 是一款光电二极管，采用透明的 T-1 3/4 封装，峰值灵敏度为 880nm。

数据手册

12000+
￥1.14755
24000+
￥1.118375
36000+
￥1.079475
72000+
￥1.0503

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QSD2030F

型号：QSD2030F 编号：C897964

封装：插件,D=5mm

品牌：onsemi(安森美)

QSD2030F 是采用红外透明的黑色 T-1 3/4 封装的光电二极管，峰值灵敏度为 880nm。

数据手册

7000+
￥1.276944
14000+
￥1.26544
21000+
￥1.242432

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表面贴装硅红外线PIN光电二极管940nm 频谱范围400nm~1100nm 反向电压32V

型号：QSB34CZR 编号：C900002

封装：SMD,4x4.5mm

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

4000+
￥2.393715
8000+
￥2.37215
12000+
￥2.32902

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200nm~900nm 24.7V

型号：MICROFJ-30020-TSV-TR 编号：C891566

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

数据手册

1+
￥148.91
30+
￥141.15

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ARRAYC-30035-144P-PCB

型号：ARRAYC-30035-144P-PCB 编号：C406050

封装：SMD,50.2x50.2mm

品牌：onsemi(安森美)

C 系列 SiPM 传感器 4 面可扩展阵列安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器用于生产紧凑的可扩展阵列。采用 MLP 封装的此类传感器安装在具有最小死区空间的 PCB 板上，可提供多种形式，可由 1 mm、3 mm 或 6 mm 传感器组成。每个 ArrayC 的背面都具有多路联接器或球形焊点阵列 (BGA)，提供对于快速*和标准输出的访问，以及来自像素总和基质的公共 I/O。 * 请注意 ARRAYC-60035-4P-BGA 没有快速输出。

数据手册

1+
￥18894.03
30+
￥17989.85

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MICRORB-10020-MLP-TR

型号：MICRORB-10020-MLP-TR 编号：C891570

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥275.65
30+
￥262.46

订货

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QSB34ZR

型号：QSB34ZR 编号：C900004

封装：SMD,4x4.5mm

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

4000+
￥2.393715
8000+
￥2.37215
12000+
￥2.32902

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MICROFC-30050-SMT-TR

型号：MICROFC-30050-SMT-TR 编号：C891565

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥140.12
200+
￥54.23
500+
￥52.32
1000+
￥51.38

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MICROFC-10020-SMT-TR

型号：MICROFC-10020-SMT-TR 编号：C891562

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥154.88
200+
￥59.94
500+
￥57.83
1000+
￥56.79

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