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AT25SF041B MAHD T

型号：AT25SF041B-MAHD-T 编号：C1883515

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，可将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大块擦除闪存设备的内存浪费。此外，该设备还包含三个安全寄存器页面，用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等，这些页面可以单独锁定。

数据手册

1+
￥4.55
10+
￥4.45
30+
￥4.38

有货

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AT25SF041B MAHB T

型号：AT25SF041B-MAHB-T 编号：C1870748

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥4.6
10+
￥4.49
30+
￥4.41

有货

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2 Mbit数据闪存（带额外64 Kbit），最低工作电压1.65 V的SPI串行闪存

型号：AT45DB021E-SHN-T 编号：C226094

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

一款最低工作电压为 1.65V 的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。它还支持 RapidS 串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其 2,162,688 位的存储器被组织成 1,024 页，每页 256 字节或 264 字节

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.79
30+
￥3.31

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降压型 4.5V~60V

型号：ISL8117AFRZ-T 编号：C2658657

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL8117A 是一款同步降压控制器，用于为工业和通用领域的各种应用生成负载点（POL）电压轨和偏置电压轨。其较宽的输入和输出电压范围使其适用于电信和汽车售后市场应用。ISL8117A 是 ISL8117 的派生产品，它用 COMP 引脚取代了原有的 CLKOUT 引脚，为客户提供了外部配置电压环路补偿的灵活性

数据手册

1+
￥4.93
10+
￥4.82
30+
￥4.74

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AT25XE041D-SSHN-T

型号：AT25XE041D-SSHN-T 编号：C5571228

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥5.13
10+
￥5.02
30+
￥4.95

有货

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800mV~5V 1A 6V

型号：ISL80101IRAJZ-TK 编号：C152617

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款低压、大电流、单输出LDO，指定输出电流为1A。该LDO的输入电压范围为2.2V至6V，能够提供0.8V至5V的输出电压。具有可调输出功能。采用亚微米BiCMOS工艺，与双极LDO相比，该CMOS LDO的静态电流会随着负载的变化而显著降低，这意味着更高的效率和更小的封装尺寸。先进的内部补偿实现了非常快速的负载瞬态响应。软启动引脚上的外部电容提供了可调节的软启动斜坡。使能功能允许该器件进入低静态电流关断模式。电源良好逻辑输出可指示故障情况。

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.19
30+
￥3.7

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2.5V/3.3V 四通道低电平有效高带宽总线开关

型号：QS3VH125QG 编号：C150358

封装：QSOP-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

QS3VH125 是一款高带宽四总线开关。QS3VH125 具有非常低的导通电阻，导致通过开关的传播延迟小于250皮秒。这些开关可以在单独的LVTTL兼容低电平有效的输出使能信号控制下导通，实现双向数据流传输且无额外延迟或地弹。在导通状态下，开关可以传递高达5V的信号。在关断状态下，开关在端子处提供非常高的阻抗。接近零的传播延迟、高关断阻抗和过压耐受性的结合使得QS3VH125非常适合高性能通信应用。QS3VH125 的工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥5.79
30+
￥5.71

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I2C实时时钟/日历，带电池备份SRAM的低功耗RTC

型号：ISL1208IB8Z 编号：C6577621

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该设备是一款低功耗实时时钟，具备定时和晶体补偿、时钟/日历、电源故障指示、周期性或轮询警报、智能电池备份切换以及电池供电的用户静态随机存取存储器（SRAM）。振荡器使用外部低成本32.768kHz晶体。实时时钟通过单独的寄存器分别跟踪小时、分钟和秒。该设备还拥有用于日期、月份、年份和星期几的日历寄存器，日历在2099年前都能保持准确，并具备自动闰年校正功能。

1+
￥6.01
10+
￥4.85
30+
￥4.28
100+
￥3.71

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QS3861PAG8

型号：QS3861PAG8 编号：C150372

封装：TSSOP-24

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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1+
￥6.1
10+
￥5.97
30+
￥5.89

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3.3V供电 40Mbps 收发器

型号：ISL3179EIUZ-T 编号：C2671980

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL3179E和ISL3180E是具备高ESD保护功能、采用3.3V供电的单路收发器，符合RS - 485和RS - 422平衡通信标准。每个器件的总线电流较低（+220μA / - 150μA），因此它们在RS - 485总线上呈现1/5单位负载。这使得网络中最多可连接160个收发器，而不会违反RS - 485规范中32单位负载的上限，且无需使用中继器

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1+
￥6.78
10+
￥6.62
30+
￥6.52

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五输出3.3V时钟缓冲器

型号：2305NZ-1HDCGI 编号：C3613430

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT2305NZ是一款低成本缓冲器，旨在为移动PC系统和台式PC系统分配高速时钟。IDT2305NZ工作电压为3.3V，具有五个输出端，最高运行频率可达133.33MHz。IDT2305NZ是IDT2309NZ的8引脚版本。它专为低电磁干扰（EMI）和电源优化而设计，在66.6MHz时功耗低于32mA，非常适合移动系统的低功耗要求。

1+
￥6.93
10+
￥6.77
30+
￥6.66

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高速CMOS 10位总线开关，直连引脚排列

型号：QS3861PAG 编号：C1547125

封装：TSSOP-24

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

增强型 N 沟道 FET，与 Vcc 之间无固有二极管。5Ω 双向开关将输入连接到输出。

数据手册

1+
￥7
10+
￥6.84
30+
￥6.73

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降压型 3A 4.5V~24V

型号：RAA2112304GP3#JA0 编号：C22444906

封装：TSOT-23-6

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RAA211230是一款集成式24V、3A同步降压稳压器，采用电流模式恒定导通时间（COT）控制。RAA211230具备全面的保护功能，包括输入欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、输出欠压保护（OUVP）和过温保护（OTP）。该器件采用6引脚TSOT23封装

1+
￥7
10+
￥6.83
30+
￥6.72

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3.3V供电 250Kbps 收发器

型号：ISL83071EIBZA-T 编号：C2671706

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是BiCMOS 3.3V供电的单收发器，符合RS-485和RS-422平衡通信标准。这些设备具有非常低的总线电流（+125μA / -100μA），因此它们为RS-485总线提供了真正的“1/8单位负载”。这允许网络上最多有256个收发器，而不会违反RS-485规范的32单位负载上限，也无需使用中继器。接收器（R×）输入采用全故障安全设计，确保在Rx输入浮空、短路或端接但未驱动时，Rx输出为逻辑高电平

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1+
￥7.06
10+
￥6.9
30+
￥6.79

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ISL95837HRZ-T

型号：ISL95837HRZ-T 编号：C357826

封装：QFN-40(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

符合IMVP-7/VR12，为微处理器和图形处理器核心电源提供完整解决方案。提供两个电压调节器（VR）和三个集成栅极驱动器。第一个VR可配置为3相、2相或1相VR，第二个输出为1相VR，提供最大灵活性。两个VR共享串行控制总线与CPU通信，与双芯片方法相比，可降低成本并减小电路板面积

数据手册

1+
￥7.07
10+
￥6.91
30+
￥6.8

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RAA2113204GP3#JA0

型号：RAA2113204GP3#JA0 编号：C22387116

封装：TSOT-23-6

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥7.09
10+
￥6.93
30+
￥6.83

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高精度信号链设计高性能解决方案

型号：UPC251G2-E2-A 编号：C23554478

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Renesas的广泛精密模拟产品组合为下一代精密仪器、医疗、通信和工业过程控制应用提供了广泛的解决方案，在这些应用中，创新、可靠性和可依赖性是模拟设计的核心。

1+
￥7.29
10+
￥7.12
30+
￥7.01
100+
￥6.9

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支持双路I/O和四路I/O的32 Mbit SPI串行闪存

型号：AT25SF321B-MHB-T 编号：C2655411

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF321B是一款串行接口闪存存储设备，专为各种高容量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存存储中映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF321B灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF321B的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地利用存储空间。

数据手册

1+
￥7.63
10+
￥7.45
30+
￥7.33

有货

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3.3V 400mA 6.5V

型号：ISL9007IUNZ-T 编号：C3748060

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL9007是一款高性能低压差线性稳压器（LDO），可提供400mA的连续负载电流。它具有低待机电流和高电源抑制比（PSRR），在输出电容为1μF至10μF、等效串联电阻（ESR）高达200mΩ时能保持稳定。ISL9007的PSRR非常高，可达75dB，输出噪声小于30μV RMS

1+
￥7.81
10+
￥7.62
30+
￥7.49

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负信号摆幅，亚欧姆，单电源双 SPDT 开关

型号：ISL54059IRTZ 编号：C1546096

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

低导通电阻、低电压、双向双单刀/双掷 (SPDT) 模拟开关。适用于从单个 +1.8V 至 +6.5V 供电，并通过信号摆幅到正电源轨以下 6.5V。

数据手册

1+
￥7.9
10+
￥7.72
30+
￥7.59

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SLG46534V

型号：SLG46534V 编号：C5918879

封装：STQFN-14(2x2.2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供一个小型、低功耗的组件，用于常用的混合信号功能。用户通过对一次性非易失性存储器 (NVM) 进行编程来创建电路设计，以配置互连逻辑、I/O 引脚和宏单元。该高通用性器件允许在非常小的低功耗单集成电路内设计各种混合信号功能。

1+
￥7.92
10+
￥7.74
30+
￥7.62

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支持双读功能的SPI串行闪存

型号：AT25DF512C-MAHN-T 编号：C18186338

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

1+
￥7.93
10+
￥6.59
30+
￥5.85

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ISL1208IU8Z-TK

型号：ISL1208IU8Z-TK 编号：C61174

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

I2C接口（RTC）,工作电压：2.7V-5.5V

数据手册

1+
￥8.19
10+
￥6.8
30+
￥6.04

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AT25FF161A-UUNHD-T

型号：AT25FF161A-UUNHD-T 编号：C20510215

封装：WLCSP-8(1.77x1.74)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：电压范围：1.65 V-3.75 V。16 Mbit (2M x 8)闪存。兼容串行外设接口 (SPI)。支持SPI模式0和3。支持单输入/输出操作 (1-1-1)。支持双输出操作 (1-1-2)

1+
￥8.45
10+
￥8.26
30+
￥8.14

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16-Mbit SPI串行闪存，支持双I/O和四I/O

型号：AT25SF161B-SSHD-B 编号：C5555633

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：串行外设接口（SPI）兼容。支持协议：单、双、四I/O操作。最高工作频率108 MHz。两种电源电压选项：2.7 V-3.6 V、2.5 V-3.6 V。支持执行就地（XiP）。连续读取模式（8/16/32/64字节回绕）

1+
￥8.6
10+
￥7.17
30+
￥6.38
98+
￥5.49

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74CBTLV3257PGG

型号：74CBTLV3257PGG 编号：C6708224

封装：TSSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥8.6
10+
￥8.42
30+
￥8.29

有货

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低功耗平台，54μA/MHz工作电流，TA=125°C工作，8至20引脚，4至8KB代码闪存，1KB RAM，2.4至5.5V

型号：R5F12018ASP#50 编号：C20351401

封装：LSSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低功耗技术: -单电源电压范围为 2.4 至 5.5 V。具有 HALT 模式和 STOP 模式。 RL78 CPU 核心: -CISC 架构，3 级流水线。最小指令执行时间：高速（0.0625 μs，@ 16 MHz 运行，带高速片上振荡器）到低速（1.0 μs，@ 1 MHz 运行）可更改。地址空间：1 MB。通用寄存器：(8 位寄存器 × 8) × 4 组。片上 RAM：1 KB。代码闪存: -代码闪存容量：4 至 8 KB

1+
￥8.8
10+
￥8.6
30+
￥8.47

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支持双读功能的512 Kbit、最低2.3 V的SPI串行闪存

型号：AT25DN512C-MAHF-T 编号：C2061469

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。其灵活的擦除架构和页擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

数据手册

1+
￥8.81
10+
￥7.31
30+
￥6.48

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3.3V 150mA 6.5V

型号：ISL9016IRUNCZ-T 编号：C6061846

封装：uTDFN-6-EP(1.6x1.6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能双路LDO，能够在每个通道上提供高达150mA的电流。它具有低待机电流和非常高的电源抑制比（PSRR），在输出电容为1μF至4.7μF、等效串联电阻（ESR）高达200mΩ时保持稳定。该器件为每个输出集成了独立的使能功能。当仅启用一个LDO时，静态电流通常为49μA；当两个LDO都启用时，静态电流通常为80μA

1+
￥8.89
10+
￥8.7
30+
￥8.57

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3.5V~5.5V 串联 1.5uA 50ppm/℃

型号：ISL21080CIH333Z-TK 编号：C152612

封装：SOT-23

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21080模拟电压基准源具备低电源电压工作特性，典型工作电流超低，仅为310nA，最大工作电流为±0.5μA。此外，ISL21080系列保证初始精度低至±0.2%，温度系数为50ppm/°C。这些基准源非常适合通用便携式应用，能够以较低成本延长电池使用寿命

数据手册

1+
￥8.98
10+
￥8.77
30+
￥8.63

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