夏普光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：BC2223 编号：C596509

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥4.4935 ￥4.73
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￥3.7525 ￥3.95
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￥2.508 ￥2.64
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￥2.394 ￥2.52

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型号：SFH6106-3T 编号：C118291

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。

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￥3.28
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￥2.57
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￥2.27
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￥1.89
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￥1.73
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￥1.63

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型号：FODM2705R2 编号：C115403

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 由一个驱动光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成，采用 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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￥3.31
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￥2.67
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￥2.4
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￥2.06
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￥1.91
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￥1.81

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型号：SFH6106-4T 编号：C503261

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器有砷化镓红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料 DIP-4 或 SMD 封装。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现大于 8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压下的加强绝缘。

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￥3.75
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￥2.98
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￥2.007 ￥2.23
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￥1.845 ￥2.05
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￥1.737 ￥1.93

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型号：GAQY212E 编号：C19271985

封装：DIP-4

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)

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￥3.78
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￥3.05
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￥2.68
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￥2.14
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￥1.92
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￥1.81

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型号：TLP188(GB-TPL,E 编号：C4153840

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥3.81
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￥2.8
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￥2.36
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￥1.82
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￥1.58
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￥1.43

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型号：HCPL-3140-560E(UMW) 编号：C53109731

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.83
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￥3.09
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￥2.71
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￥2.34
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￥2

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型号：AT216-CuH-S 编号：C42371494

封装：SMD-4P

品牌：AOTE(奥特)

AT216 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥3.861 ￥4.29
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￥2.079 ￥2.31
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￥1.971 ￥2.19

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型号：TLP560G(F) 编号：C2848505

封装：DIP-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由一个光控三端双向可控硅和一个红外发光二极管组成，采用六引脚塑料双列直插式封装。

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￥4.04
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￥3.22
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￥2.03

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型号：CYTLP109(TPD2) 编号：C5290155

封装：SOP-5

品牌：OCIC(卓睿科)

迷你扁平耦合器CYTLP109是一款小外形耦合器，适用于表面贴装组装。CYTLP109由一个高输出功率红外LED与一个高速光电二极管 - 晶体管芯片光耦合而成。CYTLP109采用SO6封装，保证爬电距离≥5.0 mm、电气间隙≥5.0 mm，绝缘厚度≥0.4 mm

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￥3
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￥2.2

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型号：TLP268J(V4-TPL,E 编号：C26805125

封装：SO-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由零交叉光控三端双向可控硅和红外 LED 光耦合组成。采用 SO6 封装，保证最小爬电距离为 5.0mm，最小电气间隙为 5.0mm，最小绝缘厚度为 0.4mm。因此，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求。

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￥3.15
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￥3.08

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型号：TAQY212S 编号：C49254537

封装：SOP-4

品牌：拓朴微

由光 MOSFET、光电电压发生器和红外 LED 组成。实现了低导通电阻，具有良好的性价比。

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￥4.293 ￥4.77
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￥3.069 ￥3.41
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￥2.421 ￥2.69
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￥2.295 ￥2.55

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型号：MOCD217M 编号：C258262

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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￥4.4
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￥3.59
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￥2.92
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￥2.27
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￥2.15

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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

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￥4.44
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￥3.57
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￥3.14
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￥2.48
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￥2.35

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型号：KPC457TLD 编号：C107277

封装：SOP-5

品牌：Cosmo(冠西)

KPC457系列包含一个LED，它是高速数字输出型光耦合器，采用5引脚迷你扁平封装。

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￥4.52
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￥3.72
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￥3.32
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￥2.38
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￥2.26

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型号：HCPL-3180-500E(UMW) 编号：C53109725

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥4.59
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￥3.7
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￥3.25
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￥2.8
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￥2.4

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型号：MOC3063M 编号：C8920

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥4.8
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型号：PS2801-4-F3-A 编号：C12547

封装：SOIC-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2801 - 1和PS2801 - 4是光耦合隔离器，在塑料SSOP封装中包含一个砷化镓（GaAs）发光二极管和一个NPN硅光电晶体管，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽作用，可阻隔环境光。

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￥5.09
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￥4.07
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￥3.06

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型号：GAQY412EH 编号：C7435135

封装：SMD-4P

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（低功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳、无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥5.47
10+
￥5.33
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￥5.25
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￥5.16

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型号：LTV-6341W-TA1 编号：C2944039

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 6341系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光电耦合器的工作参数在 - 40°C至 + 125°C的温度范围内得到保证

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￥5.98
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￥4.95
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￥3.1

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型号：TLP240GA(TP1,F 编号：C261930

封装：SMD-4P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP240GA和TLP240GAF光电继电器由光MOSFET与红外发光二极管进行光耦合构成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms，适用于需要加强绝缘的应用场景

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1+
￥6.16
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￥4.93
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￥3.7
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￥3.34

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型号：QX214-CuH-S 编号：C22459233

封装：SMD-4P

品牌：NQUNXIN(群芯微电子)

SMD4封装光继电器 5000V隔离电压，负载电压400V, 负载电流：0.12A

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￥6.18
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￥5
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￥4.42
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￥3.83
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￥3.49
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￥3.31

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型号：GAQV212E 编号：C7435174

封装：DIP-6

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无电弧、无弹跳和无噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥3.33

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型号：ATV253-CuH-S 编号：C42371489

封装：SMD-6P

品牌：AOTE(奥特)

AV253 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、MOSFET组成。广泛应用于：通讯产品(个人电脑,笔记本电脑)、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。

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￥7.038 ￥7.65
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￥5.8328 ￥6.34
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￥5.1704 ￥5.62
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￥4.416 ￥4.8
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￥4.0848 ￥4.44
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￥3.9376 ￥4.28

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型号：GAQW211G2E 编号：C7435147

封装：DIP-8

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制）。无弹跳开关。更高的速度和高频开关。更高的灵敏度（更低的功耗）。抗电磁干扰或射频干扰。无阀弧、弹跳和噪音。应用：电信/数据通信交换。多路复用器

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￥7.04
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￥5.88
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￥5.13
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￥4.42
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￥4.1
1000+
￥3.95

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型号：TLP292-4(V4GBTPE 编号：C17466350

封装：SO-16-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP292 - 4由与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。TLP292 - 4采用超小型薄型SO16封装。由于TLP292 - 4保证了较宽的工作温度范围（Ta = -55至125 °C）和较高的隔离电压（3750 Vrms），因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用