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三象限，Hi-Com 三端双向可控硅
型号：BTA425Y-800CTQ 编号：C602407
封装：TO-220AB-3
品牌：WeEn(瑞能)
平面钝化型高换向三象限双向可控硅，采用SOT78D（TO - 220AB）内部绝缘塑料封装，适用于可能出现高静态和动态dV/dt以及高dI/dt的电路。这款“CT系列”双向可控硅可在最高额定结温（Tj(max) = 150°C）下，无需缓冲器辅助即可换向全均方根电流。它用于需要“高结工作温度能力”的应用场合
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    双向可控硅 无 1
    型号：IL420-X009T 编号：C511027
    封装：SMD-6P
    品牌：VISHAY(威世)
    由与光敏非过零三端双向可控硅网络光耦合的砷化镓红外发光二极管组成。三端双向可控硅由两个反向并联的单片可控硅组成。这三个半导体组装在一个六引脚双列直插式封装中。通过使用射极跟随器光电晶体管和级联可控硅预驱动器实现了高输入灵敏度，从而使LED触发电流小于2 mA（直流）
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    硅 N沟道 功率 MOSFET
    型号：RJK5009DPP-HXY 编号：C48972094
    封装：TO-220F
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的最大漏极电流（ID），适合中高功率应用场景。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源转换、电机控制、智能家电及高性能电子设备中的开关电路设计。其参数特性支持高频工作，有利于减小外围元件体积，提高整体设计灵活性。

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    1 Form A (SPST-NO) AC 有
    型号：AQG22112 编号：C719586
    封装：SIP-4
    品牌：PANASONIC(松下)
    特性：垂直尺寸最大厚度为 4.5mm。 内置缓冲电路，防止因噪声引起的故障。 提供过零和随机两种方法。 高介电强度：3000Vrms（输入和输出之间）。 安全标准：C-UL（UL508）认证，VDE（EN60950-1）加强绝缘认证。应用：家用电器，如空调和除湿机。 医疗保健和医疗设备
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      ￥23.97

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    高效晶闸管
    型号：CLA80E1200HF 编号：C497182
    封装：TO-247-3
    品牌：Littelfuse/IXYS
    C = 晶闸管（SCR） L = 高效晶闸管 A = （最高 1200V） 80 = 额定电流 [A] α = 单晶闸管 1200 = 反向电压 [V] HF = PLUS247 (3)
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      ￥27.78

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    晶闸管模块
    型号：MCMA140P1600TA 编号：C3614050
    封装：TO-240AA
    品牌：Littelfuse/IXYS
    特性：适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al₂O₃陶瓷。 隔离电压：4800V~。 行业标准外形。应用：50/60Hz线路整流。 交流电机软启动控制

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      ￥141.42

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    5件套 晶闸管模块
    型号：MT500C16DT6 编号：C22468557
    封装：DT6
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：国际标准封装。 高浪涌能力。 安装简单。应用：功率转换器。 照明控制

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      ￥829.81

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    晶闸管模块
    型号：MT1000A35T9 编号：C22468573
    封装：T9
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    特性：国际标准封装。 高浪涌能力。 安装简单。应用：功率转换器。 照明控制

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      ￥2024.2

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z20W 编号：C3019211
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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      ￥0.04244 ￥0.1061

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z27W 编号：C3019209
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C4V3SW 编号：C3019303
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管，SOT-23表面贴装稳压二极管
    型号：BZX84C5V6 编号：C42380724
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C10SW 编号：C3019322
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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      ￥0.01464 ￥0.0732

    • 6000+

      ￥0.01306 ￥0.0653

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      ￥0.01168 ￥0.0584

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C6V8SW 编号：C3019293
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z18W 编号：C3019212
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

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    • 6000+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z13W 编号：C3019214
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z7V5W 编号：C3019199
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.04408 ￥0.1102

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    硅平面齐纳二极管，SOT - 23表面贴装稳压二极管
    型号：BZX84C15 编号：C48686201
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：耗散功率：300mW（Ta = 25℃）。 正向电流：250mA。 正向电压：0.9V（@ IF = 10mA）。 反向电压：2.4-75V。 结温和储藏温度：125℃，-55 至 +125℃

    • 50+

      ￥0.0459

    • 500+

      ￥0.0449

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z5V6 编号：C24876713
    封装：SOD-323
    品牌：HT(金誉)
    特性：总功率耗散：最大300mW。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为 ±5%

    • 50+

      ￥0.04731 ￥0.0498

    • 500+

      ￥0.046265 ￥0.0487

    • 3000+

      ￥0.0456 ￥0.048

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      ￥0.044935 ￥0.0473
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z51 编号：C107457
    封装：SOD-123
    品牌：ST(先科)
    硅平面齐纳二极管
    数据手册

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      ￥0.018774 ￥0.1341

    • 500+

      ￥0.0168 ￥0.12

    • 1000+

      ￥0.015736 ￥0.1124
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z8V2W 编号：C3019198
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0848

    • 500+

      ￥0.0662

    • 3000+

      ￥0.0558
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z3V6W 编号：C3019203
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大300mW。 宽齐纳反向电压范围：2.0V至75V。 小型塑料封装，适合表面贴装设计。 公差约为±5%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0862

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z2V7B 编号：C438299
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0863

    • 500+

      ￥0.0674

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    M8(M8表示丝印) 硅平面齐纳二极管
    型号：BZX84C4V7 编号：C2832546
    封装：SOT-23
    品牌：CBI(创基)
    M8(M8表示丝印)
    数据手册

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      ￥0.07068 ￥0.076

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      ￥0.055242 ￥0.0594

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      ￥0.040734 ￥0.0438
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z3V3B 编号：C438301
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
    数据手册

    • 50+

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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZT52C3V3SW 编号：C2838490
    封装：SOD-323W
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大200mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至43V。 非常适合自动化组装过程
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z27 编号：C107580
    封装：SOD-123
    品牌：ST(先科)
    27V 500mW，即1/2W
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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM3Z11 编号：C118609
    封装：SOD-323
    品牌：ST(先科)
    11V 0.3W
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    硅平面齐纳二极管
    型号：BZX84C5V1 编号：C20623308
    封装：SOT-23
    品牌：YFW(佑风微)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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    硅平面齐纳二极管
    型号：MM1Z6V8B 编号：C382777
    封装：SOD-123
    品牌：晶导微电子
    特性：总功率耗散：最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±2%
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