射频放大器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：LX5589HLQ-TR 编号：C2654445

封装：TQFN-16-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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50+
￥6.944331
200+
￥5.697912
500+
￥4.653295
1000+
￥3.988538

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型号：SST12LP14-QVCE 编号：C1558207

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST12LP14 是一款基于高度可靠的 InGaP/GaAs HBT 技术的高性能射频放大器 IC。它可以在 2.4~2.5 GHz 频率范围内配置为高功率、高效率的应用，并具有出色的附加效率。SST12LP14 具有优异的线性度，满足 802.11g 谱掩码要求，适用于最终阶段。

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1+
￥5.3
200+
￥2.05
500+
￥1.98
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￥1.95

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型号：LX5589ALQ-TR 编号：C2654447

封装：TQFN-16-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥5.64
200+
￥2.18
500+
￥2.11
1000+
￥2.07

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型号：LX5584BLQ-TR 编号：C2654461

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥6.04
200+
￥2.34
500+
￥2.26
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￥2.22

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型号：BGA U1A10 E6327 编号：C534185

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGAU1A10是一款低噪声放大器，具有增益控制功能，适用于5.15-5.925GHz的频率范围。它具有多状态控制功能，包括增益模式和旁路模式，支持MIPI RFFE接口，可在不同工作模式下减少电流消耗。

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￥6.05
200+
￥2.35
500+
￥2.26
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￥2.22

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型号：BGA V1A10 E6327 编号：C534186

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGAV1A10 是一款带增益控制的低噪声放大器，适用于3.4-3.8GHz频段。该器件具有多状态控制模式，包括增益模式和旁路模式，可显著提高LTE数据速率。

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￥6.05
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￥2.35
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￥2.26
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型号：ZAMP003H6TA 编号：C7417739

封装：-

品牌：DIODES(美台)

ZAMP003是一款超低电流低噪声放大器，设计用于L波段和中频应用。虽然ZAMP003主要设计用于DBS应用，但它可以扩展到2.5GHz的频率，因此适用于各种应用。ZAMP003具有上升增益特性，旨在抵消高频下的增益损失。ZAMP003已针对50欧姆的输入和输出阻抗进行了优化。ZAMP003与ZAMP系列中的缓冲放大器配合使用，可提供低电流高性能解决方案。封装在小型SC70-6中，所需的外部偏置组件最少，是空间和电流受限应用的理想选择。

1+
￥6.27
200+
￥2.51
500+
￥2.42
1000+
￥2.38

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型号：ZAMP001H6TA 编号：C19438127

封装：-

品牌：DIODES(美台)

ZAMP001是一款低功耗低噪声放大器，设计用于L波段和中频应用。虽然主要针对DBS应用，但ZAMP001可以在高达2.5GHz的频率下工作，适用于各种应用。其特点是增益上升特性，用于补偿高频下的增益损失，并优化了50欧姆的输入和输出阻抗。ZAMP001采用小型SC70-6封装，外部偏置组件最少，是空间和电流受限应用的理想解决方案。

1+
￥6.27
200+
￥2.5
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￥2.42
1000+
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型号：MAX2658EWT+T 编号：C2654186

封装：BGA-6(0.8x1.2)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2658 是高增益、低噪声放大器 (LNA)，专为 GPS L1、Galileo 和 GLONASS 应用设计。采用 Maxim 的先进 SiGe 工艺，实现高增益和超低噪声系数，同时最大化输入参考压缩点和三阶截距点。

1+
￥6.44
200+
￥2.5
500+
￥2.41
1000+
￥2.37

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型号：BGA777L7E6327 编号：C3191822

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA777L7 是一款适用于 UMTS 频段 7、38 和 40 的低功耗单频段低噪声放大器 MMIC。该 LNA 采用无引脚绿色封装，具有动态增益控制、温度稳定、待机模式和 2 kV ESD 保护。

1+
￥6.51
200+
￥2.52
500+
￥2.43
1000+
￥2.39

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型号：BGA711L7E6327 编号：C3191824

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥6.51
200+
￥2.52
500+
￥2.43
1000+
￥2.39

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型号：MAX2695EWS+T 编号：C2654179

封装：WLP-4(0.8x0.8)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2695是一款用于WLAN/WiMAX应用的低噪声放大器，采用Maxim先进的SiGe工艺制造，具有高增益、低噪声系数和高线性度的特点。

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1+
￥6.84
200+
￥2.65
500+
￥2.56
1000+
￥2.51

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型号：MBC13917EPR2 编号：C6902977

封装：MLPD-6(1.5x2)

品牌：NXP(恩智浦)

MBC13917EPR2是一款成本效益高、高隔离度的RF放大器，采用先进的RF BiCMOS工艺制造，使用SiGe:C模块。该器件设计用于广泛的通用RF应用，具有优异的高频增益和噪声系数。内部偏置电路设置偏置点，匹配在外完成，提供最大的应用灵活性。

1+
￥7.17
200+
￥2.86
557+
￥2.77
1114+
￥2.72

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型号：ZAMP002H6TA 编号：C6939127

封装：SC-70-6

品牌：DIODES(美台)

ZAMP002是一款低电流高性能RF放大器，设计用于L波段和IF应用。尽管ZAMP002主要设计用于DBS应用，但其频率范围可扩展到2.5GHz，适用于多种应用。ZAMP002具有上升增益特性，旨在抵消高频下的增益损失。该放大器输入阻抗为50欧姆，输出阻抗为75欧姆，封装在小型SC70-6中，所需的外部偏置元件最少，适用于空间和电流受限的应用。

1+
￥7.19
200+
￥2.87
500+
￥2.78
1000+
￥2.73

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型号：MAX2693LEWS+T 编号：C1525952

封装：WLP-4(0.8x0.8)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2693L低噪声放大器设计用于GPS L1、Galileo和GLONASS应用。该器件采用Maxim先进的SiGe工艺，实现高增益和低噪声系数，同时最大化输入1dB压缩点和3阶截距点。该器件包括内部LDO，适合电池供电应用。

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1+
￥7.27
200+
￥2.82
500+
￥2.72
1000+
￥2.67

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型号：BGM 15LA12 E6327 编号：C534194

封装：QFN-12(1.1x1.9)

品牌：Infineon(英飞凌)

BGM15LA12是适用于LTE低频段频率的LNA多路复用模块，可提高数据速率，同时保持灵活性和小尺寸。它是基于LTE-Advanced和WCDMA的多模手机的理想解决方案。BGM15LA12通过MIPI RFFE控制器进行控制。

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1+
￥7.31
200+
￥2.83
500+
￥2.73
1000+
￥2.68

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型号：BGA915N7E6327XTMA1 编号：C3194226

封装：XFQFN-16-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA915N7是一款基于英飞凌B7HF硅锗技术的GPS低噪声放大器，适用于1550-1615 MHz频率范围，如GPS、Galileo、GLONASS和COMPASS。该LNA提供15.5 dB的增益和0.7 dB的噪声系数。

1+
￥7.37
200+
￥2.85
500+
￥2.75
1000+
￥2.7

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型号：MAX2686LEWS+T 编号：C2151500

封装：WLP-4(0.8x0.8)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2686L低噪声放大器设计用于GPS L1、Galileo和GLONASS应用。该器件采用Maxim先进的SiGe工艺，实现高增益和低噪声系数，同时最大化输入1dB压缩点和3阶截距点。该器件包括内部LDO，适合电池供电应用。

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￥7.55
200+
￥2.93
500+
￥2.82
1000+
￥2.77

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型号：MC13851EPR2 编号：C6589846

封装：MLPD-8(2x2)

品牌：NXP(恩智浦)

MC13851是一款成本效益高、高IP3的低噪声放大器，具有低噪声系数。这是MC13821设备的较小无引脚封装版本。MC13851包括一个集成旁路开关，以在可变信号强度环境中保持高输入截获性能，提高动态范围。片上偏置电路降低了系统成本。输入和输出匹配是外部的，允许最大设计灵活性。外部电阻用于设置器件电流，从而平衡所需的线性和低电流消耗。增益针对大于1000 MHz的应用进行了优化。MC13851采用先进的RF BiCMOS工艺制造，使用eSiGe:C模块，提供2 × 2 mm MLPD-8无引脚封装，适用于印刷电路板空间要求严格的紧凑型解决方案。

1+
￥7.65
200+
￥3.05
500+
￥2.95
1000+
￥2.9

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型号：MAX2430IEE 编号：C3213811

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2430是一款低电压硅RF功率放大器，直接从3V到5.5V的电源供电，适用于800MHz到1000MHz的频率范围。在915MHz时，可提供+21dBm（125mW）的输出功率，增益超过32dB。

1+
￥7.66
200+
￥2.97
500+
￥2.86
1000+
￥2.81

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型号：BGB717L7ESDE6327 编号：C3191815

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BGB717L7ESD是一款先进的低噪声放大器MMIC，集成了ESD保护和主动偏置电路，可减少失真。外部组件决定了FM放大器的增益，并且可以通过修改扩展工作频率。

1+
￥7.71
200+
￥2.99
500+
￥2.88
1000+
￥2.83

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型号：BGA715L7E6327 编号：C3191819

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

提供20dB增益，0.7dB噪声系数和高线性性能。工作在1.5V至3.3V电源范围内，电流消耗仅为3.3mA。基于英飞凌B7HFM硅锗技术。

1+
￥7.71
200+
￥2.99
500+
￥2.88
1000+
￥2.83

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型号：BGA9H1MN9E6329XTSA1 编号：C3191833

封装：TSNP-9

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥7.79
200+
￥3.02
500+
￥2.91
1000+
￥2.86

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型号：BGA9V1MN9E6327XTSA1 编号：C3191835

封装：XFLGA-9

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥9.15
200+
￥3.55
500+
￥3.42
1000+
￥3.36

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型号：BGA628L7E6327 编号：C3191823

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥9.42
200+
￥3.65
500+
￥3.52
1000+
￥3.46

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型号：LX5531LQ-TR 编号：C2151417

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥9.92
200+
￥3.84
500+
￥3.71
1000+
￥3.64

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型号：MAX2130EUA+T 编号：C2151413

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX2130是一款宽带、低失真、低噪声、双输出放大器，适用于电视调谐器应用。该器件集成了通常由离散组件实现的功能，采用节省空间的8引脚μMAX-EP封装。MAX2130提供15dB的增益，噪声系数小于3.2dB，工作频率范围为44MHz至878MHz。该器件具有外部可调偏置控制，允许用户满足最小线性度要求，同时减少电流消耗。器件从+5V单电源供电，仅需93mA的供电电流。