射频放大器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AVA-183A+ 编号：C2911574

封装：QFN-8-EP(3x3)

品牌：Mini-Circuits

AVA-183A+ 是一款表面贴装的微波放大器，采用InGaAs PHEMT技术制造，最高工作频率可达18 GHz。该放大器集成整个匹配网络和大部分偏置电路，简化了外部电路的设计，使其非常灵活且易于使用。

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￥59.48772
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￥57.06952
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￥55.6186
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￥53.2004
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￥52.23312

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型号：HMC952ALP5GETR 编号：C662805

封装：QFN-24-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC952ALP5GETR 是一款四阶段 GaAs pHEMT MMIC 中功率放大器，内置温度补偿的片上功率检测器，工作频率在 8 至 14 GHz 之间。该放大器提供 32 dB 的增益和 +34.5 dBm 的饱和输出功率，从 +6V 电源供电时效率为 26%。

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￥604.98
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￥575

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型号：HMC760LC4B 编号：C605904

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC760LC4B 是一款 SiGe 单片全差分单级跟踪保持 (T/H) 放大器，提供前所未有的带宽和动态范围性能，适用于宽带采样信号系统。T/H 在 5 GHz 带宽下提供 9 到 10 位线性度，从 DC 到 5 GHz 输入频率，0.9 mV 噪声，<70 fs 随机孔径抖动。设备可以以 4 GS/s 的时钟速度运行，同时保持最小的动态范围损失。

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￥2887.96
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￥2748.38

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型号：HMC408LP3ETR 编号：C661903

封装：QFN-16(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC408LP3ETR 是一款高效率的 GaAs InGaP HBT 射频功率放大器 MMIC，提供 20 dB 的增益，+32.5 dBm 的饱和输出功率和 27% 的 PAE。它采用单 +5V 电源电压，具有内部匹配的输入端和需要最少外部元件的输出端。该放大器封装在低成本的 3x3mm 无引脚表面贴装封装中，带有一个暴露的基底以改善射频和热性能。

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￥58.5792 / 个

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型号：HMC453ST89ETR 编号：C661257

封装：SOT-89-4

品牌：ADI(亚德诺)

HMC453ST89ETR 是一款高动态范围 GaAs InGaP HBT 1.6W 功率放大器，工作频率范围为 0.4 至 2.2 GHz，采用行业标准的 SOT-89 封装。利用最少的外部元件和单个 +5V 电源，放大器的输出 IP3 可以优化到 0.4 GHz 时的 +47 dBm 或 2.1 GHz 时的 +49 dBm。高输出 IP3 和 PAE 使 HMC453ST89ETR 成为蜂窝/PCS/3G 和固定无线应用的理想功率放大器。

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￥174.086 / 个

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型号：HMC963LC4TR 编号：C661765

封装：QFN-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

低噪声放大器，采用SMT封装，6-26.5GHz

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￥355.49
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￥337.87

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型号：HMC634LC4 编号：C605602

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC634LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器，工作频率范围为5-20GHz。该放大器提供高达21dB的增益，1dB压缩点输出功率为+22dBm，饱和输出功率为+23dBm，噪声系数为7.5dB。单电源电压为+5V，供电电流为180mA。输入/输出匹配到50欧姆，无需外部匹配电路。

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￥395.55
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￥375.1

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型号：ADL9005ACPZN 编号：C3188749

封装：LFCSP-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

ADL9005 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 宽带低噪声放大器 (LNA)，工作频率范围为 0.01 至 26.5 GHz。ADL9005 在 0.01 GHz 至 14 GHz 范围内提供 17.5 dB 的典型增益，从 14 GHz 到 20 GHz 增益呈正斜率，13.5 dBm 的典型 1 dB 压缩输出功率 (OP1dB) 从 0.01 GHz 到 20 GHz，2.5 dB 的典型噪声系数从 0.01 GHz 到 14 GHz，以及从 0.01 GHz 到 14 GHz 的典型输出三阶截获点 (OIP3) 为 26 dBm，仅需 80 mA 的 5V 电源电压。饱和输出功率 (PsAT) 高达 16 dBm，使 LNA 可作为许多 Analog Devices, Inc. 平衡、同相/正交 (I/Q) 或图像抑制混频器的本振 (LO) 驱动器。ADL9005 的输入和输出 (I/O) 内部匹配到 50 Ω，非常适合表面贴装技术 (SMT) 基础的高容量微波无线电应用。ADL9005 采用 RoHS 合规的 4 mm x 4 mm LFCSP 封装。

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￥1383.07
200+
￥1294.91
500+
￥1249.4
1500+
￥1226.92

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型号：PGA-105+ 编号：C879859

封装：SOT-89-3

品牌：Mini-Circuits

PGA-105+ (RoHS合规) 是一款先进的超平坦增益放大器，采用E-PHEMT技术制造，提供极高的动态范围和低噪声系数。无需外部匹配组件，封装在SOT-89中，具有良好的热性能。

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￥11.05
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￥10.2
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￥9.775
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￥9.52
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￥9.35

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型号：ADL5324ARKZ-R7 编号：C207439

封装：SOT-89-3

品牌：ADI(亚德诺)

ADL5324是一款400MHz至4000MHz的1/2W RF驱动放大器，具有动态可调偏置电路，无需外部偏置电阻即可实现3.3V至5V的可调电源偏置。该放大器适用于无线基础设施、自动测试设备和ISM/AMR应用。

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￥49.896 / 个

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型号：HMC637ALP5ETR 编号：C579565

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

GaAs、pHEMT、MMIC、1W功率放大器，0.1GHz至6GHz

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￥842.076
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￥805.464
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￥790.8192

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型号：SST12LP08-QXBE 编号：C1558259

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST12LP08是一款基于高可靠性InGaP/GaAs HBT技术的多功能功率放大器。它适用于高功率应用，具有良好的功率附加效率，工作在2.4-2.5 GHz频段，通常提供30 dB增益，34%的功率附加效率（PAE）@POUT=23.5 dBm（802.11b/g）。

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￥1.7214
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￥1.3592
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￥1.2039
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￥1.0103
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￥0.924
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￥0.8723

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型号：LX5511LQ 编号：C2151452

封装：-

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥2.031
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￥1.6036
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￥1.4204
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￥1.1919
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￥1.0902
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￥1.0291

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型号：LX5560LL 编号：C2151450

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥2.1122
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￥1.4773
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￥1.2396
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￥1.0703

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型号：SST12LP08-QX6E 编号：C1558227

封装：XSON-6-EP(1.5x1.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST12LP08是一款基于高度可靠的InGaP/GaAs HBT技术的多功能功率放大器。它适用于2.4-2.5 GHz频段的高功率应用，具有良好的功率附加效率。典型增益为30 dB，PAE为34%，输出功率为23.5 dBm，符合802.11b/g标准。

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￥2.1407
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￥1.6902
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￥1.4972
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￥1.2563
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￥1.1491
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￥1.0847

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型号：LX5561LL-TR 编号：C2151441

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥2.2026
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￥1.7391
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￥1.5405
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￥1.2927
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￥1.1823
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￥1.1161

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型号：LX5561LL 编号：C2151442

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥2.2747
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￥1.796
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￥1.5909
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￥1.335
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￥1.221
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￥1.1526

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型号：SST12LP07A-QXBE 编号：C1558226

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST12LP07A 是一款基于高可靠性 InGaP/GaAs HBT 技术的多功能功率放大器。它适用于高功率应用，具有出色的功率附加效率 (30.8%)，工作在 2.4-2.5 GHz 频段，并满足 802.11b/g 的频谱掩码要求。SST12LP07A 具有出色的线性度，通常在 20 dBm 输出功率时 EVM 为 2.5%，这对于 54 Mbps 802.11g 信号至关重要。该放大器还具有片上单端功率检测器，提供可靠的板级功率控制。

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￥2.3054
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￥1.8203
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￥1.6124
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￥1.353
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￥1.2375
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￥1.1682

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型号：LX5589HLQ 编号：C2654458

封装：QFN-16-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥3.42
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￥2.7
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￥2.39
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￥2.01
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￥1.84
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￥1.73

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型号：BGA 7L1BN6 E6327 编号：C534173

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：插入功率增益：13.6 dB。低噪声系数：0.75 dB。低电流消耗：4.9 mA。旁路模式下插入损耗：-2.2 dB。工作频率：716-960 MHz。双态控制：旁路和高增益模式。电源电压：1.5 V至3.6 V。数字开/关开关（1V逻辑高电平）。超小TSNP-6-2无铅封装（尺寸：0.7×1.1 mm²）。B7HF硅锗技术。RF输出内部匹配至60 Ω。仅需1个外部SMD组件。无铅（符合RoHS标准）封装

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