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MICROFC-10010-SMT-TR

型号：MICROFC-10010-SMT-TR 编号：C891561

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥154.88
200+
￥59.94
500+
￥57.83
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￥56.79

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AP0200AT2L00XEGA0-DR

型号：AP0200AT2L00XEGA0-DR 编号：C889966

封装：VFBGA-100

品牌：onsemi(安森美)

AP0200AT 是一款专用的汽车图像协处理器，能够实现使用安森美半导体百万像素高动态范围 (HDR) 传感器的灵活摄像头平台。传感器和协处理器的双芯片解决方案可实现多种摄像头价格和性能点，能够重用电路板设计，进入市场快，实现设计灵活性。传感器性能由于减少了一个单独协处理器芯片的发热而得以提高，同时可实现高性能功能。AP0200AT 提供以太网输出，最高可支持 2 百万像素传感器。它包括一个空间传输引擎，最高可结合 1.2 MP 传感器使用，提供 185 度鱼眼镜头失真校正、透视校正，以及分割侧视、三联镜和拖车挂钩等多视角选项。此协处理器结合安森美半导体的 AR0230AT、AR0132AT、AR0140AT 和 AR0136AT HDR 汽车传感器，适用于以太网型后视镜摄像头。

1+
￥196.44
200+
￥76.02
500+
￥73.35
1000+
￥72.03

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MICROFC-30020-SMT-TR

型号：MICROFC-30020-SMT-TR 编号：C891564

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥217.08
200+
￥84.01
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￥81.06
1000+
￥79.6

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MICROFC-30050-SMT-TR1

型号：MICROFC-30050-SMT-TR1 编号：C905853

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥283.38
200+
￥109.67
500+
￥105.81
1000+
￥103.91

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MICROFC-10035-SMT-TR1

型号：MICROFC-10035-SMT-TR1 编号：C905850

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

数据手册

1+
￥293.05
200+
￥113.41
500+
￥109.42
1000+
￥107.45

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MICROFJ-40035-TSV-TR1

型号：MICROFJ-40035-TSV-TR1 编号：C603294

封装：WBGA-14

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

数据手册

1+
￥368.38
200+
￥142.56
500+
￥137.55
1000+
￥135.07

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MICROFJ-30020-TSV-TR1

型号：MICROFJ-30020-TSV-TR1 编号：C905869

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

数据手册

1+
￥673.68
200+
￥260.71
500+
￥251.55
1000+
￥247.02

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MICROFJ-30035-TSV-TR1

型号：MICROFJ-30035-TSV-TR1 编号：C905870

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥717.24
200+
￥277.56
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￥267.81
1000+
￥262.99

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E7111-0-102A19-BPG

型号：E7111-0-102A19-BPG 编号：C605374

封装：SIP-19

品牌：onsemi(安森美)

Ezairo 7111 是一款可开放编程的、基于 DSP 的混合模块，专门为非无线助听器设计，包括耳道内 (ITC) 应用。 Ezairo 7111 中器件 Ezairo 7100 数字型号处理器 (DSP)：包括一个高精度、四芯体系结构，提供 375 MIPS 而不会影响功耗性能EA2M： 2 Mb EEPROM 内存，用于存储重要的助听器参数和固件。无源部件：实现与助听器和传感器的直接连接。开发工具 Ezairo 预先配置套件可开放编程评估和开发套件 (EDK) 要访问基于 Ezairo 的开发工具，请联系您的销售代表或授权分销商。

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1+
￥900
200+
￥348.29
500+
￥336.05
1000+
￥330

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MICROFJ-60035-TSV-TR1

型号：MICROFJ-60035-TSV-TR1 编号：C603296

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥1141.26
200+
￥441.65
500+
￥426.13
1000+
￥418.46

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无刷直流电机控制器

型号：MC33035DW 编号：C5209373

封装：SOIC-24-WB

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

数据手册

1+
￥33.9
210+
￥13.12
510+
￥12.66
990+
￥12.43

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MC33035: 无刷直流电机控制器

型号：MC33035P 编号：C5207549

封装：PDIP-24

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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1+
￥44.1
195+
￥17.07
495+
￥16.47
1005+
￥16.17

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CAT9554, CAT9554A 8位I2C和SMBus I/O端口带中断

型号：CAT9554AWGI-T2 编号：C3170359

封装：-

品牌：onsemi(安森美)

CAT9554 和 CAT9554A 是 CMOS 器件，提供 12C 和 SMBus 兼容的 8 位并行输入/输出端口扩展。这些 I/O 扩展器为需要额外 I/O 的应用提供了简单的解决方案：传感器、电源开关、LED、按钮和风扇。

1+
￥6.52
200+
￥2.52
500+
￥2.44
1000+
￥2.39

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单电源双运算放大器

型号：LM358DR2G 编号：C7950

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

双运算放大器 LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8

数据手册

10+
￥0.3848
100+
￥0.3091
300+
￥0.2702
2500+
￥0.2368
5000+
￥0.2256
10000+
￥0.218

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904LT1G 编号：C81464

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.0875
500+
￥0.0702
3000+
￥0.0507
6000+
￥0.0449
24000+
￥0.0426
51000+
￥0.041

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT2222ALT1G 编号：C82460

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.1102
500+
￥0.084
3000+
￥0.0726
6000+
￥0.0639
24000+
￥0.0604
51000+
￥0.058

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002LT1G 编号：C16338

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.1952
200+
￥0.1509
600+
￥0.1312
3000+
￥0.1099
9000+
￥0.104
21000+
￥0.1

有货

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单电源双运算放大器

型号：LM2904DR2G 编号：C18229

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

利用为四运放完善的电路设计，这些双运算放大器具有低功耗、共模输入电压范围扩展到地/VEE，以及单电源或双电源供电的特点。这些放大器在单电源应用中比标准运算放大器类型有几个明显的优势。它们可以在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器的基础上）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中消除了外部偏置组件的必要性。输出电压范围也包括负电源电压。

数据手册

5+
￥0.4768
50+
￥0.3842
150+
￥0.3366
500+
￥0.2974
2500+
￥0.2429
5000+
￥0.2337

有货

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100V 215mA

型号：BAV99LT1G 编号：C82480

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SOT-23 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
￥0.1241
200+
￥0.0985
1200+
￥0.0743
2400+
￥0.0657
9600+
￥0.0623
20400+
￥0.06

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:200mA

型号：BSS138LT1G 编号：C82045

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

数据手册

10+
￥0.2565
100+
￥0.2138
300+
￥0.1919
3000+
￥0.1656
6000+
￥0.1593
9000+
￥0.155

有货

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低失调电压双比较器

型号：LM393DR2G 编号：C7955

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM393系列是双路独立精密电压比较器，可采用单电源或双电源供电。这些器件设计为在单电源供电时允许共模输入范围接近地电平。低至2.0 mV的输入失调电压规格使该器件成为消费、汽车和工业电子等众多应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.4558
100+
￥0.3703
300+
￥0.3262
1000+
￥0.29
5000+
￥0.2336
10000+
￥0.225

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：MMBT5551LT1G 编号：C41095

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.1432
500+
￥0.1162
3000+
￥0.0798
6000+
￥0.0708
24000+
￥0.0672
51000+
￥0.0648

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：MBR0540T1G 编号：C21353

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

肖特基功率整流器采用了肖特基势垒原理，其势垒金属可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装是无引脚34 MELF风格封装的替代方案。

数据手册

10+
￥0.3537
100+
￥0.2786
300+
￥0.24
3000+
￥0.2082
6000+
￥0.1971
9000+
￥0.1896

有货

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低噪声双/四运算放大器

型号：MC33078DR2G 编号：C7299

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33078/9系列是采用双极技术的高品质单片放大器系列，运用创新高性能理念，适用于优质音频和数据信号处理应用。该系列采用高频PNP输入晶体管，使放大器具有低输入电压噪声、高增益带宽积和转换速率。全NPN输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，相位和增益裕度出色，开环高频输出阻抗低，源极和漏极交流频率性能对称。MC33078/9系列提供双放大器和四放大器版本，采用塑料DIP和SOIC封装（后缀为P和D）。

数据手册

5+
￥0.8952
50+
￥0.6912
150+
￥0.5916
500+
￥0.5027
2500+
￥0.4783
5000+
￥0.4636

有货

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3906LT1G 编号：C53444

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.114
500+
￥0.0903
3000+
￥0.0683
6000+
￥0.0603
24000+
￥0.0572
51000+
￥0.055

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401LT1G 编号：C31776

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用

数据手册

50+
￥0.1222
500+
￥0.0964
3000+
￥0.0744
6000+
￥0.0658
24000+
￥0.0623
51000+
￥0.06

有货

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1个N沟道耐压:25V 电流:0.22A

型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
￥0.1421
4500+
￥0.1349
10500+
￥0.13

有货

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NPN 电流:8A 电压:80V

型号：MJD44H11T4G 编号：C38780

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥2.2591
10+
￥1.7584
30+
￥1.514
100+
￥1.2959
500+
￥1.236
1000+
￥1.2

有货

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100V 215mA

型号：BAV99WT1G 编号：C82078

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件在 SC-70/SOT-323 表面贴装封装中包含了串联封装的两个二极管。

数据手册

20+
￥0.1804
200+
￥0.1388
600+
￥0.1203
3000+
￥0.0973
9000+
￥0.0917
21000+
￥0.088

有货

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电压:30V 电流:200mA

型号：BAT54SLT1G 编号：C19726

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

数据手册

1+
￥0.1845
10+
￥0.1413
30+
￥0.1221
100+
￥0.1077
500+
￥0.1019
1000+
￥0.098

有货

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