DIODES传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMAJ28CA-13-F 编号：C134978

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7953
50+
￥0.6199
150+
￥0.5322
500+
￥0.4664
2500+
￥0.4138
5000+
￥0.3874

有货

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型号：SMBJ33CA-13-F 编号：C135068

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=36.7V VC=53.3V IPP=11.3A 双向

数据手册

5+
￥0.7955
50+
￥0.6625
150+
￥0.596
500+
￥0.5462
3000+
￥0.5063
6000+
￥0.4863

有货

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型号：SMAJ5.0CA-13-F 编号：C134993

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8121
50+
￥0.6378
150+
￥0.5507
500+
￥0.4854
2500+
￥0.4128
5000+
￥0.3866

有货

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型号：B57235S0509M051 编号：C2839246

封装：插件,P=5mm

品牌：TDK

特性：带引线和涂层的NTC热敏电阻。镀锡铜线，有扭结。涂层材料符合UL 94 V-0阻燃等级。元件标记包括制造商标志、电阻值和数据代码。高度稳定的电气特性。应用：浪涌电流限制，例如在开关电源、软启动电机中

数据手册

5+
￥0.8145
50+
￥0.6442
150+
￥0.5591
1500+
￥0.4952
3000+
￥0.4442

有货

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型号：SBR3A40SAF-13 编号：C526751

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

SBR3A40SAF 是一款采用薄型 SMAF 封装的单整流器。该器件具备低正向压降（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。表面贴装超势垒整流器

数据手册

5+
￥0.8158
50+
￥0.6526
150+
￥0.571
500+
￥0.5098
2500+
￥0.4608

有货

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型号：KNTC0603/100KD3950 编号：C53308901

封装：0603

品牌：KUU

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￥0.817
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￥0.649
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￥0.565
500+
￥0.502
2500+
￥0.4516

有货

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型号：SMAZ24-13-F 编号：C155317

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
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￥0.6513
150+
￥0.5615
500+
￥0.4942
2500+
￥0.4404
5000+
￥0.4134

有货

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型号：SMAZ6V2-13-F 编号：C110527

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8405
50+
￥0.6763
150+
￥0.5943
500+
￥0.5327
2500+
￥0.4624
5000+
￥0.4378

有货

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型号：B340AF-13 编号：C172880

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ B340AF是一款3A、40V的单整流器，DIODES™ B345AF是一款3A、45V的单整流器，它们均采用薄型SMAF封装。该器件具有低正向压降（VF），且在高温下具有出色的反向漏电流稳定性，非常适合用于一般整流应用，例如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。

数据手册

5+
￥0.8853
50+
￥0.6993
150+
￥0.6063
500+
￥0.5366
2500+
￥0.4348
5000+
￥0.4069

有货

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型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733

封装：SOT-26(SC74R)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面管芯结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色” 器件

数据手册

5+
￥0.8953
50+
￥0.6978
150+
￥0.5991
500+
￥0.525
3000+
￥0.4658
6000+
￥0.4361

有货

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型号：AL5809-20S1-7 编号：C332295

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

数据手册

5+
￥0.9191
50+
￥0.7271
150+
￥0.6311
500+
￥0.5591
3000+
￥0.5015

有货

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型号：B57351V5103H060 编号：C3154061

封装：0603

品牌：TDK

特性：基于AEC-Q200标准进行认证。多层贴片式负温度系数热敏电阻，采用镍阻挡层端接（AgNiSn）。可在 -40℃至150℃范围内进行精确的温度测量。应用：各种汽车电路中的温度测量和补偿，如:电池组和电池管理系统（BMS）的充电和温度控制

5+
￥0.9201
50+
￥0.7132
150+
￥0.6245
500+
￥0.5139
2500+
￥0.4647
4000+
￥0.4351

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型号：SBR3M30P1-7 编号：C460953

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：超低漏电流。优异的高温稳定性。卓越的反向雪崩能力。专利互锁夹设计，具有高浪涌电流能力。专利超级势垒整流器技术。软、快速开关能力。工作结温 +175℃。 ±16kV ESD 保护（HBM，3B）。 ±25kV ESD 保护（IEC61000-4-2 4级，空气放电）。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.9213
50+
￥0.7493
150+
￥0.6634
500+
￥0.5989
3000+
￥0.5473
6000+
￥0.5216

有货

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型号：SMAZ30-13-F 编号：C156281

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9276
50+
￥0.7595
150+
￥0.6755
500+
￥0.6124
2500+
￥0.562
5000+
￥0.5367

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型号：SMAZ16-13-F 编号：C155528

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9502
50+
￥0.7417
150+
￥0.6374
500+
￥0.5593
2500+
￥0.4967
5000+
￥0.4654

有货

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型号：ZXM61P02FTA 编号：C150486

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9797
50+
￥0.7971
150+
￥0.7059
500+
￥0.6374
3000+
￥0.5827
6000+
￥0.5553

有货

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型号：D5V0F1U2S9-7 编号：C508179

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥1.0092
50+
￥0.7823
150+
￥0.6851
500+
￥0.5637
2500+
￥0.5097
5000+
￥0.4773

有货

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型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向

数据手册

5+
￥1.0219
50+
￥0.8052
150+
￥0.7123
500+
￥0.5964
3000+
￥0.5448
6000+
￥0.5139

有货

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型号：A3144 编号：C18221460

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

霍尔传感器耐高压高灵敏度单极霍尔开关 , 高灵敏度：60/40Gauss（典型值）

5+
￥1.026475 ￥1.0805
50+
￥0.8968 ￥0.944
150+
￥0.841225 ￥0.8855
500+
￥0.771875 ￥0.8125
3000+
￥0.741 ￥0.78
6000+
￥0.722475 ￥0.7605

有货

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型号：AZ1117R-3.3TRE1 编号：C108493

封装：SOT-89-3

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥1.0426
50+
￥0.8108
150+
￥0.7114
1000+
￥0.576
2000+
￥0.5208
5000+
￥0.4877

有货

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型号：B57371V2103H060 编号：C17658547

封装：0603

品牌：TDK

5+
￥1.04899 ￥1.1042
50+
￥0.83258 ￥0.8764
150+
￥0.739765 ￥0.7787
500+
￥0.624055 ￥0.6569
2500+
￥0.572565 ￥0.6027
4000+
￥0.541595 ￥0.5701

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型号：DMN6140LQ-7 编号：C155271

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,60V,1.6A,140mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.0616
50+
￥0.8348
150+
￥0.7376
500+
￥0.6163
3000+
￥0.5623
6000+
￥0.5299

有货

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型号：TMAG5231B1DQDBZR 编号：C5220592

封装：SOT-23

品牌：TI(德州仪器)

TMAG5231 低功耗、低压（1.65V 至 5.5V）霍尔效应开关

数据手册

5+
￥1.0853
50+
￥0.8383
150+
￥0.7324
500+
￥0.6003
3000+
￥0.5414
6000+
￥0.5061

有货

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型号：SMBJ15CA-13-F 编号：C135047

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=16.7V VC=24.4V IPP=24A 双向

数据手册

5+
￥1.1404
50+
￥0.91
150+
￥0.8112
500+
￥0.688
3000+
￥0.6331
6000+
￥0.6002

有货

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型号：B340-13-F 编号：C110486

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥1.149
50+
￥0.8907
150+
￥0.78
500+
￥0.6418
3000+
￥0.5803
6000+
￥0.5434

有货

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型号：B250A-13-F 编号：C134443

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥1.162
50+
￥0.9322
150+
￥0.8338
500+
￥0.7109
2500+
￥0.6562
5000+
￥0.6234

有货

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型号：DMP6350S-7 编号：C155308

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1624
50+
￥0.9759
150+
￥0.8827
500+
￥0.8127
3000+
￥0.739

有货

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型号：DMN3032LE-13 编号：C156338

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1748
50+
￥0.9398
150+
￥0.8391
500+
￥0.7134
2500+
￥0.6118
5000+
￥0.5782

有货

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型号：ZXMP6A13FTA 编号：C154761

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.1836
50+
￥0.9368
150+
￥0.831
500+
￥0.699
3000+
￥0.5639
6000+
￥0.5286

有货

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型号：AL5802-7 编号：C129160

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AL5802 结合了一个高增益 NPN 晶体管和一个预偏置的 NPN 晶体管，形成了一个简单且占用空间小的 LED 驱动器。LED 电流由连接在 REXT 引脚（6）到 GND 引脚（4）之间的外部电阻设定，内部高增益晶体管在外部电阻上产生约 0.6V 的电压。AL5802 的开集输出可以在 0.8V 到 30V 之间工作，使其能够在 5V 到 24V 的电源下工作而无需额外组件。通过使用低阻抗电压源驱动 BIAS 引脚（2），或使用外部开集 NPN 晶体管或开漏 N 沟道 MOSFET 驱动 EN 引脚（3），可以实现 LED 电流的 PWM 调光。AL5802 采用 SOT26 封装，适用于驱动 20mA 至 120mA 的 LED 电流。

数据手册

5+
￥1.1953
50+
￥0.9558
150+
￥0.836
500+
￥0.7462
3000+
￥0.5789

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