ST传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：STTH1R06A 编号：C13337

封装：SMA

品牌：ST(意法半导体)

600 V、1 A Turbo 2超高速二极管

数据手册

5+
￥1.0618
50+
￥0.8772
150+
￥0.7849
500+
￥0.7156
2500+
￥0.6602
5000+
￥0.6325

有货

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型号：UC3842BD1013TR 编号：C108537

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

数据手册

5+
￥1.183
50+
￥1.0239
150+
￥0.9557
500+
￥0.8707
2500+
￥0.8328
5000+
￥0.81

有货

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型号：UC3844BD1013TR 编号：C10640

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备必要特性，能够以最少的外部元件数量实现离线或直流到直流的固定频率电流模式控制方案。内部实现的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下进行精确占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

数据手册

5+
￥1.2785
50+
￥1.1121
150+
￥1.0408
500+
￥0.9348
2500+
￥0.8952
5000+
￥0.8714

有货

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型号：M24C02-RDW6TP 编号：C152731

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6492
50+
￥1.3534
150+
￥1.2267
500+
￥1.0685
2500+
￥0.9981
4000+
￥0.9558

有货

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型号：LM317T-DG 编号：C18718

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

1.2 V - 37 V可调稳压器

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5+
￥1.9552
50+
￥1.5025
150+
￥1.2815

有货

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型号：STMPS2141STR 编号：C54624

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

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5+
￥2.2463
50+
￥1.7685
150+
￥1.5638
500+
￥1.1964
3000+
￥1.0827
6000+
￥1.0144

有货

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型号：UC2845BD1013TR 编号：C111203

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

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5+
￥2.3323
50+
￥1.8267
150+
￥1.61
500+
￥1.1959
2500+
￥1.0755
5000+
￥1.0033

有货

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型号：STMPS2151STR 编号：C135998

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.43
30+
￥2.15
100+
￥1.79
500+
￥1.5
1000+
￥1.4

有货

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型号：M95512-WMN6TP 编号：C7567

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.72
30+
￥2.38
100+
￥2.04
500+
￥1.84
1000+
￥1.73

有货

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型号：MJD45H11T4 编号：C138783

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

低压NPN功率晶体管

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.81
30+
￥2.53
100+
￥2.17
500+
￥1.91
1000+
￥1.82

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型号：STP55NF06 编号：C10657

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,60V,50A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥3.05
50+
￥2.71
100+
￥2.38
500+
￥2.19
1000+
￥2.08

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型号：STM32G030K6T6TR 编号：C724043

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

数据手册

1+
￥8.34
10+
￥7
30+
￥6.27
100+
￥5.45
500+
￥5.08
1000+
￥4.91

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型号：STM32G031F8P6 编号：C529334

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz，工作温度范围为-40℃至85℃/105℃/125℃。存储器：高达64 Kbytes的闪存，带保护和可安全区域；8 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7V至3.6V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达44个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多个5V容忍I/O

数据手册

1+
￥8.67
10+
￥7.15
30+
￥6.31
100+
￥5.28
500+
￥4.86
1000+
￥4.67

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型号：STM32F051K8T6TR 编号：C2054944

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

数据手册

1+
￥9.53
10+
￥7.98
30+
￥7.02
100+
￥6.03
500+
￥5.58
1000+
￥5.39

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型号：STP26NM60N 编号：C110593

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,600V,20A,165mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.78
10+
￥8.27
30+
￥7.44
100+
￥5.9
500+
￥5.48
1000+
￥5.3

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型号：E-L9637D013TR 编号：C153038

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

单片总线驱动器，用于汽车诊断应用中的双向串行通信，符合ISO 9141标准。

数据手册

1+
￥10.45
10+
￥8.75
30+
￥7.81
100+
￥6.76
500+
￥6.29
1000+
￥6.07

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型号：M95M04-DRMN6TP 编号：C1852765

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4-Mbit 串行 SPI 总线 EEPROM

数据手册

1+
￥12.83
10+
￥11.72
30+
￥10.5
100+
￥9.79
500+
￥9.47
1000+
￥9.34

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型号：STM8L151C6T6 编号：C51330

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

数据手册

1+
￥14.21
10+
￥11.86
30+
￥10.39
250+
￥8.88
500+
￥8.2
1000+
￥7.9

有货

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型号：STM32WLE5CBU6 编号：C1121847

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 128 KB 闪存、48 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

数据手册

1+
￥23.92
10+
￥20.7
30+
￥18.79
260+
￥16.13
520+
￥15.24
1040+
￥14.84

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型号：STM32F302RCT6 编号：C133230

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）

数据手册

1+
￥24.23
10+
￥20.99
30+
￥19.06
100+
￥17.11
500+
￥16.21

有货

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型号：STM32G474RBT3 编号：C1235414

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

数据手册

1+
￥28.74
10+
￥24.51
30+
￥22
160+
￥19.45
480+
￥18.28

有货

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型号：STM32F103C6T6A 编号：C8303

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex M- M3 CPU内核。最高72 MHz频率，在0等待状态内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 16或32 KB的闪存。 6或10 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O

数据手册

1+
￥29.07
10+
￥25.31
30+
￥23.08
250+
￥19.03
500+
￥17.99

有货

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型号：STM32U575RGT6 编号：C5270980

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

1+
￥32.03
10+
￥27.38
30+
￥24.54
100+
￥22.17

有货

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型号：STM32U575ZGT6 编号：C5271004

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

1+
￥34.71
10+
￥29.67
60+
￥26.68
120+
￥23.65
480+
￥22.25

有货

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型号：STM32F429VIT6 编号：C92002

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，频率高达180 MHz，有MPU，225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达2 MB闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达256 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的外部存储器控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。

数据手册

1+
￥40.26
10+
￥34.68
30+
￥31.28
100+
￥28.43

有货

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型号：STM32F767IGT6 编号：C84571

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有DPFFPU、ART加速器和L1缓存的ARM 32位Cortex M7 CPU：16KB I/D缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器进行零等待状态执行，最高可达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。SRAM：512KB（包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具有高达32位的数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。Chrom-ART加速器（DMA2D），图形硬件加速器，可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。LCD-TFT控制器，支持高达XGA分辨率

数据手册

1+
￥40.75
10+
￥38.99
30+
￥37.91
100+
￥37.02

有货

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型号：STM32F765VGT6 编号：C435845

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有 DPFFPU、ART 加速器和 L1 缓存的 32 位 Arm Cortex-M7 CPU：16KB I/D 缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，最高 216MHz，具备 MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。高达 2MB 的闪存，分为两个存储体，支持边读边写。SRAM：512KB（包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM）+ 16KB 用于关键实时程序的指令 TCM RAM + 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器，具有高达 32 位数据总线，支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad-SPI。Chrom-ART 加速器（DMA2D），图形硬件加速器，支持增强型图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD-TFT 控制器，支持高达 XGA 分辨率

数据手册

1+
￥43.57
10+
￥38.22
30+
￥34.95
90+
￥32.22

有货

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型号：STM32F103RFT6 编号：C31629

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 并带有 MPU。最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。768 KB 至 1 MB 的闪存，96 KB 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式

数据手册

1+
￥48.99
10+
￥42.04
30+
￥37.81
100+
￥34.26

有货

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型号：STM32F207ZET6 编号：C37864

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

数据手册

1+
￥52.1
10+
￥45.3
60+
￥41.15
120+
￥37.68

有货

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型号：STM32H747XIH6 编号：C5271089

封装：TFBGA-265(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。双核：32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存），频率高达480MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令；32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator），频率高达240MHz，具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。内存：高达2MB的闪存，支持读写同时进行；1MB的RAM，包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM；双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz；灵活的外部内存控制器，具有高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达125MHz；具备CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。复位和电源管理：3个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭；1.62至3.6V的应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；专用USB电源，内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电；嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电；高效SMPS降压转换器稳压器，可直接为VCORE和/或外部电路供电；运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）；备份稳压器（约0.9V）；模拟外设的电压参考/VREF+；1.2至3.6V的电池供电；低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。低功耗：VBAT电池工作模式，具备充电能力；CPU和域电源状态监控引脚；待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭，RTC/LSE开启）。时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI；外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE；3个PLL（1个用于系统时钟，2个用于内核时钟），具备分数模式

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