汽车传感器_厂家_价格_品牌_库存

型号：SM6T30A-E3/52 编号：C1973350

封装：DO-214AA(SMBJ)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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型号：NCV8184DR2G 编号：C150044

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片集成低压差跟踪稳压器，可提供可调缓冲输出电压，紧密跟踪参考输入（±3.0mV）。可用于带远程传感器的汽车应用，或任何需要隔离稳压器输出的场景。还能在需要增加电流而现有稳压器无法提供时，对模块进行快速升级。此外，该器件还可作为高端驱动器使用。

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型号：SMCJ54A-E3/57T 编号：C968581

封装：DO-214AB(SMCJ)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。提供单向和双向两种类型。出色的钳位能力。响应时间极快。浪涌电阻增量低。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变，应用于消费、计算机、工业、汽车和电信领域。

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型号：1.5SMC36A-E3/57T 编号：C1976392

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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型号：NCS20061SQ3T2G 编号：C892867

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

是单通道、双通道和四通道运算放大器系列，增益带宽积为 3MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 125μA。输入失调电压为 4mV，工作电源电压范围为 1.8V 至 5.5V，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时利用 3MHz 的增益带宽积。因此，该系列在许多行业标准产品中具有卓越的性能。带有 NCV 前缀的器件适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用，符合 AEC-Q100 标准且具备 PPAP 能力。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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型号：TMAG5110B2AQDBVRQ1 编号：C3716028

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TMAG5110-Q1 汽车类、高灵敏度、2D、双通道、霍尔效应锁存器

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型号：SM6T36A-E3/52 编号：C1975965

封装：DO-214AA(SMBJ)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。 600 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在 IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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型号：SMAJ26CAHE3_A/H 编号：C465744

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%（78 V 以上为 300 W）。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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型号：DRV5013ADELPGQ1 编号：C1016576

封装：TO-92

品牌：TI(德州仪器)

DRV5013-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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型号：SMCJ58CA-E3/57T 编号：C3008875

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低轮廓封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。出色的钳位能力。极快的响应时间。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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型号：P6KE6.8A-E3/54 编号：C1973065

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。非常快速的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

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型号：LM2904BYST 编号：C4367545

封装：MiniSO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM2904B由两个独立的高增益运算放大器（运放）组成，内部实现了频率补偿。它们专为汽车和工业控制系统而设计。该电路可在宽电压范围内由单电源供电运行。LM2904B保证在高达36 V的电源电压下工作。低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，这些电路现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由逻辑系统中使用的标准5 V电源供电，并且无需任何额外电源即可轻松提供所需的电子接口。在线性模式下，即使采用单电源供电，输入共模电压范围也包含地电位，输出电压也能摆幅至地电位。

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型号：SMAJ43A-E3/61 编号：C1973797

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低轮廓封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V以上为300 W）。出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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型号：1.5KE440A-E3/54 编号：C3703338

封装：DO-27

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的IC、MOSFET、传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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型号：TLE4961-1K 编号：C539837

封装：SC-59

品牌：Infineon(英飞凌)

高精度汽车霍尔效应锁存器

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￥4.2 ￥14
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型号：SMDJ22CAQ 编号：C5861924

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低轮廓封装。适合自动贴片。有单向和双向可选。 10/1000μs波形下3000W峰值脉冲功率能力。出色的钳位能力。极快的响应时间。应用：用于敏感电子设备，防止由电感负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车、电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变

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￥4.43
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型号：1.5KE100A-E3/54 编号：C1976855

封装：DO-27

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。

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型号：1.5SMC43CA-E3/57T 编号：C1976451

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。提供单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域的传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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￥4.76
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型号：P6KE15CA-E3/54 编号：C1974641

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。提供单向和双向类型。 10/1000 μs波形下600 W峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。非常快速的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和照明在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变

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￥4.93
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型号：SIT2001BI-S2-25N-3.000000 编号：C183599

封装：SOT-23-5

品牌：SITIME

特性：任意频率在1 MHz至110 MHz之间，精确到小数点后6位。工作温度范围为 -40°C至85°C。40°C至85°C选项参考SiT2018，-55°C至125°C选项参考SiT2020。出色的总频率稳定性，低至±20 ppm。典型低功耗3.5 mA。快速启动时间5 ms。应用：工业、医疗、汽车和其他高温应用。工业传感器、PLC、电机伺服、户外网络设备、医疗摄像、资产跟踪系统等

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￥5.09
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￥4.99
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型号：1.5KE47CA-E3/54 编号：C1973308

封装：DO-27

品牌：VISHAY(威世)

特性：玻璃钝化芯片结。单向和双向可选。 10/1000 μs波形下具有1500 W的峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元的信号线上引起的电压瞬变。

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1+
￥5.72
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￥4.55
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￥3.97
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￥3.4

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型号：NCV20062DTBR2G 编号：C603865

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

是单、双和四运算放大器系列，每路运算放大器的增益带宽积 (GBWP) 为 3 MHz，静态电流仅为 125 μA。输入失调电压为 4 mV，工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。轨到轨输入/输出操作允许在利用 3 MHz GBWP 的同时使用整个电源电压范围。因此，该系列产品比许多行业标准部件具有更卓越的性能。这些器件通过了 AEC-Q100 认证，以 NCV 为前缀表示。低电流消耗和低电源电压性能，采用节省空间的封装，使其非常适合汽车、消费和工业市场中的传感器信号调理和低电压电流检测应用。

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1+
￥5.81
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￥5.68
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型号：BPW 34 FAS-Z 编号：C2899012

封装：SMD

品牌：OSRAM(欧司朗)

特性：封装：黑色环氧树脂。产品资格测试计划基于AEC-Q101-REV-C，汽车级分立半导体应力测试资格。 ESD：根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001（HBM，2类）为2 kV。特别适用于730 nm至1100 nm的应用。短开关时间（典型值20 ns）。高封装密度的DIL塑料封装。应用：雨量传感器

1+
￥6.38
10+
￥5.3
30+
￥4.7

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型号：SMC3K33CAHM3/57 编号：C1975703

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：仅提供双向极性。具有3000W的峰值脉冲功率能力（10/1000μs波形）。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。符合MSL 1级标准，LF最高峰值为260℃。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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1+
￥7.25
10+
￥5.95
30+
￥5.24

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型号：NCS20082DR2G 编号：C904562

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCS20081/2/4 系列包含单路、双路和四路运算放大器 (Op Amps)，增益带宽积 (GBWP) 为 1.2 MHz，每个运算放大器的静态电流仅为 42 A。NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV，工作电压为 1.8 V 至 5.5 V，工作温度范围宽（−40°C 至 +125°C）。轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围，同时充分利用 1.2 MHz 的 GBWP。因此，该系列的性能优于许多行业标准器件。这些器件符合 AEC-Q100 标准，并以 NCV 为前缀。NCS2008x 的低电流消耗和低电源电压性能采用节省空间的封装，使其成为汽车、消费电子和工业市场中传感器信号调理和低压电流传感应用的理想选择。

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1+
￥8.54
10+
￥7.08
30+
￥6.28
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型号：M0L1305QRGERQ1 编号：C34758055

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

属于高度集成的超低功耗32位MCU系列，基于增强型Arm Cortex-M0+内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些低成本MCU提供高性能模拟外设集成，支持-40℃至125℃的工作温度范围，并在1.62V至3.6V的电源电压下运行。提供高达64KB的嵌入式闪存程序存储器和高达4KB的SRAM。包含精度高达±1.2%的高速片上振荡器，无需外部晶体。其他特性包括3通道DMA、16位和32位CRC加速器，以及各种高性能模拟外设，例如一个具有可配置内部电压基准的12位1.68MSPS ADC、一个具有内置基准DAC的高速比较器、两个具有可编程增益的零漂移零交叉运算放大器、一个通用放大器和一个片上温度传感器。还提供智能数字外设，例如四个16位通用计时器、一个窗口化看门狗计时器和各种通信外设（包括两个UART、一个SPI和两个I²C）

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￥8.74
10+
￥8.52
30+
￥8.37

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型号：TSX631IYLT 编号：C2057988

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

提供低电压操作和轨到轨输入输出。单通道、双通道和四通道版本的引脚排列与行业标准兼容。增益带宽积为200 kHz，在16V时最大功耗为60 μA。采用最小的工业封装。适用于传感器接口和工业信号调理。宽温度范围和高ESD耐受性，便于在恶劣的汽车应用中使用。

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1+
￥9.52
10+
￥8.01
30+
￥7.06
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型号：SMC3K36CA-M3/57 编号：C1974435

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：仅提供双向极性。具有3000W的峰值脉冲功率能力（10/1000μs波形）。出色的钳位能力。极快的响应时间。低增量浪涌电阻。符合MSL 1级标准，LF最高峰值为260℃。应用：用于保护敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击在集成电路、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信领域传感器单元信号线上引起的电压瞬变。

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30+
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型号：BTS3050TF 编号：C534756

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3050TF是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能低边功率开关，采用PG-TO252-3封装，具备内置保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件为单片集成式。BTS3050TF符合汽车应用标准，针对12 V汽车应用进行了优化。该器件能够切换各种阻性、感性和容性负载，受最大钳位能量和最大电流能力的限制。BTS3050TF的IN引脚具备ESD保护功能，参考源极引脚（地）。过温保护功能可防止器件因过载和/或散热不良而过热。功率MOSFET中的温度传感器可提供温度信息。BTS3050TF具备自动重启热关断功能。如果输入仍为高电平，在测量温度降至热滞回温度以下后，器件将再次开启。在负载突降或感性关断情况下，可激活过压保护功能。如果漏源电压升至VOUT(CLAMP)以上，功率MOSFET将对其进行限制。

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￥14.8434 ￥22.49
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￥10.8416 ￥19.36
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￥8.05 ￥17.5
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￥7.1852 ￥15.62
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￥6.785 ￥14.75
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￥6.6056 ￥14.36

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型号：A3G4250DTR 编号：C2655092

封装：TFLGA-16

品牌：ST(意法半导体)

3轴数字陀螺仪，用于汽车远程信息处理和导航应用，AEC-Q100认证

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