旋转角度传感器_厂家_价格_品牌_库存

额定电压5V DC,动作寿命100万次，总电阻值10kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围320°，线性±2%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：MLX90365LDC-ABD-000-RE 编号：C2655180

封装：SOIC-8

是一款单片传感器IC，对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感。这使得该IC与正确的磁路配合，能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号，与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：MA735GGU-Z 编号：C7433196

封装：UTQFN-14(2X2)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。其超小的UTQFN（2mmx2mm）封装使其成为空间受限应用的理想解决方案。快速的数据采集和处理可在0rpm至60,000rpm的速度下提供精确的角度测量。数字滤波是可调的，可在伺服应用中优化控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。具有磁场强度检测功能，阈值可配置，允许检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器（NVM）可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：MT6816CT-ACD-R 编号：C2991082

封装：SOP-8

品牌：MagnTek(麦歌恩)

旋转磁场在x-y传感器平面中提供两个正弦输出信号，指示传感器与磁场方向之间的角度(α)。传感器仅对x-y平面中的磁场方向敏感，因为传感元件输出经过特殊设计，与磁场强度无关。这使得该设备对磁体变化、杂散磁场、气隙变化和轴外未对准不太敏感。该传感器系列提供增量ABZ输出模式，使芯片适合替代各种光学编码器。最大分辨率为每转4096步或1024个脉冲。标准SPI（3线或4线）接口允许主微控制器从传感器读取14位绝对角度位置数据。绝对角度位置也作为12位PWM输出提供。

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型号：RDC9010006 编号：C470802

封装：SMD-5P,14.9x11mm

额定电压5V DC,动作寿命1000万次，总电阻值3.3kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围60°，线性±3%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：MT6701CT-ACD 编号：C3202694

封装：SOP-8

品牌：MagnTek(麦歌恩)

MT6701是新一代基于差分水平霍尔磁感应原理的角度位置传感器芯片。该芯片内部包含了两对互成90°放置的差分霍尔惠斯通电桥，能够感应在芯片X-Y平面上旋转磁铁的Z轴磁场分量，并随着磁场角α的变化输出两路正弦的电压信号，再经后续专用电路的放大、补偿和计算后得到角度值α。

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型号：SC60224SS-TB 编号：C496751

封装：SSOP-16-208mil

品牌：Semiment(赛卓)

非接触式 12 bit 分辨率旋转编码器，可编程分辨率、极对数和零位，高速高精度

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型号：MA330GQ-Z 编号：C3825333

封装：QFN-16(3x3)

该传感器可检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速的数据采集和处理可在0至60,000rpm的速度下提供精确的角度测量。数字滤波可调节，以优化伺服应用中的控制回路性能。该传感器支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。该传感器具有磁场强度检测功能，可编程阈值，允许检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如检测轴向运动或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置、UVW极对仿真设置和磁场检测阈值。

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型号：RDC9010007 编号：C388853

封装：SMD-5P,11x14.9mm

额定电压5V DC,动作寿命1000万次，总电阻值10kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围244°，线性±3%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：WI-27-104 编号：C2910005

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C~ +125°C。储藏温度：-30°C~ +70°C。标准包装：10只/盒

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型号：MA302GQ-Z 编号：C3825214

封装：QFN-16(3x3)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速数据采集和处理可在0至60,000 rpm的速度下提供精确的角度测量。支持广泛的磁场强度和空间配置，包括轴端和离轴（侧轴安装）配置。具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置、UVW极对仿真设置和磁场检测阈值。

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型号：MA710GQ-Z 编号：C2909779

封装：QFN-16(3x3)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速数据采集和处理可在 0 至 60,000 rpm 的速度下提供精确的角度测量。特别适用于低磁场应用：侧轴配置或使用非稀土磁体。具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ 编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：HMC1512-TR 编号：C93143

封装：SOIC-8

品牌：Honeywell(霍尼韦尔)

用于线性、角度或旋转位移的微型表面贴装传感器，专为磁饱和场感应而设计。HMC1501包含一个单饱和模式惠斯通电桥感应元件，可根据通过传感器表面的磁通量方向产生输出电压。HMC1512包含两个共置的饱和模式惠斯通电桥元件，可提供更大范围的角位移。两种传感器类型都是高产量OEM设计的经济高效且节省空间的解决方案。

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型号：ADA4571BRZ-R7 编号：C654133

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是各向异性磁阻（AMR）传感器，集成信号调节放大器和ADC驱动器。可产生两个模拟输出，指示周围磁场的角位置。由一个封装内的两个管芯组成，即AMR传感器和固定增益（标称G = 40）仪表放大器。可提供与旋转磁场角度相关的干净且放大的余弦和正弦输出信号。输出电压范围与电源电压成比例。传感器包含两个惠斯通电桥，彼此相对成45°角。x-y传感器平面中的旋转磁场可提供两个正弦输出信号，其频率是传感器与磁场方向之间角度的两倍。在x-y平面的均匀磁场中，输出信号与z方向（气隙）的物理位置无关。采用8引脚SOIC封装。

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型号：MA734GQ-Z 编号：C3825456

封装：QFN-16(3x3)

用于检测永久磁铁的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速的数据采集和处理，可提供从静态角度测量到高速旋转的精确角度测量。数字滤波可调，可在伺服电机应用中优化控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，包括轴端和侧轴（离轴安装）配置。检测磁场强度，包括可配置的阈值，可用于按钮式人机界面 (HMI) 应用或诊断目的。片上非易失性存储器 (NVM) 用于存储配置参数，如参考零角度和磁场检测阈值。也可以在不访问 NVM 的情况下使用易失性寄存器对其进行编程。采用 QFN-16 (3mmx3mm) 封装。

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型号：RDC502012A 编号：C351172

封装：SIP-3

额定电压5V DC,动作寿命100万次，总电阻值10kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围320°，线性±2%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：MLX90340LDC-AAA-000-RE 编号：C2153667

封装：SOIC-8

对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即Bx、By和Bz）敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如0至360度的旋转位置或线性位移）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，常用于重型和工业应用。报告与可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：WI-27-202 编号：C2910000

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特性：标称阻值范围:100Ω 500KΩ。阻值允许偏差:±10%。独立线性精度:±2%。额定功率:2W。残留阻值:1 2/2 3端子 < 10Ω。最高使电电压:线性电阻分布特性呈B型变化由AC500V逐渐变小AC250V。耐电压:1000V/2000VAC(1分钟)。防护等级:IP67。温度系数:±100ppm。全回转角度:360°。有效电气行程:300° ± 3°。回转转矩:500gf.cm 200gf.cm(旋转速度60°/1秒)。电阻体回转寿命特性:10万次。工作温度:-40°C~+125°C。储藏温度:-30°C~+70°C。标准包装:10只/盒

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型号：WI-27-102 编号：C2909999

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特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-503 编号：C2910004

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特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40℃~ +125℃。储藏温度：-30℃~ +70℃。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-203 编号：C2910003

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特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-502 编号：C2910001

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300° ± 3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：TAD2141-BAAA 编号：C39243963

封装：TSSOP-16

品牌：TDK InvenSense(应美盛)

是一款采用TMR（隧道磁阻）技术的智能角度传感器，一次旋转可检测360度。一个封装中包含2个全桥TMR角度传感器和数字信号处理ASIC。是一款预校准传感器，校准参数存储在NVM（非易失性存储器）中，这是一种OTP（一次性可编程）存储器。客户在应用中使用时，该传感器具有“校准模式”，包括“静态补偿”和“动态补偿”。“静态补偿”旨在消除由磁铁和传感器之间的机械不对准引起的角度误差。在运行中，通过“动态补偿”机制将角度精度提高到优异水平，可消除磁场、温度和寿命影响。支持多种输出接口功能，如编码器、HSM（霍尔开关模式）、PWM（脉宽调制）和SPI。

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￥28.36
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￥24.13
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型号：MA732GQ-P 编号：C17593699

封装：QFN-16(3x3)

该传感器可检测永久磁铁的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速的数据采集和处理可在0rpm至60,000rpm的速度下提供精确的角度测量。在伺服应用中使用时，数字滤波可调节，以优化控制回路性能。该传感器支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。该传感器具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁铁相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置和磁场检测阈值。

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￥40.0099
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￥35.1107
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型号：MLX90367LDC-ABV-000-RE 编号：C5155978

封装：SOIC-8

特性：Triaxis Hall技术。 TriacQis片上信号处理，用于稳健的绝对位置传感。简单的磁路设计。可编程测量范围。可编程线性传输特性（多点）。 SENT输出（根据SAE J2716-2010）。应用：绝对旋转位置传感器。绝对线性位置传感器

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￥32.0558 ￥32.71

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型号：ADA4571WHRZ-R7 编号：C654135

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是各向异性磁阻（AMR）传感器，集成信号调节放大器和ADC驱动器。可产生两个模拟输出，指示周围磁场的角位置。由一个封装内的两个管芯组成，即AMR传感器和固定增益（标称G = 40）仪表放大器。可提供与旋转磁场角度相关的干净且放大的余弦和正弦输出信号。输出电压范围与电源电压成比例。传感器包含两个惠斯通电桥，彼此相对成45°角。x-y传感器平面中的旋转磁场可提供两个正弦输出信号，其频率是传感器与磁场方向之间角度的两倍。在x-y平面的均匀磁场中，输出信号与z方向（气隙）的物理位置无关。采用8引脚SOIC封装。

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型号：MLX90371GDC-BCC-300-RE 编号：C2153641

封装：SOIC-8

是一种对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感的单片传感器。这使得该传感器配合正确的磁路，能够解码附近任何磁铁的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移）。报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例模拟输出信号。通过编程，可提供数字 PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：MLX90365KGO-ACD-000-RE 编号：C1857743

封装：TSSOP-16