旋转角度传感器_厂家_价格_品牌_库存

旋转磁场在x-y传感器平面中提供两个正弦输出信号，指示传感器与磁场方向之间的角度(α)。传感器仅对x-y平面中的磁场方向敏感，因为传感元件输出经过特殊设计，与磁场强度无关。这使得该设备对磁体变化、杂散磁场、气隙变化和轴外未对准不太敏感。该传感器系列提供增量ABZ输出模式，使芯片适合替代各种光学编码器。最大分辨率为每转4096步或1024个脉冲。标准SPI（3线或4线）接口允许主微控制器从传感器读取14位绝对角度位置数据。绝对角度位置也作为12位PWM输出提供。

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型号：MT6701CT-STD 编号：C5451785

封装：SOP-8

MT6701是新一代基于差分水平霍尔磁感应原理的角度位置传感器芯片。该芯片内部包含了两对互成90°放置的差分霍尔惠斯通电桥，能够感应在芯片X-Y平面上旋转磁铁的Z轴磁场分量，并随着磁场角α的变化输出两路正弦的电压信号，再经后续专用电路的放大、补偿和计算后得到角度值α。

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型号：MA702GQ-Z 编号：C3824726

封装：QFN-16(3x3)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速数据采集和处理可在 0 至 60,000 rpm 的速度下提供精确的角度测量。支持广泛的磁场强度和空间配置，包括轴端和离轴（侧轴安装）配置。具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ 编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：MLX90365LGO-ABD-000-RE 编号：C2655205

封装：TSSOP-16

是一款单片传感器IC，对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感。这使得该IC与正确的磁路配合，能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号，与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：RDC503051A 编号：C470764

封装：SMD-4P,14.9x11mm

品牌：ALPSALPINE(阿尔卑斯阿尔派)

额定电压5V DC,动作寿命100万次，总电阻值10kΩ，使用温度范围-40℃ to＋120℃，线性保证范围320°，线性±2%，可满足所有位置检测需要的旋转型传感器

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型号：MT6816CT-AKD-R 编号：C2987620

封装：SOP-8

旋转磁场在x-y传感器平面中提供两个正弦输出信号，指示传感器与磁场方向之间的角度(α)。传感器仅对x-y平面中的磁场方向敏感，因为传感元件输出经过特殊设计，与磁场强度无关。这使得该设备对磁体变化、杂散磁场、气隙变化和轴外未对准不太敏感。该传感器系列提供增量ABZ输出模式，使芯片适合替代各种光学编码器。最大分辨率为每转4096步或1024个脉冲。标准SPI（3线或4线）接口允许主微控制器从传感器读取14位绝对角度位置数据。绝对角度位置也作为12位PWM输出提供。

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型号：MT6701QT-STD 编号：C2913974

封装：QFN-16-EP(3x3)

基于霍尔传感技术。在x-y传感器平面中的旋转磁场提供两个正弦输出信号，指示传感器与磁场方向之间的角度α。此传感器系列提供增量ABZ输出模式，使芯片适合替代各种光学编码器。在二进制模式下，最大分辨率为每转1024脉冲/4096步。标准的I²C或SSI接口允许主微控制器从读取14位绝对角度位置数据。绝对角度位置也作为PWM输出或与VDD成比例的线性模拟信号从12位DAC提供。此外，PUSH输出指示与磁体之间的快速气隙变化，可用于实现非接触式按钮功能，其中旋钮可以被按下以使磁体向移动。

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型号：MA600GQE-0000-Z 编号：C18221548

封装：QFN-16-EP(3x3)

MA600是一款高精度、高带宽的磁性角度传感器，可检测永久磁铁（通常是旋转轴上的径向磁化圆柱）的绝对角位置。MA600集成了精密隧道磁阻（TMR）传感器，实现了高带宽和高精度（积分非线性误差），使其成为位置控制和机器人应用的理想解决方案。MA600支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端（同轴）和轴侧（离轴）安装配置

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型号：AS5045B-ASST 编号：C5375289

封装：SSOP-16-208mil

品牌：ams(艾迈斯半导体)

是一款用于360度全转精确角度测量的非接触式磁位置传感器。它是一款片上系统，在单个设备中集成了霍尔元件、模拟前端和数字信号处理。测量角度仅需一个简单的两极磁体在芯片中心上方旋转，磁体可放置在IC上方或下方。绝对角度测量可提供磁体角位置的即时指示，分辨率为0.0879°，即每转4096个位置。该数字数据可作为串行位流和PWM信号使用。内部电压调节器允许其在3.3V或5V电源下工作。

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型号：MA735GGU-Z 编号：C7433196

封装：UTQFN-14(2X2)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。其超小的UTQFN（2mmx2mm）封装使其成为空间受限应用的理想解决方案。快速的数据采集和处理可在0rpm至60,000rpm的速度下提供精确的角度测量。数字滤波是可调的，可在伺服应用中优化控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。具有磁场强度检测功能，阈值可配置，允许检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器（NVM）可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：MA730GQ-Z 编号：C161798

封装：QFN-16(3x3)

该传感器可检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速的数据采集和处理可在0至60,000 rpm的速度下提供精确的角度测量。该传感器支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。该传感器具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：MT6816CT-STD-R 编号：C2991083

封装：SOP-8

旋转磁场在x-y传感器平面中提供两个正弦输出信号，指示传感器与磁场方向之间的角度(α)。传感器仅对x-y平面中的磁场方向敏感，因为传感元件输出经过特殊设计，与磁场强度无关。这使得该设备对磁体变化、杂散磁场、气隙变化和轴外未对准不太敏感。该传感器系列提供增量ABZ输出模式，使芯片适合替代各种光学编码器。最大分辨率为每转4096步或1024个脉冲。标准SPI（3线或4线）接口允许主微控制器从传感器读取14位绝对角度位置数据。绝对角度位置也作为12位PWM输出提供。

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型号：MLX90365LDC-ABD-000-RE 编号：C2655180

封装：SOIC-8

是一款单片传感器IC，对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感。这使得该IC与正确的磁路配合，能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号，与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：MT6816CT-ACD 编号：C5449395

封装：SOP-8

MT6816是新一代基于先进的各向异性磁阻（AMR）技术的高速高精度角度编码器芯片。该芯片内部集成了互成45°摆放的两对AMR惠斯通电桥组成的敏感元件以及高性能的专用信号处理电路。由于AMR器件在用作角度测量应用的时候工作于饱和区（饱和磁场为300高斯），实际工作时，芯片只对平行于芯片表面的磁场的方向变化做出响应，而与磁场强度无关。所以MT6816可以根据x-y平面内的旋转磁场产生两路正弦信号，来计算磁场旋转角度。

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型号：MLX90365KDC-ABD-000-RE 编号：C2655187

封装：SOIC-8

是一款单片传感器IC，对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感。对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感。这使得该IC与正确的磁路配合，能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移、行程）。它能够设计出新一代非接触式位置传感器，这在汽车和工业应用中经常需要。报告一个可编程的比例式模拟输出信号，与任何电阻式电位器或可编程线性霍尔传感器兼容。通过编程，还可提供数字PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：MA782GGU-Z 编号：C3825406

封装：QFN-14(2x2)

该传感器可检测永磁体的绝对角位置，例如旋转轴上的径向磁化圆柱体。凭借其电源循环能力，可针对需要低平均功率的应用进行优化。其定时可由片上时钟或外部控制器控制，标志位可检测可定义的角度变化量。该设备支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和离轴（侧轴安装）配置。该传感器具有磁场强度检测功能，可配置阈值，以实现某些功能（例如感应轴向运动或用于诊断）时感知磁体相对于传感器的位置。片上非易失性存储器（NVM）存储配置参数，包括参考零角度位置、电源循环参数、影响输出分辨率的滤波窗口和磁场检测阈值。该传感器采用QFN-14（2mmx2mm）封装。

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型号：MLX90360LDC-ACD-000-RE 编号：C3824736

封装：SOIC-8

是一款单片传感器IC，对垂直和平行于IC表面施加的磁通密度敏感，对施加到IC的磁通密度的三个分量（即 BX、BY 和 BZ）敏感。这使得其配合正确的磁路能够解码任何移动磁体的绝对位置（例如 0 至 360 度的旋转位置或线性位移）。它能够设计新一代非接触式位置传感器，常用于汽车和工业应用。可报告与任何电阻式电位计或可编程线性霍尔传感器兼容的可编程比例式模拟输出信号。通过编程，还可提供数字 PWM（脉冲宽度调制）输出特性。

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型号：ADA4571BRZ-R7 编号：C654133

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

是各向异性磁阻（AMR）传感器，集成信号调节放大器和ADC驱动器。可产生两个模拟输出，指示周围磁场的角位置。由一个封装内的两个管芯组成，即AMR传感器和固定增益（标称G = 40）仪表放大器。可提供与旋转磁场角度相关的干净且放大的余弦和正弦输出信号。输出电压范围与电源电压成比例。传感器包含两个惠斯通电桥，彼此相对成45°角。x-y传感器平面中的旋转磁场可提供两个正弦输出信号，其频率是传感器与磁场方向之间角度的两倍。在x-y平面的均匀磁场中，输出信号与z方向（气隙）的物理位置无关。采用8引脚SOIC封装。

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型号：SC60224SS-TB 编号：C496751

封装：SSOP-16-208mil

品牌：Semiment(赛卓)

非接触式 12 bit 分辨率旋转编码器，可编程分辨率、极对数和零位，高速高精度

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型号：MT6701CT-ACD 编号：C3202694

封装：SOP-8

MT6701是新一代基于差分水平霍尔磁感应原理的角度位置传感器芯片。该芯片内部包含了两对互成90°放置的差分霍尔惠斯通电桥，能够感应在芯片X-Y平面上旋转磁铁的Z轴磁场分量，并随着磁场角α的变化输出两路正弦的电压信号，再经后续专用电路的放大、补偿和计算后得到角度值α。

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型号：WI-27-202 编号：C2910000

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特性：标称阻值范围:100Ω 500KΩ。阻值允许偏差:±10%。独立线性精度:±2%。额定功率:2W。残留阻值:1 2/2 3端子 < 10Ω。最高使电电压:线性电阻分布特性呈B型变化由AC500V逐渐变小AC250V。耐电压:1000V/2000VAC(1分钟)。防护等级:IP67。温度系数:±100ppm。全回转角度:360°。有效电气行程:300° ± 3°。回转转矩:500gf.cm 200gf.cm(旋转速度60°/1秒)。电阻体回转寿命特性:10万次。工作温度:-40°C~+125°C。储藏温度:-30°C~+70°C。标准包装:10只/盒

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型号：WI-27-503 编号：C2910004

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40℃~ +125℃。储藏温度：-30℃~ +70℃。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-203 编号：C2910003

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-102 编号：C2909999

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特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-104 编号：C2910005

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω—500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300°±3°。回转转矩：500gf.cm~200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C~ +125°C。储藏温度：-30°C~ +70°C。标准包装：10只/盒

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型号：WI-27-502 编号：C2910001

封装：-

特性：标称阻值范围：100Ω-500KΩ。阻值允许偏差：±10%。独立线性精度：±2%。额定功率：2W。残留阻值：1-2/2-3端子 < 10Ω。最高使电电压：线性电阻分布特性呈B型变化，由AC500V逐渐变小至AC250V。耐电压：1000V/2000VAC（1分钟）。防护等级：IP67。温度系数：±100ppm。全回转角度：360°。有效电气行程：300° ± 3°。回转转矩：500gf.cm-200gf.cm（旋转速度60°/1秒）。电阻体回转寿命特性：10万次。工作温度：-40°C-+125°C。储藏温度：-30°C-+70°C。标准包装：10只/盒

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型号：MA710GQ-Z 编号：C2909779

封装：QFN-16(3x3)

检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。快速数据采集和处理可在 0 至 60,000 rpm 的速度下提供精确的角度测量。特别适用于低磁场应用：侧轴配置或使用非稀土磁体。具有可编程阈值的磁场强度检测功能，可检测磁体相对于传感器的位置，以创建诸如轴向运动检测或诊断等功能。片上非易失性存储器可存储配置参数，包括参考零角度位置、ABZ 编码器设置和磁场检测阈值。

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型号：MA736GGU-Z 编号：C17294861

封装：UTQFN-14(2x2)

用于检测永磁体的绝对角位置，通常是旋转轴上的径向磁化圆柱体。超小UTQFN封装，使其成为空间受限应用的理想解决方案。快速数据采集和处理，可提供从静态角度测量到高速旋转的精确角度测量。数字滤波可调节，以优化在伺服电机应用中的控制回路性能。支持广泛的磁场强度和空间配置，支持轴端和侧轴（离轴安装）配置。检测磁场强度，并包括可用于诊断目的的可配置阈值。片上非易失性存储器（NVM）可存储配置参数，如参考零角度和磁场检测阈值。也可以使用易失性寄存器配置，而无需访问NVM。

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型号：MLX90340LDC-AAA-000-RE 编号：C2153667

封装：SOIC-8