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    特性:工作温度范围:-20 – 85 °C。 分辨率:0.016。 输出接口:I²C。 输出/量程:24位ADC。 精度:±0.5 mbar。 封装形式:表面贴装。 传感器选项:屏蔽。 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。 符合欧盟ELV指令2000/53/EC。 符合中国RoHS 2指令工信部令第32号,2016。 符合欧盟REACH法规(EC) No. 1907/2006。 卤素含量:低卤素-Br、Cl、F、I < 900 ppm/均质材料,无BFR/CFR/PVC
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  • 是一种硅压阻式压力传感器,可提供与施加压力成正比的高精度线性电压输出。该传感器是一个单片硅膜片,应变计和薄膜电阻网络集成在芯片上。芯片经过激光微调,可进行精确的量程和偏移校准以及温度补偿。
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  • 集成片上双极运算放大器电路和薄膜电阻网络,提供高输出信号和温度补偿。小尺寸和片上集成的高可靠性,使其成为系统设计师合理且经济的选择。是一种先进的单片式、信号调理的硅压力传感器,结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体工艺,提供与施加压力成比例的准确、高电平模拟输出信号。
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  • 是一款先进的单片硅压力传感器,适用于广泛的应用,特别是那些采用带有A/D输入的微控制器或微处理器的应用。结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极处理技术,可提供与施加压力成比例的准确、高电平模拟输出信号。
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  • 该产品是一款集成硅压力传感器,具备片上信号调理、温度补偿和校准功能。它适用于广泛的应用场景,特别是采用微控制器或具有模数输入的微处理器的应用。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极处理技术,可提供与施加压力成比例的准确、高电平模拟输出信号。
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  • 传感器集成了片上双极运算放大器电路和薄膜电阻网络,以提供高输出信号和温度补偿。片上集成的小尺寸和高可靠性使压力传感器成为系统设计人员合理且经济的选择。该压阻式传感器是一种先进的单片式、信号调理型硅压力传感器。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体工艺,以提供与施加压力成比例的精确、高电平模拟输出信号。
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