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DRV5011 小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器

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型号：SS360NT 编号：C126678

封装：SOT-23

SS360NT、SS360ST、SS360ST - 10K、SS460S、SS460S - T2 和 SS460S - LP 高灵敏度锁存数字霍尔效应传感器 IC 体积小巧、灵敏度高且用途广泛，可由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。它们设计用于响应交替的北极和南极。SS360NT 由北极开启，而 SS360ST、SS460S、SS460S - T2 和 SS460S - LP 由南极开启

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型号：TMAG3001A1YBGR 编号：C29073186

封装：DSBGA-6(0.8x1.3)

TMAG3001是一款低功耗线性3D霍尔效应传感器，适用于各种工业和个人电子产品应用。此器件在X、Y和Z轴集成三个独立的霍尔效应传感器。精密模拟信号链和集成的12位ADC对测量的模拟磁场值进行数字化。支持多个工作Vcc范围时，I2C接口可确保使用低电压微控制器实现无缝的数据通信。

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型号：TMAG5170A1QDGKR 编号：C5220642

封装：VSSOP-8

TMAG5170 具有 SPI 总线接口的高精度、线性 3D 霍尔效应传感器

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型号：DRV5013ADQDBZR 编号：C575585

封装：SOT-23

DRV5013 高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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型号：DRV5033AJQLPGM 编号：C201608

封装：TO-92

DRV5033 高电压（高达 38V）、高带宽（高达 30kHz）全极开关

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型号：DRV5013ADQDBZRQ1 编号：C114255

封装：SOT-23

DRV5013-Q1 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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￥2.54
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型号：SS361RT 编号：C126675

封装：SOT-23

SS361RT/SS461R传感器是小型、多功能的数字霍尔效应器件，由永久磁铁或电磁铁产生的磁场驱动，旨在响应交替的北极和南极。这些双极锁存传感器具有更高的灵敏度，通常可使用成本更低的磁铁。

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型号：SS351AT 编号：C428579

封装：SOT-23-3L

SS351AT、SS451A 和 SS551AT 传感器 IC 是小型且多功能的数字霍尔效应器件，由永久磁铁或电磁铁产生的磁场驱动。它们设计为可对北极或南极做出响应。这些产品在 25°C 时的典型工作点为 85G

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型号：SS349RT 编号：C150210

封装：SOT-23

单极数字传感器，具有霍尔效应

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型号：A1304ELHLX-T 编号：C545185

封装：SOT-23W

线性输出霍尔效应传感器的新应用需要中等精度和更小的封装尺寸。A1304线性霍尔效应传感器IC专为实现这两个目标而设计。这款温度稳定的器件采用微型表面贴装封装（SOT23 - W）

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型号：A1326LLHLT-T 编号：C150817

封装：SOT-23W

双通道方向探测传感器，具有霍尔效应

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型号：SC2442SO-TR 编号：C911399

封装：SOT-23-3L

品牌：Semiment(赛卓)

贴片、开漏输出、高灵敏度双极、转速检测、电机换向

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￥1.701
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型号：SS30AT 编号：C2942219

封装：SOT-23

双极霍尔效应磁位置传感器

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型号：AH49FDNTR-G1 编号：C507863

封装：DFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

AH49F是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。其集成电路具有低噪声输出特性，因此无需使用外部滤波元件

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￥2.456 ￥3.07
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￥1.968 ￥2.46
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￥1.76 ￥2.2
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型号：DRV5055A4QLPGM 编号：C266125

封装：TO-92

DRV5055 具有模拟输出的比例式线性霍尔效应传感器

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￥3.62
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型号：A1308KUA-1-T 编号：C1526513

封装：SIP-3

新的线性输出霍尔效应传感器应用，例如位移和角度位置，需要更高的精度和更小的封装尺寸。Allegro A1308 和 A1309 线性霍尔效应传感器 IC 专为满足这两个要求而设计。这些温度稳定的器件提供表面贴装和通孔封装两种选择。每个器件的精度通过生产线末端优化得以增强。每个器件具有非易失性存储器，用于优化器件灵敏度和静态电压输出（QVO：无磁场时的输出），以适应给定的应用或电路。这种 A1308 和 A1309 优化的性能通过在 Allegro 生产线末端测试中编程灵敏度和 QVO 的温度系数，在整个工作温度范围内得以保持。这些比例霍尔效应传感器 IC 提供与施加的磁场成比例的电压输出。静态电压输出调整至电源电压的 50% 左右。这些线性器件的特性使其非常适合用于汽车和工业应用，这些应用需要高精度，并且它们的工作温度范围为 -40°C 至 150°C（SOT-23W 和 SIP -L 温度范围）或 -40°C 至 125°C（SIP -K 温度范围）。每个 BiCMOS 单片电路集成了霍尔元件、用于减少霍尔元件固有灵敏度漂移的温度补偿电路、小信号高增益放大器、钳位低阻抗输出级以及专有的动态偏移消除技术。A1308 和 A1309 传感器 IC 提供两种封装样式。LH 是一种 SOT-23W 样式，适用于表面贴装应用的微型低轮廓封装。UA 是一种 3 针，超小型，单列封装 (SIP)，用于通孔安装。两种封装均无铅 (Pb)，采用 100% 哑光锡引脚镀层。

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￥6.91
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型号：DRV5015A1EDBZRQ1 编号：C2152679

封装：SOT-23

DRV5015-Q1 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器

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￥2.75
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￥2.04
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型号：AH49FNTR-G1 编号：C176936

封装：SC-59

品牌：DIODES(美台)

AH49F是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。其集成电路具有低噪声输出特性，因此无需使用外部滤波元件

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型号：CC6511TO 编号：C286008

封装：TO-92S

品牌：CrossChip(成都芯进)

可编程可编程线性霍尔传感器，线性误差0.2%级

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型号：SC4688DC-TR-Q 编号：C49490290

封装：SOP-8

品牌：Semiment(赛卓)

1D线性、可编程、VOQ、温度补偿、灵敏度范围可调、角度传感器IC、线性霍尔

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型号：DRV5032AJDBZR 编号：C266120

封装：SOT-23

DRV5032 低功耗（5Hz、<1μA）、低电压（最高 5.5V）开关

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￥1.1744
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型号：HAL250SO 编号：C7420962

封装：SOT-23-3L

品牌：Hallwee(霍尔微电子)

1UA超低功耗霍尔开关，无极型霍尔效应传感器

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型号：DRV5012AEDMRR 编号：C2655038

封装：SON-4-EP(1.1x1.4)

DRV5012 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器

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￥2.2161
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￥1.168

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型号：A1391SEHLT-T 编号：C146409

封装：DFN-6(2x3)

斩波稳定精密霍尔开关

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￥7.79
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型号：SL3105-3 编号：C50087585

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

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型号：SS361CT 编号：C396072

封装：SOT-23

SS361CT 和 SS461C 高灵敏度锁存型霍尔效应传感器 IC 是小型、高灵敏度且用途广泛的器件，由永磁体或电磁铁产生的磁场驱动。它们被设计用于响应交替的北极和南极磁场。SS361CT 由北极磁场开启，而 SS461C 由南极磁场开启

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￥1.0666
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型号：SL3105-6 编号：C50087586

封装：DFN-3(1.6x1.6)

品牌：Slkor(萨科微)

是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。内部电路包含霍尔传感器、线性放大器和推挽输出级电路。具有高速、低噪声输出特性，在 -40℃ 至 125℃ 的宽温度范围内实现线性性能。可用于消费类、工业类各种磁场检测。具有高灵敏度，可以准确的反应微弱磁场的变化。当不存在磁场时，模拟输出 1/2VDD。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化。多种灵敏度可供用户选择。南北磁极产生唯一的电压。可检测垂直于封装顶部的磁通量。采用高品质 SOT-23，TO-92S,DFN1616 封装以适配各种应用。

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￥1.0972
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￥0.5913
6000+
￥0.5585

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型号：DRV5032FCDBZR 编号：C527532

封装：SOT-23

DRV5032 低功耗（5Hz、<1μA）、低电压（最高 5.5V）开关

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￥1.4242
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￥1.111
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￥0.9767
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￥0.8093

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型号：SL353LT 编号：C126667

封装：SOT-23