电机霍尔传感器_厂家_价格_品牌_库存

封装：LQFP-144(20x20)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：TMC262C-LA 编号：C516355

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：TRINAMIC

TMC262/TMC262C两相步进电机驱动器具备行业领先的特性，包括高分辨率微步进、无传感器机械负载测量、负载自适应功率优化和低共振斩波操作。标准SPI™和STEP/DIR接口简化了通信。TMC262使用四个外部N沟道和P沟道双MOSFET，可支持高达8A RMS的电机电流和最高60V的电压。集成的保护和诊断功能确保了稳健可靠的运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，可实现外部元件数量少的小型化设计，提供经济高效且极具竞争力的解决方案。新型–C器件提升了电机静音效果，并增加了低端短路保护功能。

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型号：6MBP20VSC060-50 编号：C43538239

封装：插件,43x26mm

品牌：FUJI(富士电机)

特性：低侧IGBT为独立发射极类型。短路保护。温度传感器输出功能。欠压保护。故障信号输出功能。输入接口：TTL（3.3V/5V），高电平有效逻辑。应用：AC 100~240V三相逆变器驱动，用于小功率交流电机驱动（如空调压缩机电机驱动、热泵应用压缩机电机驱动、风扇电机驱动、通风机电机驱动）

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型号：UC2625MDWREP 编号：C2878393

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TI(德州仪器)

增强型产品三相含传感器梯形控制 BLDC 栅极驱动器 28-SOIC -55 to 125

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型号：MF1101005M4EN0CSB0 编号：C261432

封装：插件,P=7.5mm

品牌：STE(松田)

特性：宽直径范围从Φ5到Φ20。存储温度：15℃-35℃。应用：适用于电源、电子电机、变压器、适配器、投影仪、卤素机、LED驱动电路等

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型号：MP6507GR-Z 编号：C3681136

封装：QFN-16(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP6507是一款双极步进电机驱动器，内置两个由N沟道功率MOSFET组成的全桥电路。其工作电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全特性包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断功能

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型号：MP6507GQ-Z 编号：C114141

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：MPS(芯源)

是一款双内置全桥双极步进电机驱动器，由N沟道功率MOSFET组成。它的电源电压范围为2.7V至15V，每通道可提供高达700mA的电机电流。内部安全功能包括通过外部传感器实现的灌电流和拉电流限制、欠压锁定和热关断。有一个过温输出标志，用于指示热关断。采用16引脚、5.0mm×6.4mm TSSOP-EP和TSSOP、3mm×3mm和4mm×4mm QFN封装，背面带有外露散热焊盘。

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型号：DRV10974PWPR 编号：C701765

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10974 12V 标称电压、2.5A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：DRV8461SPWPR 编号：C30816824

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8461 是一款宽电压、大功率、高性能步进电机驱动器。该器件支持高达 65V 的电源电压，以及具有 300mΩ HS + LS 导通电阻、能够支持高达 3A 电流的集成 MOSFET。自动扭矩功能根据负载扭矩调整线圈电流，以此提高效率。静止省电模式可减少电机保持状态下的功率损耗。静音步进衰减模式可在低速和静止状态下实现无噪声运行。采用内部电流检测，无需再使用检测电阻，从而缩小 PCB 面积并降低系统成本。内置分度器支持高达 1/256 微步，自动微步模式对输入 STEP 信号进行插值，从而减少控制器的开销。无传感器失速检测消除了系统的末端停止。该器件支持其他保护和诊断功能，可实现稳健可靠的运行。 DRV8461 是一款用于双极步进电机的集成电机驱动器解决方案。该器件集成了两个 N 沟道功率 MOSFET H 桥、电流检测电阻、电流调节电路以及一个微步进分度器。DRV8461 能够支持 4.5V 至 65V 的宽电源电压。该器件提供两种封装：44 引脚 HTSSOP (DDW) 封装；和另一个 28 引脚 HTSSOP (PWP) 封装。DRV8461 提供高达 4.8A 峰值、3A 满量程或 2.1A 均方根 (rms) 的输出电流。实际的满量程和均方根电流取决于环境温度、电源电压和 PCB 热设计。

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型号：CS8190EDWFR20G 编号：C899110

封装：SO-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

CS8190 特别适用于空气芯仪表移动。该集成电路提供了模拟转速表或速度计所需的所有功能。CS8190 采用速度传感器输入，并生成正弦和余弦相关输出信号，以差分驱动空气芯仪表。基于 CS289 或 LM1819 等行业标准转速表驱动器增加了很多增强功能。该输出使用差分驱动器，无需齐纳参比，提供更高转矩。该器件可耐受 60V 瞬变电压，减少了所需保护电路要求。该器件还比现有器件更精密，可实现更少的辅助器件，适用于速度计。

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￥31.6386 ￥34.02
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型号：STM32F103R6H6A 编号：C2970132

封装：TFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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型号：TMC249A-SA 编号：C1523901

封装：SOIC-28-300mil

品牌：TRINAMIC

用于两相步进电机的TMC249驱动器具备一系列极具竞争力的特性，包括64倍微步驱动、带失速检测的无传感器机械负载测量以及智能电流控制。支持标准SPI™通信，也可通过外部模拟/数字信号进行通信。TMC249可驱动八个外部低导通电阻（Low-RDS-ON）高效MOSFET，电机电流最高可达7A，电压最高可达36V

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￥53.244 ￥156.6
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型号：AS5047U-HTSM 编号：C2153630

封装：SSOP-14-4.4mm

品牌：ams(艾迈斯半导体)

是一款高分辨率旋转位置传感器，可在完整的360度范围内进行快速绝对角度测量。配备革命性的集成动态角度误差补偿（DAEC™），在较高转速下几乎零延迟。动态过滤系统（DFS™）可降低较低转速下的过渡噪声。坚固的设计可抑制任何均匀外部杂散磁场的影响。具有标准的4线SPI串行接口和CRC保护，允许主机微控制器读取14位绝对角度位置数据并对非易失性设置进行编程。增量运动通过一组ABl信号指示，每转最大分辨率为16989步/4096脉冲。通过标准的UVW换向接口控制无刷直流（BLDC）电机，极对数可在1至7之间编程。绝对角度位置也作为PWM编码输出信号提供。为单芯片传感器，采用TSSOP14封装。

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型号：TMC4671-LA 编号：C465954

封装：QFN-76-EP(6.5x10.5)

品牌：TRINAMIC

TMC4671是一款完全集成的伺服控制器，可为无刷直流电机（BLDC）/永磁同步电机（PMSM）、两相步进电机、直流电机和音圈电机提供磁场定向控制（FOC）。所有控制功能均由硬件实现。集成的ADC、位置传感器接口和位置插值器，使该控制器成为适用于广泛伺服应用的全功能伺服控制器。

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型号：MF05200X5M4BP0FPT0 编号：C363402

封装：插件,P=5mm

品牌：STE(松田)

特性：直径范围广，从Φ5到Φ20。工作温度：-40℃至155℃。储存温度：15℃至35℃。应用：电源。电子电机

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型号：TFPT0805L4701FV 编号：C144933

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：氧化铝基板搭配镍基PTC薄膜元件。提供0603、0805和1206尺寸。采用卷带包装。标准R₂₅公差：±0.5%、±1%、±5%。工作温度范围：-55℃至+150℃。在整个温度范围内具有高稳定性。应用：汽车。电机驱动

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型号：CI5930-20A 编号：C5181805

封装：SOP-8

品牌：Tokmas(托克马斯)

特性：零电流输出电压：50% VCC。电流检测范围：5A/10A/20A/25A/30A/40A/50A。高隔离和耐压：3500Vₐₙₛ隔离电压（引脚1-4和5-8之间）。应用：电机控制器

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型号：DRV10983ZPWPR 编号：C701769

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV10983 24V 标称电压、3A 峰值无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器

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型号：ACS723LLCTR-10AB-T 编号：C163255

封装：SOIC-8

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

ACS723电流传感器IC是一种经济且精确的解决方案，适用于工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测。其小型封装非常适合对空间要求苛刻的应用，同时由于减少了电路板面积，还能节省成本。典型应用包括电机控制、负载检测与管理、开关模式电源以及过流故障保护

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型号：STM32F103T4U6A 编号：C1339184

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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型号：ACS725KMATR-30AU-T 编号：C2155516

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

Allegro™ ACS725KMA电流传感器IC是一种经济、精确的解决方案，适用于工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测。该小型封装非常适合空间受限的应用，同时由于减少了电路板面积，还能节省成本。典型应用包括电机控制、负载检测与管理、开关模式电源以及过流故障保护

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￥28.74

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型号：STM32F103T8U7 编号：C1337356

封装：VFQFPN36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥39.13
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￥33.82
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￥29.21

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型号：STM32F103RGT6 编号：C8317

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：ACS732KLATR-20AB-T 编号：C2927913

封装：SOP-16

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

提供了一种紧凑、快速、准确的解决方案，用于测量直流到直流转换器和其他开关电源应用中的高频电流。提供高隔离、高带宽霍尔效应电流感应，并具有用户可配置的过流故障检测功能。适用于所有市场，包括汽车、工业、商业和通信系统。可用于电机控制、负载检测和管理、开关电源和过流故障保护应用

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￥39.94

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型号：STM32F103R4H6A 编号：C1341770

封装：BGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存，6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。具备睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 个通道），转换范围 0 至 3.6 V，具备双采样和保持能力，有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设

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￥70.86

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型号：STM32F103R8H7 编号：C1342359

封装：TFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：STM32F103VBH7 编号：C1338640

封装：LFBGA-100

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥61.07

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型号：STM32F103RGT6TR 编号：C2891418

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F103ZFT6 编号：C2969780

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F103VFT6TR 编号：C2054010

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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