贴片整流桥_厂家_价格_品牌_库存

型号：GBU610 编号：C113929

封装：GBU

品牌：MDD(辰达半导体)

普通一般通用插件整流器

数据手册

5+
￥1.54109 ￥1.6222
50+
￥1.25286 ￥1.3188
150+
￥1.12936 ￥1.1888
500+
￥0.85329 ￥0.8982
2500+
￥0.7847 ￥0.826
5000+
￥0.74347 ￥0.7826

有货

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型号：GBU2510 编号：C22447863

封装：GBU

品牌：XUMAO(旭茂微)

130MIL

5+
￥1.82461 ￥2.1466
50+
￥1.419755 ￥1.6703
150+
￥1.24627 ￥1.4662
500+
￥1.02986 ￥1.2116
2500+
￥0.93347 ￥1.0982
5000+
￥0.875585 ￥1.0301

有货

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型号：GBJ1510 编号：C5439987

封装：GBJ

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力。塑料材料，UL 可燃性 94V-0。 G 后缀用于光刻胶芯片，否则为刮刀法芯片

数据手册

1+
￥2.2689
10+
￥1.775
30+
￥1.5633
250+
￥1.3838
500+
￥1.2662
1000+
￥1.1956

有货

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型号：KBU1010 编号：C19934

封装：KBU

品牌：MDD(辰达半导体)

普通一般通用整流器，可用于开关电源，PD快充等桥式整流

数据手册

1+
￥2.432 ￥2.56
10+
￥1.938 ￥2.04
30+
￥1.729 ￥1.82
100+
￥1.463 ￥1.54
400+
￥1.2445 ￥1.31
800+
￥1.178 ￥1.24

有货

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型号：GBJ5010 编号：C5439990

封装：GBJ

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力。塑料材料，UL 可燃性 94V-0。 G 后缀用于光刻芯片，否则为刀刮芯片。外壳：模塑塑料，GBJ。引脚：符合 MIL-STD-202 方法 208 的可焊镀铅引脚。极性：如外壳标记。安装位置：任意。标记：型号。无铅：符合 RoHS/无铅版本

数据手册

1+
￥3.71
10+
￥2.98
30+
￥2.66
250+
￥2.1
500+
￥1.92
1000+
￥1.82

有货

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型号：GBUE2560-M3/P 编号：C7464872

封装：GBU

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL认证文件编号E312394。氧化物平面芯片结。低正向压降。理想的印刷电路板应用。高浪涌电流能力。高外壳介电强度1500VRMS。应用：开关电源的AC/DC桥式全波整流。家用应用

1+
￥12.77
10+
￥10.96
40+
￥9.83
100+
￥8.2365 ￥8.67
500+
￥7.733 ￥8.14
1000+
￥7.524 ￥7.92

有货

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型号：MB2S 编号：C437884

封装：MBS

品牌：晶导微电子

特性：玻璃钝化芯片结。反向电压：100至1000V。正向电流：0.8A。高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计

数据手册

20+
￥0.1231
200+
￥0.0949
600+
￥0.0793
3000+
￥0.0699
12000+
￥0.0617
18000+
￥0.0574

有货

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型号：MB10F 编号：C108823

封装：MBF

品牌：晶导微电子

46MIL（非标准版）

50+
￥0.1232
500+
￥0.0967
1500+
￥0.082
5000+
￥0.0732

有货

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型号：ABS10 编号：C361578

封装：ABS

品牌：DOWO(东沃)

特性：I₀ 1A。 Vₓₓₘ 200V~1000V。玻璃钝化芯片。耐正向浪涌电流能力高。应用：作一般电源单相桥式整流用

数据手册

20+
￥0.1535
200+
￥0.1217
600+
￥0.104
5000+
￥0.0833
10000+
￥0.0741
20000+
￥0.0692

有货

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型号：MB6S-TP 编号：C85619

封装：MBS

品牌：MCC(美微科)

特性：玻璃钝化二极管结构。保证高温焊接：260°C / 10 秒。节省印刷电路板空间。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1。无铅涂层/符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.2659
100+
￥0.2131
300+
￥0.1867
3000+
￥0.1669
6000+
￥0.1511
9000+
￥0.1432

有货

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型号：MSB40M 编号：C42392495

封装：MSBL

品牌：baocheng(宝乘)

直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：125A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
1000+
￥0.2783
5000+
￥0.2495
10000+
￥0.235

有货

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型号：RBS210 编号：C3874028

封装：ABS

品牌：baocheng(宝乘)

特征和功能：高浪涌电流能力、低漏电流、环保应用：消费电子、工业电源、家用电子、LED照明等

数据手册

5+
￥0.4786
50+
￥0.3808
150+
￥0.3319
500+
￥0.2953
2500+
￥0.266
5000+
￥0.2281

有货

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型号：MB36F 编号：C5807949

封装：MBF

品牌：GOODWORK(固得沃克)

该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

1+
￥0.55904 ￥0.6988
10+
￥0.44384 ￥0.5548
30+
￥0.38632 ￥0.4829
100+
￥0.34312 ￥0.4289
500+
￥0.30856 ￥0.3857
1000+
￥0.29128 ￥0.3641

有货

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型号：DB107 编号：C698408

封装：DB

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号#E313149。高浪涌电流能力。浸焊最高275℃，持续7s，符合JESD 22-B106。应用：用于开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流/直流桥式全波整流的通用用途

数据手册

5+
￥0.6055
50+
￥0.4882
150+
￥0.4025
500+
￥0.3585
2500+
￥0.3233
5000+
￥0.3057

有货

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型号：DB207S 编号：C5292788

封装：DBS

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：正向平均电流（IF(AV)）：2A。反向重复峰值电压（VRRM）：50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用

数据手册

5+
￥0.7082
50+
￥0.5762
150+
￥0.5102
1500+
￥0.4607
3000+
￥0.4211
6000+
￥0.4013

有货

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型号：KMB16F 编号：C2993485

封装：MBF

品牌：MDD(辰达半导体)

普通一般通用整流器，可用于开关电源，PD快充等桥式整流

5+
￥1.0995
50+
￥0.8652
150+
￥0.7647
500+
￥0.6394
2500+
￥0.5836

有货

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型号：MB6S 编号：C82584

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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