二极管整流桥_厂家_价格_品牌_库存

型号：GBJ3510A 编号：C698442

封装：6KBJ

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号#E230084。薄型单列直插式封装。高浪涌电流能力。浸焊温度最高275℃，7秒，符合JESD 22-B106标准。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的通用AC/DC桥式全波整流

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1+
￥4.47
10+
￥3.71
30+
￥2.86
105+
￥2.48

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型号：GBJ5010 编号：C394893

封装：6KBJ

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL认证，文件编号#E230084。薄型单列直插式封装。高浪涌电流能力。最高275℃浸焊7秒，符合JESD 22-B106标准。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的交流/直流桥式全波整流通用用途

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1+
￥5.3
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￥4.46
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￥3.6
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￥3.19

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型号：KBPC2510 编号：C840745

封装：KBPC-25

品牌：MDD(辰达半导体)

普通一般通用插件整流器

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1+
￥6.384 ￥6.65
10+
￥5.3184 ￥5.54
50+
￥4.4832 ￥4.67
100+
￥3.8304 ￥3.99
500+
￥3.5328 ￥3.68
1000+
￥3.408 ￥3.55

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型号：GBPC2510W 编号：C7436447

封装：GBPCW

品牌：YFW(佑风微)

特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级认证。一体成型的散热片，热阻极低，实现最大散热。通用3种端子方式：卡扣式、绕线式或PCB板安装。浪涌过载额定值达400A。玻璃钝化芯片结。保证高温焊接：260℃/10秒，拉力5lbs.（2.3kg）

1+
￥6.5
10+
￥5.23
50+
￥4.6
100+
￥3.97
500+
￥3.6
1000+
￥3.4

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型号：KBPC3510 编号：C2891287

封装：KBPC

品牌：GOODWORK(固得沃克)

该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

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1+
￥6.62
10+
￥5.54
50+
￥4.57
100+
￥3.9
500+
￥3.6
1000+
￥3.47

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型号：KBPC5010 编号：C2940149

封装：KBPC

品牌：LGE(鲁光)

特性：额定电压达1000VPRV。 500安培浪涌能力。高效率。电绝缘金属外壳，实现最大散热。安装方式：#8螺丝通孔安装

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1+
￥7.78
10+
￥6.52
50+
￥5.33
100+
￥4.55
500+
￥4.2
1000+
￥4.05

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型号：BR5006 编号：C7421457

封装：BR

品牌：LGE(鲁光)

特性：额定电压达1000V PRV。浪涌过载额定值达400安培峰值。适用于印刷电路板。采用模塑塑料技术，结构可靠且成本低，产品价格实惠。引脚可根据MIL-STD-202方法208进行焊接。安装方式：采用#8螺丝进行通孔安装

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￥9.36
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￥7.74
50+
￥6.85
100+
￥5.85
500+
￥5.4
1000+
￥5.2

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型号：SKBPC3516 编号：C5185696

封装：SKBPC

品牌：YFW(佑风微)

特性：高电流能力。低正向压降。玻璃钝化芯片结。低功耗，高效率。符合EUROHS2011/65/EU指令的无铅产品

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1+
￥15.23
10+
￥12.51
50+
￥10.8
100+
￥9.05

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型号：SKBPC5016 编号：C25836750

封装：SKBPC

品牌：YFW(佑风微)

特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃认证。一体成型散热片，热阻极低，可实现最大散热。通用三向端子：卡扣式、绕线式或PCB板安装。浪涌过载额定值达400A。玻璃钝化芯片结。保证高温焊接：260℃/10秒，拉力5lbs. (2.3kg)

1+
￥18.58
10+
￥15.8
50+
￥14.97

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型号：SGBJ1510 编号：C37636004

封装：SGBJ

品牌：YFW(佑风微)

特性：玻璃钝化芯片结构。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。保证高温焊接：265℃ /10秒，0.375" (9.5mm)引脚长度，5lbs. (2.3kg)拉力

1+
￥20.77
10+
￥20.28
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￥19.95

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型号：MT5006A 编号：C781519

封装：MT-A

品牌：YANGJIE(扬杰)

MT5006A-A1-0000

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1+
￥25.59
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￥24.48
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￥23.81
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￥23.14

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型号：PD70224ILQ-TR 编号：C2653611

封装：QFN-40(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是双封装的基于MOSFET的全桥整流器。它包含低RDS 0.16 Ω的N沟道MOSFET，可实现更高的整体效率和更高的输出功率，特别是在以太网供电 (PoE) 应用的受电设备中使用时。用于驱动MOSFET的整个驱动电路都集成在芯片上，包括用于驱动高端N沟道MOSFET的电荷泵。与典型正向压降为2000 mV的标准桥式整流器相比，IdealBridge™整流器引入的总正向压降（电桥偏移）在0.6 A时仅为192 mV

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